带外置驱动电压控制的mos管电路
技术领域
1.本发明涉及电池充放电技术领域，尤其涉及一种带外置驱动电压控制的mos管电路。
背景技术：
2.锂(li)离子电池作为存能和供电电池被越来越广泛地使用，锂(li)离子电池在使用过程中，通常需要采用保护电路板对锂电池进行充分电的保护，以避免锂电池在使用过程中，出现过充或过放的现象，从而保证锂电池的使用寿命。
3.现有技术中，锂电池保护板主要是通过锂电池检测芯片来对各节锂电池进行检测，并输出控制信号至锂电池回路上的回路控制开关，而当回路电流相对较大时，锂电池检测芯片输出的信号难以对回路控制开关及时地导通或截止控制。另外，现有技术中，也有通过三极管的方式将锂电池检测芯片输出的控制信号进行放大后，在对回路控制开关进行导通或截止控制。但是，这种方法也存在一些问题：一是三极管分立元件工作状态不太稳定。二是三极管在驱动过程中，其电压是逐步上升的过程，导致回路的开关时间相对较慢。
技术实现要素：
4.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种带外置驱动电压控制的mos管电路。
5.为实现上述目的，根据本发明实施例的带外置驱动电压控制的mos管电路，包括：
6.第一磁隔离电路，所述第一磁隔离电路包括第一磁隔离器，所述第一磁隔离器的第一信号输入端与第一输入控制信号连接，以将所述第一输入控制信号进行磁隔离输出；
7.mos管驱动电路，所述mos管驱动电路包括逻辑驱动器，所述逻辑驱动器的信号输入端用于在第二输入控制信号和/或所述第一磁隔离器的第一隔离输出信号的作用下，输出高低电平逻辑驱动信号，以驱动充放电mos管qc1的导通或截止。
8.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述mos管驱动电路还包括：
9.热敏电阻开关rt1，所述热敏电阻开关rt1的一端与所述第二输入控制信号输出端连接，所述热敏电阻开关rt1用于过温保护；
10.二极管d15，所述二极管d15的阳极通过电阻r8与所述热敏电阻开关rt1的另一端连接，所述二极管d15的阴极通过电阻r190与所述逻辑驱动器的信号输入端连接。
11.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述mos管驱动电路还包括：
12.三极管q1，所述三极管q1的基极通过电阻r5与所述第一磁隔离器的第一隔离输出信号端连接，所述三极管q1的发射极与第一参考地连接，所述三极管q1的集电极与所述二极管d15的阴极连接，所述三极管q1用于在所述第一隔离输出信号的作用下，为所述逻辑驱动器的信号输入端输入低电平控制信号；
13.电容c88，所述电容c88的一端与所述三极管q1的基极连接，所述电容c88的另一端与第一参考地连接；
14.电阻r191，所述电阻r191的一端与所述三极管q1的基极连接，所述电阻r191的另一端与第一参考地连接，所述电容c88、电阻r191构成调节动作延迟时间电路。
15.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述mos管驱动电路还包括：
16.mos管qc3，所述mos管qc3的源极通过电阻r6与所述逻辑驱动器的信号输出端连接，所述mos管qc3的栅极与第二参考地连接；
17.二极管d2，所述二极管d2的阳极与所述mos管qc3的漏极连接，所述二极管d2的阴极通过电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述充放电mos管qc1的源极与所述第一参考地连接，所述第一参考地用于连接充电器的负输入端，所述充放电mos管qc1的漏极与所述第二参考地连接，所述第二参考地用于与锂电池的负连接。
18.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述mos管驱动电路还包括：
19.三极管qc2，所述三极管qc2的基极与所述二极管d2的阳极连接，所述三极管qc2的基极还通过电阻rc3与所述第一参考地连接，所述三极管qc2的集电极与所述第一参考地连接，所述三极管qc2的发射极通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接；所述三极管qc2用于在所述充放电mos管qc1关闭时进行快速截止控制。
