1.本发明涉及显示技术领域，更为具体地说，涉及一种像素电路及其驱动方法和显示装置。
背景技术：
2.随着显示技术的发展，显示装置的应用越来越普遍，已经逐渐应用到人们的日常工作和生活中。其中，oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示装置、micro-led(micro light emitting diode display，微发光二极管显示器)等自发光显示装置，由于具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，成为显示领域的主流趋势。
3.显示装置的边框区域包括有驱动电路，及显示装置的显示区域包括有多个像素单元，每个像素单元均包括有像素电路及与像素电路电连接的发光元件，其中，像素电路与边框区域处的驱动电路电连接，驱动电路为像素电路提供使能信号等，以控制像素电路的驱动晶体管为发光元件提供驱动电流。但是，目前像素电路驱动晶体管生成的驱动电流有偏差，造成发光元件的亮度出现偏差，影响显示装置的显示效果。
技术实现要素：
4.有鉴于此，本发明提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，有效解决现有技术存在的技术问题，通过阈值电压检测模块能够获取驱动晶体管的阈值电压，进而能够根据该阈值电压对像素电路接入的数据电压进行补偿，提高驱动晶体管生成驱动电流的准确性，提高显示装置的显示效果。
5.为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
6.一种像素电路，包括：
7.驱动晶体管，所述驱动晶体管的第一端与电源电压端电连接；
8.连接模块，所述连接模块的第一端与所述驱动晶体管的栅极电连接，所述连接模块的第二端与所述驱动晶体管的第二端电连接；
9.所述连接模块用于在电压抓取阶段响应连接控制信号的使能，将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端相连通；所述驱动晶体管在所述电压抓取阶段导通；
10.阈值电压检测模块，所述阈值电压检测模块与所述驱动晶体管的第二端电连接，用于在阈值电压检测阶段获取所述驱动晶体管的阈值电压，其中，所述阈值电压检测阶段包括所述电压抓取阶段。
11.相应的，本发明还提供了一种驱动方法，所述驱动方法用于驱动上述的像素电路，所述驱动方法包括：
12.所述连接模块在电压抓取阶段响应所述连接控制信号的使能，将所述驱动晶体管的栅极和所述驱动晶体管的第二端相连通；同时所述驱动晶体管在所述电压抓取阶段导通；
13.在阈值电压检测阶段时，所述阈值电压检测模块获取所述驱动晶体管的阈值电压，其中，所述阈值电压检测阶段包括所述电压抓取阶。
14.相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的像素电路。
15.相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
16.本发明提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，通过阈值电压检测模块能够获取驱动晶体管的阈值电压，进而能够根据该阈值电压对像素电路接入的数据电压进行补偿，提高驱动晶体管生成驱动电流的准确性，提高显示装置的显示效果。
附图说明
17.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
18.图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
19.图2为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
20.图3为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
21.图4为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
22.图5为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
23.图6为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
24.图7为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
25.图8为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
