一种mems器件、mems器件的制备方法和电子装置与流程-j9九游会真人

一种mems器件、mems器件的制备方法和电子装置
技术领域
1.本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种mems器件、mems器件的制备方法和电子装置。


背景技术：

2.mems(micro electro mechanical system，微电机系统)涉及物理学、半导体、光学、电子工程、化学、材料工程、机械工程及生物工程等多种学科和工程技术，为智能系统、可穿戴设备、智能家居、汽车和无人机等领域开拓了广阔的用途。常见的mems器件包括压力传感器、惯性传感器以及光传感器等。
3.在mems惯性传感器结构中，对地电容的大小直接影响到器件的带宽和噪声密度，并直接决定传感器的最小可检测极限(分辨率)，对地电容越小mems器件的分辨率越高。现有的mems器件中，一种方式是，通常通过降低电极板与衬底之间的绝缘介质的介电常数降低对地电容，由于低介电常数材料获取难度较高，使得mems器件制造成本上升。此外，另一种方式是，通过降低电极板与衬底之间的正对面积来降低对地电容，这使得mems器件制造工艺复杂，制造成本过高。


技术实现要素：

4.在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
5.针对目前存在的问题，本技术一方面提供一种mems器件，包括：第一衬底，所述第一衬底的表面设置有沟槽和填充所述沟槽并覆盖所述第一衬底的介电层，所述介电层上设置有第一极板层，所述第一极板层上设置有功能层，部分所述功能层悬置于所述第一极板层上方；第二衬底，在所述第二衬底内形成有凹槽，所述第一衬底形成有所述功能层的一侧与所述第二衬底形成有所述凹槽的一侧相结合。
6.示例性地，所述沟槽的数量为多个，多个沟槽在所述第一衬底内间隔设置，其中，多个沟槽和至少部分所述第一极板层相对，且所述沟槽至少部分地与所述功能层相对应。
7.示例性地，多个所述沟槽在所述衬底的表面所在平面上的投影为网格形或者间隔的多个条形。
8.示例性地，所述沟槽的数量为1个，一个所述沟槽和至少部分所述第一极板层相对，且所述沟槽至少部分地与所述功能层相对应。
9.示例性地，当所述沟槽的数量为多个时，所述介电层包括填充所述沟槽的第一子介电层和覆盖所述第一衬底的表面及所述第一子介电层的第二子介电层，每个所述沟槽的宽度小于或等于所述第二子介电层的厚度的一半。
10.示例性地，所述第二衬底的所述凹槽朝向所述第一衬底的表面设置有第二极板层。
11.示例性地，所述第一极板层的材料包括多晶硅，所述第二极板层的材料包括多晶硅。
12.本技术另一方面提供一种mems器件的制备方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底内形成沟槽，所述沟槽从所述第一衬底的表面向所述第一衬底内延伸；形成介电层，以覆盖所述第一衬底的表面并填充所述沟槽；在所述介电层上形成第一极板层；在所述第一极板层上方形成功能层，部分所述功能层悬置于所述第一极板层上方；提供第二衬底，在所述第二衬底内形成有凹槽；将所述第一衬底形成有所述功能层的一侧与所述第二衬底形成有所述凹槽的一侧相结合。
13.示例性地，在所述第一极板层上方形成功能层包括：在所述第一极板层上方形成牺牲层，在所述牺牲层上形成功能材料层；去除部分所述功能材料层形成功能层，去除部分所述牺牲层以在所述第一衬底上形成空腔，使部分所述功能层悬置于所述第一极板层上方。
14.示例性地，在所述第一衬底内形成沟槽，包括：当预定形成的沟槽的深度小于预设阈值，对所述第一衬底进行干法刻蚀和/或湿法刻蚀，以形成所述沟槽；当预定形成的沟槽的深度大于或等于所述预设阈值，对所述第一衬底进行深硅刻蚀，以形成所述沟槽。
15.本技术另一方面提供一种电子装置，包括如上文所述的mems器件。
16.本技术实施例的mems器件在第一衬底的表面设置有沟槽和填充沟槽并覆盖第一衬底的介电层，介电层上设置有第一极板层，第一极板层上设置有功能层，部分功能层悬置于第一极板层上方，还具有第二衬底，在第二衬底内形成有凹槽，并且第一衬底形成有功能层的一侧与第二衬底形成有凹槽的一侧相结合，本技术通过在第一衬底内形成沟槽，增加第一极板层和第一衬底之间的距离，从而有效降低了mems器件的对地电容，提升了mems器件的分辨率且结构简单制造成本较低。
附图说明