20.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述mos管驱动电路还包括：
21.稳压二极管zd2，所述稳压二极管zd2的阴极通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述稳压二极管zd2的阳极与所述充放电mos管qc1的源极连接；
22.电阻r2，所述电阻r2的一端与所述稳压二极管zd2的阴极连接，所述电阻r2的另一端与所述稳压二极管zd2的阳极连接。
23.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括第二磁隔离电路，所述第二磁隔离电路包括第二磁隔离器，所述第二磁隔离器的信号输入端通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述第二磁隔离器隔离输出所述充放电mos管qc1的状态信号。
24.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括开关控制电路，所述开关控制电路包括：
25.三极管q3，所述三极管q3的基极通过电阻r12与所述第一磁隔离器的第二信号输出端，所述三极管q3的发射极还与第一参考地连接，所述三极管q3的集电极与所述逻辑驱动器低电平逻辑控制端连接，以在第三输入控制信号的控制下，控制所述逻辑驱动器输出恒定低电平驱动信号；其中，所述第一磁隔离器的第二信号输入端与所述第三输入控制信号连接，以将所述第三输入控制信号进行磁隔离输出；
26.电容c3，所述电容c3的一端与所述三极管q3的基极连接，所述电容c3的另一端与第一参考地连接；
27.电阻r13，所述电阻r13的一端与所述三极管q3的基极连接，所述电阻r13的另一端与第一参考地连接，所述电容c3、电阻r13构成调节动作延迟时间电路。
28.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括：第一延迟电路，第一磁隔离电路的第一信号输入端通过所述第一延迟电路与第一输入控制信号连接，以对所述第一输入控制信号进行控制动作时间延迟；其中，所述第一延迟时间包括：
29.三极管q2，所述三极管q2的基极通过电阻r10与所述第一输入控制信号端连接，所
述三极管q2的发射极与第二参考地连接，所述三极管q2的集电极与所述第一磁隔离器的第一信号输入端连接；
30.电容c2，所述电容c2的一端与所述三极管q2的基极连接，所述电容c2的另一端与第二参考地连接；
31.电阻r11，所述电阻r11的一端与所述三极管q2的基极连接，所述电阻r11的另一端与第二参考地连接，所述电容c2、电阻r11构成调节动作延迟时间电路；
32.电阻r9，所述电阻r9的一端与上拉电源连接，所述电阻r9的另一端与所述三极管q2的集电极连接。
33.进一步地，根据本发明的一个实施例，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括：第二延迟电路，第一磁隔离电路的第二信号输入端通过所述第二延迟电路与第二输入控制信号连接，以对所述第二输入控制信号进行控制动作时间延迟；其中，所述第二延迟时间包括：
34.三极管q5，所述三极管q5的基极通过电阻r1与所述第二输入控制信号端连接，所述三极管q5的发射极与第二参考地连接，所述三极管q5的集电极与所述第一磁隔离器的第二信号输入端连接；
35.电容c1，所述电容c1的一端与所述三极管q5的基极连接，所述电容c1的另一端与第二参考地连接；
36.电阻r4，所述电阻r4的一端与所述三极管q5的基极连接，所述电阻r4的另一端与第二参考地连接，所述电容c1、电阻r4构成调节动作延迟时间电路；
37.电阻r3，所述电阻r3的一端与上拉电源连接，所述电阻r3的另一端与所述三极管q5的集电极连接。
