1.本发明属于mems器件技术领域，尤其涉及一种光窗及其制造方法、红外探测器。
背景技术：
2.随着技术的发展，红外探测器广泛应用于汽车、电力、航空及热成像等技术领域。红外探测器一般设有一用于光线射入内部的窗口。窗口的透光率直接影响红外探测器的探测精度。
技术实现要素：
3.根据本发明实施例的第一方面，提供一种光窗，包括：
4.光窗基底，具有第一表面；
5.多个增透微结构，多个所述增透微结构凸设于所述光窗基底的第一表面；
6.增透膜层，设于所述光窗基底的第一表面上，并包覆所述增透微结构。
7.在一些实施例中，所述膜层结构为增透膜层。
8.在一些实施例中，所述增透膜层背离所述第一表面的表面为光滑平面。
9.在一些实施例中，所述光窗用于透过预设波长范围的光线，相邻增透微结构之间的距离小于所述预设波长范围中的光线波长的最小尺寸。
10.在一些实施例中，所述增透微结构的高度为0.1μm-8μm；和/或，
11.相邻增透微结构之间的距离为0.1μm-6μm；和/或，
12.所述增透微结构横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm；和/或，
13.所述增透膜层包括位于相邻增透微结构之间的第一部分和位于所述增透微结构背离所述光窗基底一侧的第二部分，所述第二部分的厚度为0.1μm-5μm；和/或，
14.所述增透膜层的材料为zns、ybf3或baf2。
15.在一些实施例中，所述膜层结构为抗静电膜层，所述抗静电膜层的介电常数小于所述光窗基底的介电常数。
16.在一些实施例中，所述增透微结构的高度为0.1μm-8μm；和/或，
17.相邻增透微结构之间的距离为0.1μm-6μm；和/或，
18.所述增透微结构横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm；和/或，
19.所述抗静电膜层的厚度为0.1μm-5μm；和/或，
20.所述抗静电膜层的材料为sio2或al2o3。
21.在一些实施例中，所述增透微结构呈柱状；和/或，
22.所述增透微结构横截面的形状为长方形、圆形、三角形、六边形中的至少一种。
23.在一些实施例中，所述光窗包括光窗主体及位于光窗主体外围的焊接区域，所述光窗主体的第一表面设置有所述增透微结构及膜层结构，所述焊接区域的第一表面外露
24.根据本发明实施例的第二方面，提供一种红外探测器，包括探测器基底、mems器件及如上所述的光窗；所述光窗与所述探测器基底围成密封的容设腔，所述mems器件设于所
述容设腔中。
25.在一些实施例中，所述膜层结构为抗静电膜层的，所述抗静电膜层朝向所述容设腔一侧设置。
26.根据本发明实施例的第三方面，提供一种光窗的制造方法，包括：
27.形成设有多个增透微结构的光窗基底，所述光窗基底具有第一表面，所述增透微结构凸设于所述光窗基底的第一表面并间隔排布；
28.形成膜层结构，所述膜层结构设于所述光窗基底的第一表面上并包覆所述增透微结构。
29.在一些实施例中，所述形成设有多个增透微结构的光窗基底包括：
30.提供基底本体；
31.对所述基底本体的一侧进行刻蚀，形成具有第一表面的光窗基底及设于光窗基底第一表面并间隔排布的多个增透微结构。
32.在一些实施例中，所述膜层结构为增透膜层，所述增透膜层背离所述第一表面的表面为光滑平面。
33.在一些实施例中，所述形成膜层结构包括：
34.在所述光窗基底的第一表面所在一侧形成增透材料层；
35.采用化学机械抛光工艺，对所述增透材料层背离所述第一表面的一侧进行处理形成光滑平面。
36.在一些实施例中，所述光窗用于透过预设波长范围的光线，相邻增透微结构之间的距离小于所述预设波长范围中的光线波长的最小尺寸。
37.在一些实施例中，所述增透微结构的高度为0.1μm-8μm；和/或，
38.相邻增透微结构之间的距离为0.1μm-6μm；和/或，
39.所述增透微结构横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm；和/或，
40.所述增透膜层的厚度为0.1μm-5μm；和/或，
41.所述增透膜层的材料为zns、ybf3或baf2。
42.在一些实施例中，所述膜层结构为抗静电膜层，所述抗静电膜层的介电常数小于所述光窗基底的介电常数。
43.在一些实施例中，所述增透微结构的高度为0.1μm-8μm；和/或，