26.图9为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
27.图10为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
28.图11为本发明实施例提供的一种驱动方法的流程图；
29.图12为本发明实施例提供的一种时序图；
30.图13为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
31.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
32.正如背景技术所述，显示装置的边框区域包括有驱动电路，及显示装置的显示区域包括有多个像素单元，每个像素单元均包括有像素电路及与像素电路电连接的发光元件，其中，像素电路与边框区域处的驱动电路电连接，驱动电路为像素电路提供使能信号等，以控制像素电路的驱动晶体管为发光元件提供驱动电流。但是，目前像素电路并没有对驱动晶体管进行阈值检测的功能，因此无法根据驱动晶体管的阈值电压对数据电压进行补偿，使得驱动晶体管生成的驱动电流有偏差，造成发光元件的亮度出现偏差，影响显示装置的显示效果。
33.基于此，本发明实施例提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，有效解决现有技术存在的技术问题，通过阈值电压检测模块能够获取驱动晶体管的阈值电压，进而能够根据该阈值电压对像素电路接入的数据电压进行补偿，提高驱动晶体管生成驱动电流的准确性，提高显示装置的显示效果。
34.为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图13对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
35.结合图1和图2所示，图1为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图，图2为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构示意图，其中，像素电路包括：驱动晶体管m0，驱动晶体管m0的第一端与电源电压端pvdd电连接。连接模块100，连接模块100的第一端与驱动晶体管m0的栅极电连接，连接模块100的第二端与驱动晶体管m0的第二端电连接。连接模块100用于在电压抓取阶段响应连接控制信号sj的使能，将驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端相连通；驱动晶体管m0在电压抓取阶段导通。阈值电压检测模块200，阈值电压检测模块200与驱动晶体管m0的第二端电连接，用于在阈值电压检测阶段获取驱动晶体管m0的阈值电压，其中，阈值电压检测阶段包括电压抓取阶段。
36.可以理解的，本发明实施例提供的像素电路，在电压抓取阶段时，驱动晶体管m0导通，同时连接模块100将驱动晶体管m0的栅极及其第二端电连接，进而，电源电压端pvdd输出的电源电压vp将流经驱动晶体管m0和连接模块100，而传输至驱动晶体管m0的栅极处，最终使得驱动晶体管m0的栅极处的电压为电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth。由于驱动晶体管m0的栅极及其第二端相连通，并且电源电压vp为固定电压值，故而，阈值电压检测模块200能够在电压差值vp-vth中获取驱动晶体管m0的阈值电压vth。
37.需要说明的是，本发明实施例提供的阈值电压检测模块200可以直接与驱动晶体管m0的第二端相连，如图2所示的像素电路结构；或者，阈值电压检测模块200还可以间接与驱动晶体管m0的第二端相连，如图1所示像素电路，如阈值电压检测模块200与连接模块100的第一端相连，阈值电压检测模块200通过连接模块100与驱动晶体管m0的第二端相连，对此本发明不做具体限制。
38.本发明实施例提供的阈值电压检测阶段可以等同于电压抓取阶段，即在电压抓取阶段进行的同时，阈值电压检测模块200同步获取驱动晶体管m0的阈值电压vth；或者，阈值电压检测阶段包括多个子阶段，电压抓取阶段为其中之一个子阶段，如阈值电压检测模块200在电压抓取阶段的子阶段进行电压存储的处理，而阈值电压检测模块200在之后的子阶段自电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth中获取该阈值电压vth，对此需要根据阈值电压检测模块200的电路类型进行具体分析，本发明同样不做具体限制。