17.通过结合附图对本技术实施例进行更详细的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。
18.图1示出了根据本技术实施例的mems器件剖面示意图。
19.图2示出了根据本技术实施例的mems器件在衬底的第一表面所在平面上的剖面示意图。
20.图3示出了根据本技术实施例的mems器件的电路图。
21.图4示出了根据本技术实施例的mems器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
22.接下来，将结合附图更加完整地描述本发明，附图中示出了本发明的实施例。但是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相
同的元件。
23.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
24.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
25.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该规格书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
26.这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
27.除非另外定义，在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解，诸如普通使用的字典中所定义的术语应当理解为具有与它们在相关领域和/或本规格书的环境中的含义一致的含义，而不能在理想的或过度正式的意义上解释，除非这里明示地这样定义。
28.为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细步骤以及结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
29.如图1所示，根据本技术实施例的mems传感器100，包括第一衬底101，第一衬底的表面设置有沟槽103和填充沟槽103并覆盖第一衬底101的介电层104，介电层104上设置有第一极板层105，第一极板层105上设置有功能层106，部分功能层106悬置于第一极板层105
上方。mems传感器100还包括第二衬底102，在第二衬底102内形成有凹槽，第一衬底101形成有功能层106的一侧与第二衬底102形成有凹槽的一侧相结合。
30.本技术通过在第一衬底内形成沟槽，增加第一极板层和第一衬底之间的距离，从而有效降低了mems器件的对地电容，提升了mems器件的分辨率，且在无需增加器件面积或调整介电层的介电常数的情况下，结构简单制造成本较低。
31.在一个示例中，第一衬底101和第二衬底102的材料可以是硅、锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟或锑化铟等，也可以是绝缘体上覆硅(soi)或者绝缘体上覆锗(goi)，其它的材料，例如gaas、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp或gainasp等，或者还可以是上述材料的组合。第一衬底101可以包括掺杂的外延层、梯度半导体层和位于不同类型的其它半导体层上面的半导体层(例如锗硅层上的硅层)。第一衬底101中可以设置有源区以及
32.用于隔离有源区的隔离区(未示出)，以及，第一衬底101中还可以根据设计需求注入一定的掺杂离子。在一些实施例中，第一衬底101内还可以包括各类晶体管以及其它合适的组件等。
33.示例性地，第一极板层105包括多晶硅，或者其他可以用作电容极板的材料，可选地，第一极板层还可以包括具有掺杂剂的多晶硅。第一极板层105通常可以用作在第一衬底101的表面垂直的方向上的电容极板的部分，例如在功能层中形成有第三极板层，则第一极板层105和第三极板层之间形成电容。
34.在一些实施例中，在第一极板层105和介电层104之间还设置有界面材料层，界面材料层可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种，本实施例例如为氧化硅。第一极板层105可以包括用作mems器件的走线的部分和用作位于第一衬底的表面的垂向上的电容极板的部分。