44.相邻增透微结构之间的距离为0.1μm-6μm；和/或，
45.所述增透微结构横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm；和/或，
46.所述抗静电膜层的厚度为0.1μm-5μm；和/或，
47.所述抗静电膜层的材料为sio2或al2o3。
48.在一些实施例中，所述增透微结构呈柱状；和/或，
49.所述增透微结构横截面的形状为长方形、圆形、三角形、六边形中的至少一种。
50.基于上述技术方案，上述光窗，通过在光窗基底的第一表面形成增透微结构，并在光窗基底第一表面之上形成包覆增透微结构的膜层结构，从而能够很好地提高光窗的光线透过率，提高具有该光窗的红外探测器的探测精度，有利于提高具有该类光窗的红外探测器的探测精度，同时膜层结构的设置，还能够对所述增透结构进行很好的防护。
附图说明
51.图1为本发明的一实施例提供的一种红外探测器的剖视图；
52.图2为本发明的一实施例提供的一种光窗的剖视图；
53.图3为本发明的一实施例提供的一种光窗及设有增透微结构的光窗基底的结构组图；
54.图4为本发明的一实施例提供的一种设有增透微结构的光窗基底的局部放大结构图；
55.图5为本发明的一实施例提供的一种光窗的光线透光率曲线图；
56.图6为本发明的一实施例提供的另一种红外探测器的剖视图；
57.图7为本发明的一实施例提供的另一种光窗的剖视图；
58.图8为本发明的一实施例提供的又一种光窗的剖视图；
59.图9为本发明的一实施例提供的一种光窗的制造流程图；
60.图10至图13为本发明的一实施例提供的一种光窗的制备工艺图；
61.图14为本发明的一实施例提供的另一种光窗的一制备工艺图；
62.图15为本发明的一实施例提供的又一种光窗的一制备工艺图；
63.图16为图15所示光窗与焊料组合的剖视图。
具体实施方式
64.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。在本发明使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。
65.本申提供一种光窗及其制造方法、红外探测器。所述光窗包括光窗基底、多个增透微结构及膜层结构。所述光窗基底具有第一表面。所述增透微结构间隔凸设于所述光窗基底的第一表面。所述膜层结构设于所述光窗基底的第一表面上，并包覆所述增透微结构。上述光窗，通过在光窗基底的第一表面形成增透微结构，并在光窗基底第一表面之上形成包覆增透微结构的增透膜层，从而能够很好地提高光窗的光线透过率，有利于提高具有该类光窗的红外探测器的探测精度，同时膜层结构的设置，还能够对所述增透微结构进行很好的防护，避免增透微结构磨损，并且使得光窗设有增透微结构的一侧表面可清洁，避免光窗表面灰尘等异物对成像影响。
66.下面结合图1至图16对所述光窗及其制造方法、红外探测器进行详细描述。
67.请参照图1，并在必要时结合图2至图5所示，图1为本技术提供一种红外探测器100，该红外探测器100包括探测器基底20、mems器件30及光窗10。所述光窗10与所述探测器基底20可通过焊料40连接并围成密封的容设腔101，所述mems器件30设于所述容设腔101中。该mems器件30可以设于探测器基底20之上。
68.该红外探测器100可以用于探测气体，比如可用于乙醇、乙烯、氨气等气体的探测。该红外探测器100可以用于探测一种或多种气体。
69.该红外探测器100对环境中的气体进行探测时，基于不同气体光谱吸收峰不一样(比如乙醇吸收峰波长9.5um，氨气吸收峰波长10.3um，乙烯吸收峰波长11.2um)，穿过气体
后进入红外探测器100内的光线不同，从而内部的mems器件能够探测到的穿过气体后的光线，进而确定所探测到的具体气体。通过调整光窗10的特定波段的光线透过率，能够更好地提高红外探测器100探测特定波长气体的探测精度。
70.请结合图2至图4所示，为了提高光窗10光线的透过率，这里将光窗10设置为包括光窗基底11、多个增透微结构12及膜层结构13。这里膜层结构可以增透膜层131，该增透膜层131在对增透微结构12进行防护的同时，还能够进一步增加光线透过率。增透膜层131可以根据所需透射的光线的波段，选择具体的材料并设置相应地厚度以增加所需透射的光线的透过率。