39.由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，通过阈值电压检测模块200能够获取驱动晶体管m0的阈值电压vth，进而能够根据该阈值电压vth对像素电路进行优化处理，以提高像素电路的性能。具体如能够根据该阈值电压vth对像素电路接入的数据电压进行补偿，提高驱动晶体管m0生成驱动电流的准确性，保证发光元件的出光符合预期，提高显示装置的显示效果。
40.参考图3所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，其中，本发
明实施例提供的阈值电压检测模块200包括电压检测单元210和电压存储单元220。电压存储单元200与驱动晶体管m0的第二端电连接，电压存储单元200用于在电压抓取阶段时存储驱动晶体管m0的第二端输出的电压。电压检测单元210与电压存储单元220电连接，电压检测单元210用于自电压存储单元220的存储电压中获取阈值电压vth。
41.继续如图3所示，本发明实施例提供的阈值电压检测模块200包括电压检测单元210和电压存储单元220，电压存储单元220将驱动晶体管m0的第二端输出的电压存储后，电压检测单元210在存储电压中获取阈值电压vth；故而，阈值电压检测阶段实质是包括两个子阶段，其中之一为电压抓取阶段，另一个为电压提取阶段；具体的，在电压抓取阶段时，驱动晶体管m0导通，同时连接模块100将驱动晶体管m0的栅极及其第二端电连接，电源电压vp流经驱动晶体管m0和连接模块100而传输至驱动晶体管m0的栅极处，使得驱动晶体管m0的栅极处的电压为电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth，同时，电压存储单元220将该电压差值vp-vth存储。而后在电压提取阶段，电压检测单元210自电压存储单元220存储的电压差值vp-vth中提取该阈值电压vth，由此完成获取阈值电压vth的过程。
42.在本发明一实施例中，本发明提供的电压存储单元220可以与驱动晶体管m0的第二端间接相连。继续如图3所示，本发明实施例提供的电压存储单元220通过连接模块100与驱动晶体管m0的第二端电连接，其中，存储单元220与连接模块100的第一端电连接，驱动晶体管m0的第二端输出电压流经连接模块100后由存储单元220存储，而后通过电压检测单元210自存储电压中提取阈值电压vth，由此完成获取阈值电压vth的过程。
43.参考图4所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，其中，本发明实施例提供的电压存储单元220包括电压存储电容cst1，电压存储电容cst1的第一端与连接模块100的第一端电连接，电压存储电容cst1的第二端接入第一参考电压vref11；电压检测单元210与电压存储电容cst1的第一端电连接。
44.继续如图4所示，在电压抓取阶段时，驱动晶体管m0导通，同时连接模块100将驱动晶体管m0的栅极及其第二端电连接，电源电压vp流经驱动晶体管m0和连接模块100而传输至驱动晶体管m0的栅极处，使得驱动晶体管m0的栅极处的电压为电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth，同时，电压存储电容cst1将该电压差值vp-vth存储。而后在电压提取阶段，电压检测单元210自电压存储电容cst1存储的电压差值vp-vth中提取该阈值电压vth，由此完成获取阈值电压vth的过程。
45.在本发明一实施例中，本发明提供的电压存储单元220还可以与驱动晶体管m0的第二端直接相连。参考图5所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，其中，电压存储单元220直接与驱动晶体管m0的第二端电连接，电压存储单元220将驱动晶体管m0的第二端输出电压直接存储而无需流经连接模块100，避免了电压流经连接模块100时出现的损耗问题，提高电压存储单元220存储电压的精度。而后通过电压检测单元210自存储电压中提取阈值电压vth，由此完成获取阈值电压vth的过程，保证获取的阈值电压vth的精确度高。
46.参考图6所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，本发明实施例提供的电压存储单元220包括电压存储电容cst2，电压存储电容cst2的第一端直接与驱动晶体管m0的第二端电连接，电压存储电容cst2的第二端在阈值电压检测阶段接入第一参
考电压vref12且在控制发光阶段浮置；电压检测单元210与电压存储电容cst2的第一端电连接。