38.本发明实施例提供的带外置驱动电压控制的mos管电路，通过第一磁隔离电路包括第一磁隔离器，所述第一磁隔离器的第一信号输入端与第一输入控制信号连接，以将所述第一输入控制信号进行磁隔离输出；mos管驱动电路包括逻辑驱动器，所述逻辑驱动器的信号输入端用于在第二输入控制信号和/或所述第一磁隔离器的第一隔离输出信号的作用下，输出高低电平逻辑驱动信号，以驱动充放电mos管qc1的导通或截止。如此，通过所述第一磁隔离器可将所述控制器输出的所述第一输入控制信号隔离输出，相比传统的光电隔离方式大大降低系统功耗，加快了控制响应速度。且通过所述逻辑驱动器的输出信号为高低电平逻辑驱动信号。如此，可实现对所述充放电mos管qc1的导通或者截止的快速驱动控制。
附图说明
39.图1为本发明提供的带外置驱动电压控制的mos管电路结构框图；
40.图2为本发明提供的带外置驱动电压控制的mos管电路结构示意图。
41.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
42.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中
在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
43.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
44.参阅图1和图2，本发明实施例提供一种带外置驱动电压控制的mos管电路，包括：第一磁隔离电路u1和mos管驱动电路，所述第一磁隔离电路u1包括第一磁隔离器u1，所述第一磁隔离器u1的第一信号输入端via与第一输入控制信号连接，以将所述第一输入控制信号进行磁隔离输出；如图1中所示，通过所述第一磁隔离器u1可将所述控制器输出的所述第一输入控制信号隔离输出，相比传统的光电隔离方式大大降低系统功耗，加快了控制响应速度。
45.所述mos管驱动电路包括逻辑驱动器u7，所述逻辑驱动器u7的信号输入端(ina、inb)用于在第二输入控制信号和/或所述第一磁隔离器u1的第一隔离输出信号的作用下，输出高低电平逻辑驱动信号，以驱动充放电mos管qc1的导通或截止。如图1中所示，所述逻辑驱动器u7的信号输入端与控制信号连接，用于将控制信号转换为mos管的驱动信号，以实现对所述充放电mos管qc1的导通或截止驱动控制。其中，所述逻辑驱动器u7的输出信号为高低电平逻辑驱动信号。如此，可实现对所述充放电mos管qc1的导通或者截止的快速驱动控制。通过使用fet驱动ic，使得驱动能力大大增强，以适应大电流多fet应用场景。其中，所述第一输入控制信号可为所述控制器输出的充电保护信号，当所述控制器检测到充电异常时，可输出所述第一输入控制信号，并通过所述逻辑驱动器u7驱动所述充放电mos管qc1快速截止，以实现充电保护。而所述第二输入控制信号可为充电控制信号，该充电控制信号通过所述逻辑驱动器u7驱动所述充放电mos管qc1快速导通，以实现对电池进行充电控制。
46.参阅图2，所述mos管驱动电路还包括：热敏电阻开关rt1和二极管d15，所述热敏电阻开关rt1的一端与所述第二输入控制信号输出端连接，所述热敏电阻开关rt1用于过温保护；所述二极管d15的阳极通过电阻r8与所述热敏电阻开关rt1的另一端连接，所述二极管d15的阴极通过电阻r190与所述逻辑驱动器u7的信号输入端连接。具体地，如图2中所示，通过在所述第二输入控制信号与所述逻辑驱动器u7之间串联热敏电阻开关rt1和二极管d15，从而可对所述第二输入控制信号进行处理。其中，当热敏电阻开关rt1检测到温度达到过温保护温度值时，热敏电阻开关rt1的电阻增加到较大的电阻值，从而可将所述第二输入控制信号隔断，使得所述第二输入控制信号无法输出到所述逻辑驱动器u7的信号输入端。这样，所述逻辑驱动器u7无法驱动所述充放电mos管qc1导通，从而可实现过温保护的作用。所述二极管d15为单向导通元件，可避免所述第二输入控制信号由于反接而出现负压信号时对所述逻辑驱动器u7的影响，从而实现对所述逻辑驱动器u7的保护。