71.光窗基底11具有第一表面s1。多个增透微结构12凸设于所述光窗基底11的第一表面s1，并且间隔排布。增透膜层131设于所述光窗基底11的第一表面s1上并包覆所述增透微结构12。
72.在一些实施例中，多个增透微结构12在第一表面s1上呈阵列排布。这里所说的阵列排布可以为按行列均匀间隔的排布方式进行排布。
73.这里光窗基底11和增透微结构12可以为通过同一个晶圆刻蚀形成的一个整体结构。光窗基底11和增透微结构12的材质可以为硅(si)，也可以为锗(ge)。当然，在其它实施例中，也可以为其他材质。
74.当然，该光窗基底11和增透微结构12，也可以通过在一光窗基底11的第一表面s1生长另一增透膜层，并通过对该增透膜层进行刻蚀等处理而形成位于光窗基底11的第一表面s1的增透微结构12。这类方法中，光窗基底11和增透微结构12的材料可以不同，比如，增透微结构12的材料可以是金属金(au)等金属材料，也可以是氮化硅(sin)等非金属材料或无机材料。
75.在一些实施例中，所述增透微结构12为通过刻蚀所形成的浮雕结构。
76.这里所说的多个增透微结构12分别间隔设置，相邻增透微结构12之间具有间隔121。第一表面s1可自间隔121外露。
77.在一些实施例中，所述增透膜层131包括位于相邻增透微结构12之间的第一部分1301和位于所述增透微结构12背离所述光窗基底一侧的第二部分1302。
78.请结合图2和图3所示，增透膜层131的第一部分1301填充于间隔121中，第二部分1302位于增透微结构12背离光窗基底11的一侧。该第二部分1302包覆增透微结构12背离光窗基底11一侧的表面，第一部分1301包覆增透微结构12的侧壁面。
79.这里增透膜层131的材质可以为zns、ybf3、baf2等低折射率材料。增透膜层131的具体材料可以根据具体需要进行选定。
80.可以理解的是，在其它一些实施例中，所述增透膜层也可仅包括位于相邻增透微结构之间的第一部分，该第一部分背离光窗基底11一侧的表面与增透微结构背离光窗基底一侧的表面齐平。相应地，增透膜层包覆增透微结构的侧壁面。
81.可以理解的是，这里光窗10设于红外探测器100中时，光窗10的增透膜层131可设于朝向外侧。如此，该光窗10的设置，使得光线自外部穿过光窗10的增透膜层131得到首次增透，并在经过增透微结构12时光线产生透射和反射衍射进一步实现减少反射增加透射的效果，从而更好地提高光窗的光线透过率。
82.在一些实施例中，所述增透膜层131背离所述第一表面s1的表面s2为光滑平面，从
而能够减小或避免由于增透膜层的表面s2不够平滑而导致的光线反射等情况的发生，更有利于提高光窗10的光线的透过率。
83.可以理解的是，增透微结构12的形状、增透微结构12的大小、相邻增透微结构12之间的距离、以及增透膜层131的材料种类及其厚度等均可对光窗10的光线透过率具有影响，具体可以根据需要进行设定。
84.在一些实施例中，所述光窗10用于透过预设波长范围的光线，相邻增透微结构12之间的距离l小于所述预设波长范围中的光线波长的最小尺寸，以使得光线进入增透微结构12所在的结构层中，能够实现较高的透过率，从而很好地提高光窗的透过率。
85.比如，请结合图4所示，在一些实施例中，光窗10可设置为用于透过预设波长范围为8μm-14μm的光线，其相邻增透微结构12之间的距离l设置为小于8μm。再比如，在一些实施例中，相邻增透微结构12之间的距离为0.1μm-6μm，能够更好地实现减反增透的效果，从而很好地提高光窗的透过率。
86.在一些实施例中，所述增透微结构12的高度为0.1μm-8μm。
87.在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm。
88.在一些实施例中，所述增透膜层131的第二部分1302的厚度为0.1μm-5μm。
89.具体地，相邻增透微结构12之间的距离、增透微结构12的高度、横截面尺寸、增透膜层131的材料及厚度等可根据具体需要进行设置。
90.请结合图5所示，举例而言，以增透膜层131的材质zns为例，对8μm-14μm波长范围的光线的透过率，不具有增透微结构的光窗的通过率低于60％，而具有增透微结构的光窗的透过率达到70％以上，且大部分在85％以上。可见，具有增透微结构的光窗10的透过率明显大于不具有增透微结构的光窗的透过率。并且，具有增透微结构而增透膜层131厚度不同的，其对应光窗所对应的光线的透过率也不相同，基于此，对于具体的窗口而言，可以根据具体需要透过的光线波长范围，而设定该波长范围透过率较好的增透膜层131的厚度。
