技术特征：
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在所述碳化硅膜上形成euv用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。2.根据权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于，包括：在基片上形成所述旋涂碳膜的步骤。3.根据权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：所述碳化硅膜中，具有硅原子与碳原子的该碳化硅膜中的主结构部分是硅原子之间经由碳原子结合而成的部分的集合体。4.根据权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：所述主结构部分具有由多个所述硅原子之间经由碳原子结合而成的部分通过脱水缩合结合而成的结构。5.根据权利要求3或4所述的基片处理方法，其特征在于：所述主结构部分中，与硅原子结合的原子除了构成硅氧烷键的原子以外不包含氧原子且包含碳原子。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述形成碳化硅膜的步骤中，在所述旋涂碳膜上形成了碳化硅膜材料的膜之后，在氧浓度为0.1％以下的低氧气氛内，对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线，形成所述碳化硅膜。7.根据权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：在所述旋涂碳膜上形成所述碳化硅膜材料的膜之后，进行基片的加热，之后，在所述低氧气氛内，对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线。8.根据权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于：所述碳化硅膜材料中，作为包含硅原子与碳原子结合而成的部分的材料，仅包含聚碳硅烷。9.根据权利要求6～8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：包括如下步骤：基于关于作为处理对象的基片的条件，决定对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线的照射时间。10.一种基片处理装置，其特征在于，包括：碳化硅膜形成部，在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜；和抗蚀剂膜形成部，在所述碳化硅膜上形成euv用的化学放大型的抗蚀剂膜。11.根据权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：在基片上形成所述旋涂碳膜的旋涂碳膜形成部。12.根据权利要求10或11所述的基片处理装置，其特征在于：所述碳化硅膜中，具有硅原子与碳原子的该碳化硅膜中的主结构部分是硅原子之间经由碳原子结合而成的部分的集合体。13.根据权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：所述主结构部分具有由多个所述硅原子之间经由碳原子结合而成的部分通过脱水缩合结合而成的结构。14.根据权利要求12或13所述的基片处理装置，其特征在于：
所述主结构部分中，与硅原子结合的原子除了构成硅氧烷键的原子以外不包含氧原子且包含碳原子。15.根据权利要求10～14中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述碳化硅膜形成部具有：涂敷部，在所述旋涂碳膜上形成碳化硅膜材料的膜；和照射部，在氧浓度为0.1％以下的低氧气氛内，对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线，形成所述碳化硅膜。16.根据权利要求15所述的基片处理装置，其特征在于：所述碳化硅膜形成部具有加热部，所述加热部在所述旋涂碳膜上形成了所述碳化硅膜材料的膜之后，进行基片的加热，所述照射部在由所述加热部进行了加热后，在所述低氧气氛内对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线。17.根据权利要求15或16所述的基片处理装置，其特征在于：所述碳化硅膜材料中，作为包含硅原子与碳原子结合而成的部分的材料，仅包含聚碳硅烷。18.根据权利要求15～17中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：对所述碳化硅膜材料的膜照射紫外线的照射时间基于关于作为处理对象的基片的条件来决定。
技术总结
本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成euv用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。的步骤。的步骤。
技术研发人员：藤井宽之 冈田聪一郎 井户泰幸 村松诚 吉田圭佑 宫原奈乃华
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2022.02.21
技术公布日：2023/10/27