47.继续如图6所示，在电压抓取阶段时，驱动晶体管m0导通，同时连接模块100将驱动晶体管m0的栅极及其第二端电连接，电源电压vp流经驱动晶体管m0和连接模块100而传输至驱动晶体管m0的栅极处，使得驱动晶体管m0的栅极处的电压为电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth，同时，电压存储电容cst2将该电压差值vp-vth存储。而后在电压提取阶段，电压检测单元210自电压存储电容cst2存储的电压差值vp-vth中提取该阈值电压vth，由此完成获取阈值电压vth的过程。此外，本发明实施例提供的电压存储电容cst2的第一端与驱动晶体管m0的第二端直接相连，在像素电路的发光控制阶段，电压存储电容cst2的第二端处于浮置状态，即不接入任何电压，避免电压存储电容cst2对驱动晶体管m0生成驱动电流时造成影响。
48.参考图7所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，其中，本发明实施例提供的像素电路还包括电压保持电容cn，电压保持电容cn的第一端接入第二参考电压vref2，电压保持电容cn的第二端与驱动晶体管m0的栅极电连接，通过电压保持电容cn对驱动晶体管m0的栅极处电压进行保持，以保证在对驱动晶体管m0的栅极进行复位后，通过电压保持电容cn保持的复位电压能够在电压抓取阶段控制驱动晶体管m0导通。
49.在本发明一实施例中，本发明提供的电压保持电容的电容量大于电压存储电容的电容量。可以理解的，将电压保持电容的电容量设置为较大，进而能够提高电压保持电容对电压维持的性能；以及，将电压存储电容的电容量设置为较小，能够提高电压存储电容的充放电效率，进而提高阈值电压检测模块的检测效率。
50.参考图8所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，本发明实施例提供的第二参考电压vref2与电源电压端pvdd的电压为同一电压，进而能够减少像素电路的电压端数量，简化像素电路的布线。
51.参考图9所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，本发明实施例提供的像素电路包括：复位模块300，复位模块300的第一端接入复位电压vf，复位模块300的第二端与驱动晶体管m0的栅极电连接，复位模块300用于响应复位控制信号sf的使能，将复位电压vf传输至驱动晶体管m0的栅极。数据写入模块400，数据写入模块400的第一端接入数据电压vdata，数据写入模块400的第二端与驱动晶体管m0的栅极电连接，数据写入模块400用于响应数据控制信号sx的使能，将数据电压vdata传输至驱动晶体管m0的栅极，其中，数据电压vdata为补偿阈值电压vth后的电压；对此可以通过数据处理单元完成将阈值电压vth补偿至数据电压vdata的过程，即数据处理单元与阈值电压检测模块和数据电压端电连接，数据处理单元接收阈值电压检测模块获取的阈值电压，并将其补偿至数据电压端输出的数据电压中。发光控制模块500，发光控制模块500的第一端与驱动晶体管m0的第二端电连接，发光控制模块500的第二端与发光元件600的第一端电连接，发光元件600的第二端与阴极电压端vee电连接，发光控制模块500用于响应发光控制信号sg，将驱动晶体管m0生成的驱动信号传输至发光元件600。
52.可选的，本发明实施例提供的第一参考电压与阴极电压端的电压可以为同一电压，进而能够减少像素电路的电压端数量，简化像素电路的布线。
53.进一步参考图10所示，为本发明实施例提供的又一种像素电路的结构示意图，本
发明实施例提供的复位模块300包括复位晶体管mf，复位晶体管mf的第一端接入复位电压vf，复位晶体管mf的第二端与驱动晶体管m0的栅极电连接，复位晶体管mf的栅极接入复位控制信号sf。连接模块100包括连接晶体管mj，连接晶体管mj的第一端与驱动晶体管m0的栅极电连接，连接晶体管mj的第二端与驱动晶体管m0的第二端电连接，连接晶体管mj的栅极接入连接控制信号sj。数据写入模块400包括数据写入晶体管mx，数据写入晶体管mx的第一端接入数据电压vdata，数据写入晶体管mx的第二端与驱动晶体管m0的栅极电连接，数据写入晶体管mx的栅极接入数据控制信号sx。发光控制模块500包括发光控制晶体管mg，发光控制晶体管mg的第一端与驱动晶体管m0的第二端电连接，发光控制晶体管mg的第二端与发光元件600的第一端电连接，发光控制晶体管mg的栅极接入发光控制信号sg。
54.需要说明的是，本发明实施例提供的驱动晶体管、复位晶体管、数据写入晶体管、连接晶体管和发光控制晶体管中任意一者可以为p型晶体管或n型晶体管，对此本发明不做具体限制，需要根据实际应用进行具体选取。
