技术编号：35889836
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。背景技术.专利文献公开了在被加工基片上层叠碳膜，在其上层叠含硅中间膜，在其上层叠光致抗蚀剂膜的技术，并公开了作为碳膜，有通过旋涂法制作的旋涂碳膜的技术。.现有技术文献.专利文献.专利文献：日本特开-号公报发明内容.发明要解决的技术问题.本发明的技术以高生产率(through put)将利用euv用的抗蚀剂膜得到的抗蚀剂图案恰当地转印到旋涂碳膜。.用于解决技术问题的技术方案.本发明的一方式是一种基片处理方法，其包括：...
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