91.可以理解的是，本技术所说的增透微结构12可以为如图2至图4所示的呈凸起状的柱状结构，比如圆柱、立方体柱或其他柱状结构。在其它实施例中，也可以为其它形状的规则或不规则的凸起结构。
92.相应地，在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的形状为长方形、圆形、三角形、六边形中的至少一种。
93.比如，请结合图4所示，该增透微结构12横截面的形状为圆形。该横截面为圆形的柱状增透微结构12，能够更好地实现增透效果。
94.此外，该增透微结构横截面的形状还可以为其它规则或不规则的形状。
95.请结合图6至图8所示，本技术提供另一种红外探测器200。该红外探测器200包括探测器基底20、mems器件30及光窗50。所述光窗50与所述探测器基底20可通过焊料40连接并围成密封的容设腔101，所述mems器件30设于所述容设腔101中。该mems器件30可以设于探测器基底20之上。该红外探测器200的大部分结构与上述红外探测器200中的对应结构相同，可以参照上述相关描述。
96.不同的是，这里光窗50中的膜层结构13为抗静电膜层132。且膜层结构13背离光窗基底11的一侧表面随增透微结构12呈起伏状。且该光窗50的抗静电膜层132朝向所述容设腔101一侧设置。
97.该膜层结构13为抗静电膜层132的设置，使得抗静电膜层132在对增透微结构12进行防护的同时，还能够进一步减小光窗表面静电积累，提高红外探测器200的抗静电能力。
98.可以理解的是，所述抗静电膜层132的介电常数小于所述光窗基底11的介电常数。
99.比如，该抗静电膜层132可以选用介电常数较小的材料sio2或al2o3等材料形成。
100.采用此类材料形成的抗静电膜层，还可同时根据需要透射的光线的波长等条件设置抗静电膜层的厚度，使得抗静电膜层同时还能起到不影响光线透射率甚至能够起到增透作用。
101.请结合图7和图8所示，在一些实施例中，所述增透微结构12的高度h1可以根据需要设置为为0.1μm-8μm范围内的高度值。
102.请继续结合图7和图8所示，在一些实施例中，相邻增透微结构12之间的距离l1为0.1μm-6μm。
103.请继续结合图7和图8所示，在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm。
104.请继续结合图7和图8所示，在一些实施例中，所述增透微结构12呈柱状。
105.在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的形状为长方形、圆形、三角形、六边形中的至少一种。
106.该光窗50中的光窗基底11及增透微结构12与上述光窗10中的光窗基底和增透微结构12的具体结构及材料、尺寸等相同，可参照上述相关描述。
107.请继续结合图7和图8所示，在一些实施例中，所述抗静电膜层132的厚度d2为0.1μm-5μm。这里抗静电膜层132位于光窗基底11露出的第一表面s1的部分，与覆盖增透微结构12顶部的部分厚度相同。当然，在其它一些实施例中，也可以不相同。
108.在一些实施例中，请结合图7所示，所述光窗51包括光窗主体1001及位于光窗主体1001外围的焊接区域1002，所述光窗主体1001的第一表面s1设置有所述增透微结构12及抗静电膜层132。所述焊接区域1002的第一表面s1外露，以能够更好地与焊料40进行焊接。
109.可以理解的是，mems器件30红外探测器200厚度t上的正投影在光窗主体1001在红外探测器200厚度t上的正投影范围内。
110.当然，请结合图8所示，在其它实施例中，光窗50可以为焊接区域1002的第一表面s1不外露的光窗51。焊接区域1002相应包覆有抗静电膜层132。
111.可以理解的是，上述光窗10的第一表面s1朝向容设腔101的，也可以采用这种在焊接区域不设置增透微结构和膜层结构的方式。
112.此外，可以理解的是，需要说明的是，在其它一些实施例中，膜层结构还可以是其它不影响光窗透光或者对光窗透光影响较小的其它具有防护作用的膜层。
113.请参照图9，并在必要时结合图10至图13以及图2至图4所示，本技术另提供一种光窗10的制造方法，所述制造方法包括如下步骤s101至步骤s103：