55.相应的，本发明实施例还提供了一种驱动方法，驱动方法用于驱动上述任意一实施例提供的像素电路，驱动方法包括：
56.连接模块在电压抓取阶段响应连接控制信号的使能，将驱动晶体管的栅极和驱动晶体管的第二端相连通；同时驱动晶体管在电压抓取阶段导通。
57.在阈值电压检测阶段时，阈值电压检测模块获取驱动晶体管的阈值电压，其中，阈值电压检测阶段包括电压抓取阶段。
58.可以理解的，本发明实施例提供的像素电路，在电压抓取阶段时，驱动晶体管导通，同时连接模块将驱动晶体管的栅极及其第二端电连接，进而，电源电压端输出的电源电压将流经驱动晶体管和连接模块，而传输至驱动晶体管的栅极处，最终使得驱动晶体管的栅极处的电压为电源电压减去驱动晶体管的阈值电压的电压差值。由于驱动晶体管的栅极及其第二端相连通，并且电源电压为固定电压值，故而，阈值电压检测模块能够在电压差值中获取驱动晶体管的阈值电压。
59.结合图9对本发明实施例提供的驱动方法进行更详细的描述。其中，本发明实施例提供的像素电路包括复位模块300、数据写入模块400和发光控制模块500，驱动方法包括依次进行的第一复位阶段、阈值电压检测阶段、第二复位阶段和控制发光阶段；
60.在第一复位阶段时，复位模块300将复位电压vf传输至驱动晶体管m0的栅极；同时，连接模块100响应连接控制信号sj的使能，将驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端相连通，因此，复位电压vf通过连接模块100传输至驱动晶体管m0的第二端，以对驱动晶体管m0的栅极和其第二端进行复位。
61.在阈值电压检测阶段时，电压保持电容cn维持驱动晶体管m0的栅极处电压为复位电压vf，因此复位电压vf能够控制驱动晶体管m0导通，同时连接模块100响应连接控制信号sj的使能，将驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端相连通，阈值电压检测模块200获取驱动晶体管m0的阈值电压vth。
62.在第二复位阶段时，复位模块300将复位电压vf再次传输至驱动晶体管m0的栅极，连接模块100响应连接控制信号sj的使能，将驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端相连通；同时，将阈值电压vth补偿至数据电压vdata。
63.在控制发光阶段时，数据写入模块400将补偿有阈值电压vth的数据电压vdata传
输至驱动晶体管m0的栅极，驱动晶体管m0此时生成驱动信号；同时，发光控制模块500将驱动晶体管m0生成的驱动信号传输至发光元件600，发光元件600响应该驱动信号而发光。
64.继续结合图9所示，阈值电压检测模块200包括电压检测单元210和电压存储单元220，阈值电压检测阶段包括依次进行的电压抓取阶段和电压提取阶段；
65.在电压抓取阶段，驱动晶体管m0导通，同时连接模块100响应连接控制信号的使能，将驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端相连通，电压存储单元210将驱动晶体管m0的第二端输出的电压存储；亦即，在电压抓取阶段，驱动晶体管m0和连接模块100均在电压抓取阶段导通，电源电压端pvdd输出的电源电压vp将流经驱动晶体管m0和连接模块100，而传输至驱动晶体管m0的栅极处，最终使得驱动晶体管m0的栅极处的电压为电源电压vp减去驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth，该电压差值vp-vth存储于电压存储单元220。
66.在电压提取阶段，电压检测单元210用于在电压存储单元220存储的电压中提取阈值电压。即，由于电源电压vp为固定电压值，故而，电压检测单元210能够在电压差值vp-vth中获取驱动晶体管m0的阈值电压vth，完成阈值电压检测模块200获取驱动晶体管m0的阈值电压vth的过程。
67.下面结合像素电路各个模块的组成电路及相关时序对本发明实施例提供的驱动方法进行更详细的描述。具体结合图10、图11和图12所示，图11为本发明实施例提供的一种驱动方法的流程图，图12为本发明实施例提供的一种时序图。需要说明的是，下面以像素电路包括的所有晶体管均为p型晶体管为例进行说明，驱动方法包括依次进行的第一复位阶段t1、电压抓取阶段t2、电压提取阶段t3、第二复位阶段t4和控制发光阶段t5；
68.在第一复位阶段t1时，复位控制信号sf和连接控制信号sj使能为低电平，复位晶体管mf和连接晶体管mj导通，使得驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端处均为复位电压vf，对驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端进行复位。