47.参阅图2，所述mos管驱动电路还包括：三极管q1、电容c88和电阻r191，所述三极管q1的基极通过电阻r5与所述第一磁隔离器u1的第一隔离输出信号端连接，所述三极管q1的发射极与第一参考地连接，所述三极管q1的集电极与所述二极管d15的阴极连接，所述三极管q1用于在所述第一隔离输出信号的作用下，为所述逻辑驱动器u7的信号输入端输入低电平控制信号；具体地，如图2中所示，所述三极管q1可在所述第一磁隔离器u1的第一隔离输
出信号的作用下进行导通或者截止，当所述第一隔离输出信号为高电平信号时，可使得三极管q1导通，从而可将所述逻辑驱动器u7的信号输入端下拉为低电平。此时，逻辑驱动器u7的信号输入端不受所述第二输入控制信号控制，逻辑驱动器u7的信号输出端输出低电平信号，使得所述充放电mos管qc1截止，可实现充电异常的保护作用。相反，当所述第一隔离输出信号为低电平信号时，三极管q1截止。此时，逻辑驱动器u7的信号输入端受所述第二输入控制信号控制，并在所述第二输入控制信号的控制下驱动所述充放电mos管qc1的导通或者截止，进行充电控制。
48.所述电容c88的一端与所述三极管q1的基极连接，所述电容c88的另一端与第一参考地连接；所述电阻r191的一端与所述三极管q1的基极连接，所述电阻r191的另一端与第一参考地连接，所述电容c88、电阻r191构成调节动作延迟时间电路。通过所述电容c88、电阻r191构成调节动作延迟时间电路，可将干扰信号滤除，避免出现由干扰信号导致的误异常保护。具体过程为，由于干扰信号的通常为高压短信号，该高压短信号可通过电容c88吸收，且不会导致三极管q1的导通，从而可减少误保护。而当所述控制输出高电平信号时，持续输出的高电平信号可通过电容c88充电，当充电到设定电压值时，可使得三极管q1导通。当控制输出低电平信号时，电容c88的电量可通过电阻r191放电，使得所述三极管q1截止。如此，可保证三极管q1的导通或者截止到稳定性。
49.参阅图2，所述mos管驱动电路还包括：mos管qc3和二极管d2，所述mos管qc3的源极通过电阻r6与所述逻辑驱动器u7的信号输出端连接，所述mos管qc3的栅极与第二参考地连接；所述二极管d2的阳极与所述mos管qc3的漏极连接，所述二极管d2的阴极通过电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述充放电mos管qc1的源极与所述第一参考地连接，所述第一参考地用于连接充电器的负输入端，所述充放电mos管qc1的漏极与所述第二参考地连接，所述第二参考地用于与锂电池的负连接。具体地，如图2中所示，通过在所述逻辑驱动器u7与所述充放电mos管qc1之间串联mos管qc3和二极管d15，从而可对所述逻辑驱动器u7的输出信号进行处理。其中，当用户接入的充电器不匹配时，可能会导致所述逻辑驱动器u7输出的mos管关断信号无法使得所述充放电mos管qc1关闭，从而导致所述充放电mos管qc1关闭失效的问题。通过在所述逻辑驱动器u7的驱动信号输出端加入qc3，当需要将所述充放电mos管qc1截止控制是，所述逻辑驱动器u7的信号输出端输出低电平信号，该电平信号可使得mos管qc3截止，所述充放电mos管qc1可通过电阻r2放电，从而可控制所述充放电mos管qc1截止，以防止因用户接入的充电器不匹配造成充电控制关闭失效的可能。
50.参阅图2，所述mos管驱动电路还包括：三极管qc2，所述三极管qc2的基极与所述二极管d2的阳极连接，所述三极管qc2的基极还通过电阻rc3与所述第一参考地连接，所述三极管qc2的集电极与所述第一参考地连接，所述三极管qc2的发射极通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接；所述三极管qc2用于在所述充放电mos管qc1关闭时进行快速截止控制。具体地，当需要将所述充放电mos管qc1截止控制是，所述逻辑驱动器u7的信号输出端输出低电平信号，该电平信号可使得mos管qc3截止，所述充放电mos管qc1可通过电阻r2和三极管qc2放电，从而可控制所述充放电mos管qc1快速截止。该实施例中，通过增加三极管qc2电路，加快了mos-fet充放电mos管qc1关闭的时间，防止关闭太慢烧坏充放电mos管qc1。
51.参阅图2，所述mos管驱动电路还包括：稳压二极管zd2和电阻r2，所述稳压二极管