114.在步骤s101中，形成设有多个增透微结构的光窗基底，所述光窗基底具有第一表面，多个所述增透微结构间隔凸设于所述光窗基底的第一表面；
115.在步骤s103中，形成膜层结构，所述膜层结构设于所述光窗基底的第一表面上并包覆所述增透微结构。
116.在一些实施例中，光窗基底11和增透微结构12为通过同一个晶圆刻蚀形成的一个
整体结构。光窗基底11和增透微结构12的材质可以为硅(si)，也可以为锗(ge)。当然，在其它实施例中，也可以为其他材质。
117.相应地，步骤s101中形成设有多个增透微结构的光窗基底可包括如下步骤s1011和步骤s1013：
118.在步骤s1011中，提供基底本体；
119.在步骤s1013中，对所述基底本体的一侧进行刻蚀，形成具有第一表面的光窗基底及设于光窗基底第一表面并间隔排布的多个增透微结构。在步骤s1011中，提供基底本体110。
120.在一些实施例中，该基底本体110可以为一晶圆，比如材料为硅(si)或锗(ge)的晶圆。
121.请结合图11所示，在步骤s1013中，对所述基底本体110的一侧进行刻蚀，从而形成具有第一表面s1的光窗基底11及设于光窗基底11第一表面s1并间隔排布的多个增透微结构12，所述增透微结构12呈柱状。
122.这里可以采用干法刻蚀的方式形成增透微结构12。
123.在另一些实施例中，该光窗基底11和增透微结构12，通过在一光窗基底11的第一表面s1生长另一膜层，并通过对该膜层进行刻蚀等处理而形成位于光窗基底11的第一表面s1的增透微结构12。这类方法中，光窗基底11和增透微结构12的材料可以不同，比如，增透微结构12的材料可以是金属金(au)等金属材料，也可以是氮化硅(sin)等非金属材料或无机材料。
124.可以理解的是，对于该基底本体由一层光窗基底以及生长于该光窗基底上的另一膜层形成的结构，可直接提供光窗基底，再在光窗基底上生长另一用于形成增透微结构的增透膜层，并对所生长的增透膜层进行刻蚀，从而形成间隔排布的增透微结构。也即，步骤s101中形成设有多个增透微结构的光窗基底可包括如下步骤s1015和步骤s1017：
125.在步骤s1015中，提供具有第一表面的光窗基底；
126.在步骤s1017中，在光窗基底的第一表面上生长用于形成增透微结构的增透膜层，并对所生长的增透膜层进行刻蚀，形成间隔排布的增透微结构。
127.这里所说的光窗基底具体可为一晶圆。
128.在步骤s103中，形成膜层结构13，所述膜层结构13设于所述光窗基底11的第一表面s1上，且部分包覆多个所述增透微结构12。
129.在一些实施例中，所述增透膜层131包括位于相邻增透微结构12之间的第一部分1301和位于所述增透微结构12背离所述光窗基底一侧的第二部分1302。
130.这里增透膜层131的材质可以为zns、ybf3、baf2等低折射率材料。增透膜层131的具体材料可以根据具体需要进行选定。
131.可以理解的是，在其它一些实施例中，所述增透膜层也可仅包括位于相邻增透微结构之间的第一部分，该第一部分背离光窗基底11一侧的表面与增透微结构背离光窗基底一侧的表面齐平。相应地，增透膜层包覆增透微结构的侧壁面。
132.请结合图13所示，在一些实施例中，所述增透膜层131背离所述第一表面s1的表面为光滑平面，从而能够减小或避免由于增透膜层的表面s2不够平滑而导致的光线反射等情况的发生，更有利于提高光窗10的光线的透过率。
133.相应地，在一些实施例中，步骤s103中所述的形成增透膜层可具体包括如下步骤s1031和步骤s1032：
134.在步骤s1031中，在所述光窗基底的第一表面所在一侧形成增透材料层。
135.在步骤s1032中，采用化学机械抛光工艺，对所述增透材料层背离所述第一表面的一侧进行处理形成光滑平面。
136.比如，请结合图12和图13，在步骤s1031中，在所述光窗基底11的第一表面s1所在一侧形成增透材料层130。该增透材料层130能够填充于相邻增透微结构12的间隔121中以及包覆增透微结构12背离光窗基底11的一侧。
137.在步骤s1032中，采用化学机械抛光工艺，对所述增透材料层130背离所述第一表面s1的一侧进行处理形成光滑平面s2。