35.示例性地，沟槽的数量为多个，多个沟槽在第一衬底内间隔设置，其中，多个沟槽和至少部分第一极板层105相对，且沟槽103至少部分地与功能层103相对应，本技术通过在第一衬底内形成沟槽，增加第一极板层和第一衬底之间的距离，从而有效降低了mems器件的对地电容，提升了mems器件的分辨率。
36.如图1所示，多个沟槽103间隔设置于第一衬底101内，多个沟槽103与第一极板层105相对，第一极板层105位于沟槽103上方，部分功能层106位于第一极板层105上方。第一极板层105与第一衬底101的距离为d1，第一极板层105与沟槽103底部的距离为d2。
37.示例性地，多个沟槽在衬底的表面所在平面上的投影为网格形或者间隔的多个条形，或者其他适合的形状。
38.如图2所示，在一个示例中，第一衬底101内间隔设置多个条形沟槽103，在第一衬底101的表面所在平面上的投影显示为网格形，并且如图2设置的多个沟槽103中至少一部分和至少部分第一极板层105相对，使得第一极板层105与第一衬底101的距离在沟槽103处增加，且多个沟槽103至少部分地与功能层106相对应。
39.在另一些实施例中，沟槽的数量为1个，一个沟槽和至少部分第一极板层105相对，且沟槽103至少部分地与功能层106相对应，例如沟槽103可以和整个功能层106被第二衬底所包围的区域相对应，或者，沟槽和整个功能层106中实际起到mems结构功能的部分相对应，沟槽和至少部分第一极板层相对使得第一极板层与第一衬底的距离在沟槽103处增加，从而有效降低了mems器件的对地电容，提升了mems器件的分辨率。
40.如图1所示，介电层104包括填充沟槽103的第一子介电层104a和覆盖第一衬底101的表面及第一子介电层104a的第二子介电层104b。在本技术的实施例中，当沟槽103的数量为多个时，每个沟槽103的宽度小于或等于第二子介电层104b的厚度的一半，当多个沟槽沿第一方向间隔排列，宽度则是指，在第一方向上的尺寸，参考图1，多个沟槽沿d方向间隔排列，沟槽103的宽度是指图1中d方向上的尺寸。通过使每个沟槽103的宽度小于或等于第二子介电层104b的厚度的一半，使得第一子介电层104a填充沟槽103得到的表面平整度较好。
41.第一极板层105上设置有功能层106，部分功能层106悬置于第一极板层105上方，其中，功能层120例如为用来形成mems惯性传感器的电容结构的多晶硅材料层，多晶硅材料层包含具有掺杂剂的多晶硅，具体的，多晶硅材料层可包括在第一晶圆100上依次叠加形成的种子多晶硅(seedpoly)层(未示出)和多晶硅导电层；一实施例中，功能层120的厚度约20μm～30μm。
42.其中，一部分功能层106悬置于第一极板层105上方，另一部分功能层106还和第一极板层105的部分区域连接，从而在第一极板层105和功能层106之间形成空腔。示例性地，如图1所示，mems传感器100还包括第二衬底102，在第二衬底102内形成有凹槽，
43.第二衬底102的凹槽中设置有第二极板层107，第二极板层107与第一极板层105相对，并且功能层106部分位于第二极板层107与第一极板层105之间。
44.示例性地，包括多晶硅第二极板层的材料包括多晶硅，或者其他可以用作电容极板的材料。本实施例中，第二极板层可以包括具有掺杂剂的多晶硅。
45.继续参考如图1，第一衬底101形成有功能层106的一侧与第二衬底102形成有凹槽的一侧相结合，在第一衬底101上的功能层106和第二衬底102之间设置有键合结构，第一衬底101与第二衬底102通过键和结构相结合。
46.功能层106悬置在第一衬底101上，从而在第一衬底101上表面和功能层106之间形成空腔。根据用途不同，所述功能层02的上表面包括中间区域ⅰ和位于所述中间区域ⅰ外围的键合区域ⅱ，键合区域ⅱ是后续用来与第二衬底102进行键合的区域，键合区域ⅱ可以为环状。中间区域ⅰ位于键合区域ⅱ内侧，可以用来设置mems传感器的功能部件，本实施例中，功能层106上表面的中间区域ⅰ后续可设置惯性传感器的电容结构。
47.图3示出了本技术一个实施例的mems器件的电路图，电容cpg为mems器件的对地电容。在mems器件的电路结构中，对地电容cpg的大小直接影响到器件的带宽和噪声密度。
48.结合图1和图3描述本技术实施例的mems器件对地电容，第一极板层105的对地电容计算式如下：
49.c＝εa/d