zd2的阴极通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述稳压二极管zd2的阳极与所述充放电mos管qc1的源极连接；所述电阻r2的一端与所述稳压二极管zd2的阴极连接，所述电阻r2的另一端与所述稳压二极管zd2的阳极连接。具体的，所述充放电mos管qc1的截止的过程中，可通过所述电阻r2进行放电，使得所述充放电mos管qc1的栅源极之间的电压小于导通电压值，从而可使得充放电mos管qc1截止，通过所述稳压二极管zd2一方面可对所述充放电mos管qc1进行保护，另一方面，通过接入稳压二极管zd2可给定所述三极管qc2一个稳态的控制信号，使得所述三极管qc2导通。
52.参阅图1和图2，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括第二磁隔离电路，所述第二磁隔离电路包括第二磁隔离器u2，所述第二磁隔离器u2的信号输入端通过所述电阻rc1与所述充放电mos管qc1的栅极连接，所述第二磁隔离器u2隔离输出所述充放电mos管qc1的状态信号。
53.参阅图2，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括开关控制电路，所述开关控制电路包括：三极管q3、电容c3和电阻r13，所述三极管q3的基极通过电阻r12与所述第一磁隔离器u1的第二信号输出端，所述三极管q3的发射极还与第一参考地连接，所述三极管q3的集电极与所述逻辑驱动器u7低电平逻辑控制端sd连接，以在第三输入控制信号的控制下，控制所述逻辑驱动器u7输出恒定低电平驱动信号；其中，所述第一磁隔离器u1的第二信号输入端与所述第三输入控制信号连接，以将所述第三输入控制信号进行磁隔离输出；具体地，所述mos管q3可在所述控制器的控制下进行导通或者截止.如图2中所示，当所述控制器通过所述第三输入控制信号输出高电平信号时，该高电平信号通过所述第一磁隔离器u1的第二信号输出端隔离输出至所述三极管q3的基极，并使得三极管q3导通，三极管q3导通后，可将所述逻辑驱动器u7低电平逻辑控制端sd下拉为低电平，从而可使得所述逻辑驱动器u7输出低电平信号，也即是，此时逻辑驱动器u7的输出不受输入端信号的控制，而输出恒定的低电平信号。这样，在逻辑驱动器u7的sd脚上接入控制信号，可实现通过软件方式对逻辑驱动器u7的驱动信号的控制，实现充放电异常保护控制。参阅图2，在本发明的另外一个实施例中，所述开关控制电路还包括自锁开关s1,所述自锁开关s1的一端与参考地连接，所述自锁开关s1的另一端与所述逻辑驱动器u7低电平逻辑控制端sd连接，以在所述自锁开关的控制下，控制所述逻辑驱动器u7输出恒定低电平驱动信号；同时接入硬件级的自锁开关和控制器mcu控制信号，实现了硬件和软件双重弱电开关功能。
54.所述电容c3的一端与所述三极管q3的基极连接，所述电容c3的另一端与第一参考地连接；所述电阻r13的一端与所述三极管q3的基极连接，所述电阻r13的另一端与第一参考地连接，所述电容c3、电阻r13构成调节动作延迟时间电路。具体地，通过所述电容c3、电阻r13构成调节动作延迟时间电路，可将干扰信号滤除，避免出现由干扰信号导致的误异常保护。具体过程为，由于干扰信号的通常为高压短信号，该高压短信号可通过电容c3吸收，且不会导致三极管q3的导通，从而可减少误保护。而当控制输出高电平信号时，持续输出的高电平信号可通过电容c3充电，当充电到设定电压值时，可使得三极管q3导通。当控制输出低电平信号时，电容c3的电量可通过电阻r13放电，使得所述三极管q3截止。如此，可保证三极管q3的导通或者截止到稳定性。
55.参阅图1和图2，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括：第一延迟电路，第一磁隔离电路u1的第一信号输入端via通过所述第一延迟电路与第一输入控制信号连接，
