基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法与流程-j9九游会真人

基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法
技术领域
1.本技术涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法。


背景技术：

2.当今的半导体行业高度发展，在封装之前，大量的芯片都需要进行检测，在这一过程中需要用到探针卡，探针卡中主要是由pcb、转接板、若干探针三部分组成。在高端探针卡中的转接板多为转接板。转接板是由多片生瓷片经打孔、印刷、叠片、切割、层压、烧结等工艺制作而成，其中陶瓷板表面会有一些金属pad（焊垫）。转接板的一侧与若干探针结合并被称为c4面（controlled collapse chip connection），另外一侧与pcb板结合并被称为bga面。转接板的c4面上往往需要加工金属走线、pad或绝缘层。
3.而陶瓷材质在烧制过程中不可避免的会出现收缩的现象，从而影响转接板c4面的质量，影响c4面上再加工。
4.故，如何改善转接板的c4面pad位置度，使得c4面pad达到c4面在加工的要求是迫切需要解决的问题。


技术实现要素：

5.为了解决现有技术中陶瓷基板烧制后pad位置度有偏差的问题，本技术的目的是提供一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法。
6.为达到上述目的，本技术采用如下技术方案：一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法，所述的转接板由陶瓷基板经过校正补偿处理，所述的校正补偿处理是：在所述的陶瓷基板烧结完毕后，在该陶瓷基板的结合面上通过重布线工艺形成经过位置校正后的若干焊垫，所述的若干焊垫与所述的陶瓷基板内的若干电极分别一一导电连接。
7.在上述技术方案中，进一步优选的，所述的校正补偿处理包括如下步骤：s1.在所述的陶瓷基板烧结完毕后，对所述的陶瓷基板的结合面进行抛光处理；s2.对所述的陶瓷基板上的电极进行测量，所述的测量包括对所述的电极进行位置度测量；s3.提供一目标模板，所述的目标模板包括所述的若干焊垫的目标位置度信息，根据所述的测量结果和目标模板设计制作校正掩模版；s4.利用所述的校正掩模版在所述的陶瓷基板的结合面制作形成补偿层，所述的补偿层中具有若干与所述的陶瓷基板中的电极导电连接的所述的焊垫。
8.在上述技术方案中，进一步优选的，所述的步骤s3包括：根据步骤s2中的测量结果制作第一掩模版；根据所述的目标模板和所述的测量结果，制作第二掩模版；以及根据所述的目标模板制作第三掩模版和第四掩模版。
9.在上述技术方案中，进一步优选的，所述的步骤s4进一步包括：s41.在所述的陶瓷基板的结合面旋涂一层第一光刻胶，使用所述的第一掩模版光
刻，使所述的陶瓷基板表面露出电极，固化形成第一光刻胶层；s42.在所述的第一光刻胶层表面制作种子层；s43.利用所述的第二掩模版在所述的种子层上制作图案化的第二光刻胶层；s44.电镀金属，然后去除所述的第二光刻胶层；s45.旋涂第三光刻胶，并利用所述的第三掩模版进行图案化处理形成第三光刻胶层；s46.在所述的第三光刻胶层表面制作种子层；s47.使用所述的第四掩模版制作第四光刻胶层；s48.电镀金属，然后去除所述的第四光刻胶层；s49.旋涂第四光刻胶并固化，经抛光减薄后，使所述的各焊垫露出。
10.在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s4之前，还包括对所述的陶瓷基板进行有机清洗的步骤s40。
11.在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s4之后，还包括步骤s5：对所述的转接板的倒装焊结合面进行再加工。
12.在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s2中采用自动影像测试仪对所述的陶瓷基板上的电极进行测量。
13.在上述技术方案中，进一步优选的，在所述的步骤s2中，所述的测量还包括对所述的电极的尺寸大小的测量。
14.本技术与现有技术相比获得如下有益效果：本技术的方法通过补偿层改变转接板的焊垫的位置度，使得转接板的倒装焊结合面露出的焊垫的位置度符合生产要求，倒装焊结合面可进行再加工，并且该方法具有更快的时效性、稳定性及简易性。
附图说明
15.图1至10为本技术实施例提供的校正补偿处理各步骤的示意图。
16.其中：1、转接板；11、倒装焊结合面；12、封装面；2、陶瓷基板；21、结合面；22、电极；3、第一光刻胶层；4、第二光刻胶层；5、第三光刻胶层；6、第四光刻胶层；7、第五光刻胶层；8、焊垫。
具体实施方式
17.为详细说明申请的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的详细说明。然而，各种示例性实施例也可以在没有这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实施。此外，各种示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，可以在另一示例性实施例中使用或实现示例性实施例的具体形状、构造和特性。