50.c为第一极板层105的对地电容值，ε为介电层104的介电常数，d为第一极板层105与第一衬底101之间的距离，a为第一极板层105与第一衬底101的正对面积。在沟槽103处，第一极板层105与第一衬底101的距离增大，增大部分等于沟槽103的深度，使得第一极板层105的对地电容减小，从而在无需增加器件面积或调整介电层的介电常数的情况下有效降低了mems器件的对地电容。
51.在一个示例中，如图1和图3所示，第一极板层105与功能层106中的中间区域ⅰ中设置的多晶硅材料层构成图3中的电容cp1，第二极板层107功能层106中的中间区域ⅰ中设置的多晶硅材料层构成图3中的电容cp2，当功能层发生运动，电容cp1和电容cp2两端的电压
发生变化，mems器件基于检测电容cp1和电容cp2两端的电压变化值确定功能层106的运动情况。
52.本技术实施例的mems器件在第一衬底的表面设置有沟槽和填充沟槽并覆盖第一衬底的介电层，介电层上设置有第一极板层，第一极板层上设置有功能层，部分功能层悬置于第一极板层上方，还具有第二衬底，在第二衬底内形成有凹槽，并且第一衬底形成有功能层的一侧与第二衬底形成有凹槽的一侧相结合，本技术通过在第一衬底内形成沟槽，增加第一极板层和第一衬底之间的距离，从而有效降低了mems器件的对地电容，提升了mems器件的分辨率，且本技术的mems器件，无需增加器件面积或调整介电层的介电常数的情况下结构简单制造成本较低。
53.在本技术的另一个实施例中，如图4所示，本技术还提供一种mems器件的制备方法，包括以下步骤s401至步骤s402。
54.首先，执行步骤s401，提供第一衬底。然后执行步骤s402，在第一衬底内形成沟槽，沟槽从第一衬底的表面向第一衬底内延伸。
55.示例性地，在第一衬底内形成沟槽，包括：当预定形成的沟槽的深度小于预设阈值，对第一衬底进行干法刻蚀和/或湿法刻蚀，以形成沟槽；当预定形成的沟槽的深度大于或等于预设阈值，对第一衬底进行深硅刻蚀，以形成沟槽。
56.在一个示例中，基于需求的沟槽的深度，然后比较需要的沟槽深度和预设阈值，当预定形成的沟槽的深度小于预设阈值，对第一衬底进行干法刻蚀和/或湿法刻蚀，成本较低；当预定形成的沟槽的深度大于或等于预设阈值，使用干法刻蚀和/或可能对第一衬底进行深硅刻蚀，使沟槽高宽比符合mems器件需要并提高沟槽侧壁的光滑度从而提升mems器件可靠性。
57.如图1所示，形成沟槽可以包括间隔刻蚀多个沟槽103第一衬底101内，经过后续步骤使多个沟槽103的位置与第一极板层105的位置相对，且功能层106部分位于第一极板层105正上方。
58.如图2所示，形成沟槽还可以包括在第一衬底101内间隔设置多个条形沟槽103，在第一衬底101的第一表面所在平面上的投影显示为网格形，并且，经过后续步骤使如图2设置的多个沟槽103中至少一部分和至少部分第一极板层105相对，且多个沟槽103至少部分地与功能层相对应。
59.形成沟槽还可以包括，形成一个沟槽，沟槽和至少部分第一极板层相对，且沟槽至少部分地与功能层相对应。
60.接着，执行步骤s403，形成介电层，以覆盖第一衬底的表面并填充沟槽。
61.在一个示例中，形成介电层包括在第一衬底表面沉积氧化层。如图1所示，在步骤s403中，介电层104包括填充沟槽103的第一子介电层104a和覆盖第一衬底101的表面及第一子介电层104a的第二子介电层104b。在本技术的实施例中，当多个沟槽沿第一方向间隔排列，每个沟槽103的宽度小于或等于第二子介电层104b的厚度的一半，使得步骤s403中第一子介电层104a填充沟槽103得到的表面平整度较好。
62.接下来执行步骤s404，在介电层上形成第一极板层；在第一极板层上方形成功能层，部分功能层悬置于第一极板层上方。在一个示例中，在介电层上形成第一极板层包括在介电层上形成图案化的多晶硅电极层。然后在第一极板层上方形成功能层，示例性地，在第
一极板层上方形成功能层包括：在第一极板层上方形成牺牲层，在牺牲层上形成功能材料层；去除部分功能材料层形成功能层，去除部分牺牲层以在第一衬底上形成空腔，使部分功能层悬置于第一极板层上方。在一个示例中，首先在第一极板层上方沉积形成牺牲层，再在牺牲层上沉积形成功能材料层，然后刻蚀功能材料层，在功能材料层形成牺牲层的释放孔，以便去除牺牲层形成空腔，使得部分功能层悬置于第一极板层上方，如图1所示。
63.然后执行s405，提供第二衬底，在第二衬底内形成有凹槽。在一个示例中，对第二衬底进行干法刻蚀和/或湿法刻蚀形成凹槽，在步骤s406中凹槽位置与第一极板层和功能层相对，如图1所示。