69.在电压抓取阶段t2时，连接控制信号sj使能为低电平，连接晶体管mj导通；同时，电压保持电容cn保持驱动晶体管m0的栅极的电位，以控制驱动晶体管m0导通，此时，电源电压端pvdd、驱动晶体管m0和连接晶体管mj组成的通路对电压存储电容cst1进行充电；直至驱动晶体管m0的栅极处电压为电源电压端pvdd输出的电源电压vp与驱动晶体管m0的阈值电压vth的电压差值vp-vth时，驱动晶体管m0截止；此时电压存储电容cst1存储该电压差值vp-vth。
70.在电压提取阶段t3时，复位晶体管mf、数据写入晶体管mx、连接晶体管mj、发光控制晶体管mg和驱动晶体管m0均截止，电压检测单元210自电压存储电容cst1中提取阈值电压vth。
71.在第二复位阶段t4时，复位控制信号sf和连接控制信号sj使能为低电平，复位晶体管mf和连接晶体管mj导通，使得驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端处均为复位电压vf，再次对驱动晶体管m0的栅极和驱动晶体管m0的第二端进行复位。同时，将阈值电压vth补偿至数据电压vdata中。
72.在控制发光阶段t5时，数据控制信号sx和发光控制信号sg使能为低电平，数据写入晶体管mx和发光控制晶体管mg导通，补偿后的数据电压vdata写入至驱动晶体管m0的栅极，以使得驱动晶体管m0根据该补偿后的数据电压vdata生成驱动电流；同时，发光控制晶
体管mg将驱动电流传输至发光元件600中，发光元件600响应驱动电流而发光。
73.在本发明一实施例中，本发明提供的将阈值电压vth补偿至数据电压vdata中，可以由显示装置的驱动ic(integrated circuit，集成电路)完成，对此本发明不做具体限制。
74.相应的，本发明实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括上述任意一实施例提供的像素电路。
75.参考图13所示，为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，本发明实施例提供的显示装置1000可以为移动终端，以及，显示装置1000包括上述任意一实施例提供的像素电路。
76.需要说明的是，本发明实施例提供的显示装置还可以为笔记本、平板电脑、电脑、可穿戴设备等，对此本发明不做具体限制。
77.可选的，本发明实施例提供的显示装置包括驱动ic，驱动ic与阈值电压检测模块和数据电压端均电连接；驱动ic用于接收阈值电压检测模块获取的阈值电压，且将阈值电压补偿至数据电压端输出的数据电压中。
78.本发明实施例提供了一种像素电路及其驱动方法和显示装置，像素电路包括：驱动晶体管，驱动晶体管的第一端与电源电压端电连接；连接模块，连接模块的第一端与驱动晶体管的栅极电连接，连接模块的第二端与驱动晶体管的第二端电连接；连接模块用于在电压抓取阶段响应连接控制信号的使能，将驱动晶体管的栅极和驱动晶体管的第二端相连通；驱动晶体管在电压抓取阶段导通；阈值电压检测模块，阈值电压检测模块与驱动晶体管的第二端电连接，用于在阈值电压检测阶段获取驱动晶体管的阈值电压，其中，阈值电压检测阶段包括电压抓取阶段。
79.由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，通过阈值电压检测模块能够获取驱动晶体管的阈值电压，进而能够根据该阈值电压对像素电路接入的数据电压进行补偿，提高驱动晶体管生成驱动电流的准确性，提高显示装置的显示效果。
80.在本发明的描述中，需要理解的是，如出现术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
81.此外，如出现术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
82.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
83.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在
第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
84.在本发明中，如出现术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
85.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。