18.以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示
或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
19.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。
20.本技术实施例提供一种基于mems加工工艺校正制造探针卡转接板的方法，如图10所示，一般探针卡具有转接板1，转接板1具有倒装焊结合面11（即c4面）和封装面12（即bga面），封装面12和倒装焊结合面11上下相对设置。转接板1由多片生瓷片经打孔、印刷、叠片、切割、层压、烧结等工艺加工而成，其包括陶瓷基板2以及贯穿陶瓷基板2的若干导电电极22。
21.本技术的校正制造探针卡转接板的方法是将烧结成型的陶瓷基板2经过校正补偿处理，使转接板上的若干焊垫位于标准的目标位置，然后再对转接板进行再加工。陶瓷基板2的校正补偿处理是在陶瓷基板2烧结完毕后，在陶瓷基板2的结合面21上通过重布线工艺形成经过位置校正后的焊垫。
22.请参考图1-10，校正补偿处理包括以下步骤：s1，在陶瓷基板2烧结完毕后，对陶瓷基板2的结合面21进行cmp（化学机械）抛光处理；s2，采用自动影像测试仪（vmz设备）对陶瓷基板2进行位置度测量，该测量包括对电极22的尺寸大小的测量、多个电极的位置以及相对位置的测量，以保证根据测量结果制成的掩模版精确，降低陶瓷基板2烧制后pad位置度的误差，使得转接板1的倒装焊结合面11露出的焊垫的位置度符合生产要求；s3，提供一目标模板，通常目标模板为设计图纸，该目标模板包括若干焊垫的目标位置度信息，根据上述步骤的测量结果和目标模板设计制作校正掩模版，本实施例中校正掩模版包括第一掩模版、第二掩模版、第三掩模版和第四掩模版，具体来说，根据步骤s2的测量结果制作第一掩模版，根据目标模板和步骤s2的测量结果，制作第二掩模版和第三掩模版，根据目标模板，制作第四掩模版；s40，对陶瓷基板2进行有机清洗，保证陶瓷基板2的表面无杂质玷污；s4，利用校正掩模版在陶瓷基板2的结合面21制作形成补偿层，并在补偿层中形成若干与陶瓷基板2中的电极22导电连接的焊垫8，这些焊垫8与目标模板上的焊垫的位置度一致；s5，在转接板1的倒装焊结合面11进行再布线或封装加工加工工艺。
23.陶瓷基板2经过校正补偿处理后形成转接板1的倒装焊结合面11，同时改善转接板1焊垫的位置度，使得该倒装焊结合面11能够满足后续的加工要求。
24.步骤s4进一步包括：s41，在陶瓷基板2的结合面21旋涂一层第一光刻胶，厚度为a，并利用第一掩模版光刻，使陶瓷基板表面露出电极22，固化形成第一光刻胶层3（参照附图1）；s42，在第一光刻胶层3表面制作种子层；s43，利用第二掩模版在种子层上制作图案化的第二光刻胶层4，厚度为α（参照附图2）；
s44，电镀金属，然后去除第二光刻胶层4（参照附图3和附图4）；s45，旋涂第三光刻胶，并利用第三掩模版进行图案化处理形成第三光刻胶层5，厚度为b（参照附图5）；s46，在第三光刻胶层5表面制作种子层；s47，使用第四掩模版制作第四光刻胶层6（参照附图6）；s48，电镀金属，然后去除第四光刻胶层6（参照附图7和附图8）；s49，旋涂第四光刻胶并固化形成第五光刻胶层7，经抛光减薄后焊垫8与经抛光减薄的第五光刻胶层7的表面齐平，使各焊垫8露出（参照附图9和附图10）。
25.步骤s1和s49的抛光处理均为化学机械抛光技术，使得陶瓷基板2和转接板1均获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面。
26.在本技术中，第一光刻胶、第三光刻胶和第四光刻胶均采用不会在有机溶剂中溶解的聚酰亚胺材料。第一光刻胶层3、第三光刻胶层5、第五光刻胶层7和焊垫8形成布置在陶瓷基板2的结合面21上的补偿层。如图2-5所示，第二光刻胶层4的厚度α小于第三光刻胶层5的厚度b，如图6-10所示，第四光刻胶层6的厚度小于第五光刻胶层7未减薄时的厚度。
27.第二光刻胶层4和第四光刻胶层6在有机清洗过程中溶解，第一光刻胶层3表面和第三光刻胶层5表面多余的金属，均在对应的光刻胶层溶解的同时脱落在有机溶剂内。
28.在步骤s44和步骤s48中，分别去除第二光刻胶层4和第四光刻胶层6后，需要分别对第一光刻胶层3表面的种子层和第三光刻胶层5表面的种子层进行湿法腐蚀。
29.综上所述，陶瓷基板2经过烧制后pad位置度具有偏差，本技术的方法通过在陶瓷基板上设置补偿层，改变pad位置度，使得转接板1的倒装焊结合面11露出的pad位置度符合生产要求，倒装焊结合面符合后续加工要求，并且该方法具有更快的时效性、稳定性及简易性。
30.以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，本技术要求保护范围由所附的权利要求书、说明书及其等效物界定。