以对所述第一输入控制信号进行控制动作时间延迟；其中，所述第一延迟时间包括：三极管q2、电容c2、电阻r11和电阻r9，所述三极管q2的基极通过电阻r10与所述第一输入控制信号端key_mcu连接，所述三极管q2的发射极与第二参考地连接，所述三极管q2的集电极与所述第一磁隔离器u1的第一信号输入端via连接；所述电容c2的一端与所述三极管q2的基极连接，所述电容c2的另一端与第二参考地连接；所述电阻r11的一端与所述三极管q2的基极连接，所述电阻r11的另一端与第二参考地连接，所述电容c2、电阻r11构成调节动作延迟时间电路；所述电阻r9的一端与上拉电源连接，所述电阻r9的另一端与所述三极管q2的集电极连接。
56.具体地，如图2中所示，所述第一磁隔离电路u1的第一信号输入端via在上拉电源的作用下为高电平状态，当控制器需要将所述第一磁隔离电路u1的第一信号输入端via的电平下拉为低电平状态时，可通过所述控制器输出高电平信号至所述三极管q2的基极，使得所述三极管q2导通，从而使得所述三极管q2的集电极为低电平信号，此时可将所述第一磁隔离电路u1的第一信号输入端via的电平从默认的高电平下拉为低电平状态，实现控制信号的状态的转换。另外，通过所述电容c2、电阻r11构成调节动作延迟时间电路，可将干扰信号滤除，避免出现由干扰信号导致的误异常保护。具体过程为，由于干扰信号的通常为高压短信号，该高压短信号可通过电容c2吸收，且不会导致三极管q2的导通，从而可减少误保护。而当所述控制器输出高电平信号时，持续输出的高电平信号可通过电容c2充电，当充电到设定电压值时，可使得三极管q2导通。当控制输出低电平信号时，电容c2的电量可通过电阻r11放电，使得所述三极管q2截止。如此，可保证三极管q2的导通或者截止到稳定性。
57.参阅图1和图2，所述带外置驱动电压控制的mos管电路还包括：第二延迟电路，第一磁隔离电路u1的第二信号输入端通过所述第二延迟电路与第二输入控制信号连接，以对所述第二输入控制信号进行控制动作时间延迟；其中，所述第二延迟时间包括：三极管q5、电容c1、电阻r4和电阻r3，所述三极管q5的基极通过电阻r1与所述第二输入控制信号端chg_muc连接，所述三极管q5的发射极与第二参考地连接，所述三极管q5的集电极与所述第一磁隔离器u1的第二信号输入端连接；所述电容c1的一端与所述三极管q5的基极连接，所述电容c1的另一端与第二参考地连接；所述电阻r4的一端与所述三极管q5的基极连接，所述电阻r4的另一端与第二参考地连接，所述电容c1、电阻r4构成调节动作延迟时间电路；所述电阻r3的一端与上拉电源连接，所述电阻r3的另一端与所述三极管q5的集电极连接。
58.具体地，如图2中所示，所述第一磁隔离电路u1的第二信号输入端在上拉电源的作用下为高电平状态，当控制器需要将所述第一磁隔离电路u1的第二信号输入端的电平下拉为低电平状态时，可通过所述控制器输出高电平信号至所述三极管q5的基极，使得所述三极管q5导通，从而使得所述三极管q5的集电极为低电平信号，此时可将所述第一磁隔离电路u1的第二信号输入端的电平从默认的高电平下拉为低电平状态，实现控制信号的状态的转换。另外，通过所述电容c1、电阻r4构成调节动作延迟时间电路，可将干扰信号滤除，避免出现由干扰信号导致的误异常保护。具体过程为，由于干扰信号的通常为高压短信号，该高压短信号可通过电容c1吸收，且不会导致三极管q5的导通，从而可减少误保护。而当所述控制器输出高电平信号时，持续输出的高电平信号可通过电容c1充电，当充电到设定电压值时，可使得三极管q5导通。当控制输出低电平信号时，电容c1的电量可通过电阻r4放电，使得所述三极管q5截止。如此，可保证三极管q5的导通或者截止到稳定性。
59.以上仅为本发明的实施例，但并不限制本发明的专利范围，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本发明说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本发明专利保护范围之内。
60.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
61.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，均在本发明的保护范围之内。