64.再执行s406，将第一衬底形成有功能层的一侧与第二衬底形成有凹槽的一侧相结合。在一个示例中，如图1所示，在第一衬底101上的功能层106和第二衬底102之间设置有键合结构，第一衬底101与第二衬底102通过键和结构相结合。结合后的mems器件中，第一衬底内的沟槽至少与部分第一极板层、部分功能层和部分第二极板层相对。
65.本技术还提供了一种电子装置，包括上述mems器件，其中，该mems器件为上述实施例描述的mems器件，或根据上述mems器件的制造方法制造的mems器件。
66.示例地，以mems器件为mems惯性传感器为例，本技术提供的电子装置可以包括以下几个部分：mems惯性传感器，驱动电路，控制系统和外壳。mems惯性传感器是电子装置的核心部分，它用来检测和测量加速度、倾斜、冲击、振动、旋转和多自由度运动。驱动电路是为mems惯性传感器提供电压或电流信号的部分，它需要与mems惯性传感器的工作模式和驱动方式相匹配。控制系统是为电子装置提供控制信号和数据处理的部分，它需要与mems惯性传感器的控制接口和应用功能相兼容。外壳是为电子装置提供保护和固定的部分，它需要与mems惯性传感器的尺寸和外形相匹配。
67.本技术提供的电子装置，可以是如无人车、无人机、机器人、手机、平板电脑、游戏机、相机、vr眼镜等任何具有相似功能或性能的电子产品或设备，也可为任何包括上述mems惯性传感器的中间产品，其中，无人车是通过包括上述mems惯性传感器的车载传感器来感知外界环境，并且获取车辆位置、姿态信息以及障碍物信息，从而控制车辆行驶速度、转向以及起停等。当无人车行走到高大建筑物下，且gps被遮挡而无法正常工作时，无人车上搭载的包括上述mems惯性传感器的惯性导航系统短时间内的精度可以满足车辆自主前行的需求；无人机在军用以及民用领域内发挥着越来越重要的作用，而为了实现无人机自身的定位以及定位问题，航姿测控系统发挥着至关重要的作用。航姿测控系统主要由gps天线、gps接收板、捷联式磁传感器、惯性测量单元、高度空速传感器以及调理单元构成。传感器的精度直接决定无人机位姿的精度，传感器采集到的数据通过导航算法计算出无人机的位置姿态信息。无人机采取将mems惯性导航系统与gps组合进行导航，包括上述mems惯性传感器可以提高导航精度和航姿测控精度，从而提高无人机的可靠性和飞行性能；机器人是一种可以自主在固定或时变环境中进行工作的自动化设备。近年来在服务业、家居、工业等领域应用广泛。轮式机器人在应用方面与无人车相似，均通过视觉相机、mems惯性传感器、激光雷达及里程计等传感器采集数据进行导航。在采取惯性传感器与里程计的轮式机器人的导航过程中，mems惯性传感器提供精确的姿态角，而由于轮子打滑等对惯性导航以及里程计产生影响，现大多通过视觉里程计与mems惯性传感器组合导航，通过扩展kalman滤波算法来进行数据融合，从而提高系统精度；vr设备是一种利用虚拟现实(virtual reality，vr)
技术，将用户置于一个全方位的虚拟环境中，让用户感受到身临其境的沉浸感的设备，ar设备是一种利用增强现实(augmented reality，ar)技术，将虚拟物体叠加到真实场景中，让用户感受到虚实结合的体验的设备，vr/ar设备通常是一种佩戴式的眼镜或头盔，也可以是非佩戴式的手机或平板，可以通过屏幕、镜片、传感器、摄像头、投影仪、光学系统等实现虚拟环境的呈现和交互，以及虚拟物体的生成和定位，包括上述mems惯性传感器的vr/ar设备可以实现vr/ar设备的精确定位和人体姿态感知，从而参照人体姿态感知结果调整图像呈现，这种vr/ar设备的应用场景包括教育、娱乐、医疗、游戏、元宇宙等。综上所述，本技术提供的电子装置，由于使用了上述mems惯性传感器，因而具有更好的性能。
68.应该注意的是上述实施例对本技术进行说明而不是对本技术进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本技术可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干车载系统的单元权利要求中，这些车载系统中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
69.以上，仅为本技术的具体实施方式或对具体实施方式的说明，本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。