138.可以理解的是，增透微结构12的形状、增透微结构12的大小、相邻增透微结构12之间的距离、以及增透膜层131的材料种类及其厚度等均可对光窗10的光线透过率具有影响，具体可以根据需要进行设定，以将增透结构12的形状设置为预设形状、增透微结构12设置为预设尺寸、相邻增透微结构12之间的距离设置为预设距离、增透膜层131采用预设材料，并设置为具有预设厚度，以满足特定光线波长范围的光线的透过率。
139.在一些实施例中，所述光窗10用于透过预设波长范围的光线，相邻增透微结构12之间的距离l小于所述预设波长范围中的光线波长的最小尺寸，以使得光线进入增透微结构12所在的结构层中，只产生零级的透射和反射衍射，能够实现更好地减反增透的效果，从而很好地提高光窗的透过率。
140.比如，请结合图4所示，在一些实施例中，光窗10可设置为用于透过预设波长范围为8μm-14μm的光线，其相邻增透微结构12之间的距离l设置为小于8μm。再比如，在一些实施例中，相邻增透微结构12之间的距离为0.1μm-6μm，能够更好地实现减反增透的效果，从而很好地提高光窗的透过率。
141.在一些实施例中，所述增透微结构12的高度为0.1μm-8μm。
142.在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的径向尺寸为0.1μm-8μm。
143.在一些实施例中，所述增透膜层131的第二部分1302的厚度为0.1μm-5μm。
144.可以理解的是，本技术所说的增透微结构12可以为如图2至图4所示的呈凸起状的柱状结构，比如圆柱、立方体柱或其他柱状结构。在其它实施例中，也可以为其它形状的规则或不规则的凸起结构。
145.相应地，在一些实施例中，所述增透微结构12横截面的形状为长方形、圆形、三角形、六边形中的至少一种。
146.比如，请结合图4所示，该增透微结构12横截面的形状为圆形。该横截面为圆形的柱状增透微结构12，能够更好地实现增透效果。
147.此外，该增透微结构横截面的形状还可以为其它规则或不规则的形状。
148.基于上述技术方案，所形成的光窗10，通过在光窗基底11一侧形成增透微结构12，并在光窗基底11第一表面s1一侧形成包覆增透微结构12的增透膜层131，从而能够很好地提高光窗10对于特定光波范围的光线透过率。
149.请结合图9、图14至图16所示，并在必要时结合图10和图11所示，对于红外探测器200中的光窗50，其制备方法与上述光窗10的制备方法大致相同，相同之处可以参照上述相
关描述。比如，在步骤s101中，形成设有多个增透微结构的光窗基底，所述光窗基底具有第一表面，多个所述增透微结构间隔凸设于所述光窗基底的第一表面。该步骤s101的具体方法及相应结构与上述光窗10的制备方法中的步骤s101相同，可参照上述描述。
150.不同的是，在步骤s103中形成膜层结构13时，该实施例中采用的是抗静电膜层材料，所形成的为抗静电膜层132(请结合图14所示)。并且，不需要进行抛光处理。
151.该抗静电膜层132可以采用沉积的方式形成。
152.该抗静电膜层132在对增透微结构12进行防护的同时，还能够进一步减小光窗表面静电积累，提高红外探测器200的抗静电能力。
153.可以理解的是，所述抗静电膜层132的介电常数小于所述光窗基底11的介电常数。
154.比如，该抗静电膜层132可以选用介电常数较小的材料sio2或al2o3等材料形成。
155.采用此类材料形成的抗静电膜层，还可同时根据需要透射的光线的波长等条件设置抗静电膜层的厚度，使得抗静电膜层同时还能起到不影响光线透射率甚至能够起到增透作用。
156.需要说明的是，对于所述光窗包括光窗主体1001及位于光窗主体1001外围的焊接区域1002，所述光窗主体1001的第一表面s1设置有所述增透微结构12及抗静电膜层132的。请结合图14和图15所示，在形成如图14所示的光窗52后，可以对焊接区域1002处的抗静电膜层进行去除，形成如图15所示的光窗51。
157.此外，需要说明的是，如图16所示，在制备如图15所示的光窗51后，可以在焊接区域1002处设置焊料，以用于后续与探测器基底20进行焊接。在本技术中，所述结构实施例与方法实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。
158.本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本发明所必须的。以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。