发光装置、像素装置和显示器
1.本技术要求2021年1月19日的德国申请de 10 2021 100 998.7的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
2.本发明涉及一种发光装置、一种具有这种发光装置的像素装置以及一种显示器。
背景技术：
3.在现代显示器、主要在电视领域的现代显示器中，除了良好的黑值外，亮度对客户也很重要。在这种显示器中，亮度应当足够高，使得图像在开放且光线充足的空间中充分可见，而在汽车领域中需要高亮度，主要为了在逆光下的良好可读性。此外，由于现代显示器还是抗反射的或者还能够具有带有附加功能的覆盖件，因此在这种情况下高亮度也是必要的，以便能够将这种显示器集成到滤光器、半透明反射镜和其他覆盖件的后面。
4.显示器的最大亮度又受到最大允许损耗功率的限制。一般来说，亮度越高，损耗功率就越高，使得由此产生的热量也必须被运走。在汽车领域中对此进行了监管，使得根据dff规范，功率密度被限制在400w/m2。
5.在显示模块、即具有多个成行和成列设置的像素的模块中，消耗的功率进而热功率基本上由每个像素的电流来确定。在此应当注意的是：利用在像素中实施的这种器件和所使用的材料体系，在限制的功率密度或还有期望的热量损耗的情况下，难以或几乎无法实现客户期望的亮度要求。
6.此外，对各个像素和光电子半导体器件的温度稳定性和使用寿命的高要求恰好也适用于汽车领域中的显示器。这些要求根据所使用的材料体系而显著不同，使得在显示器的使用寿命期间能够出现选择性的失效，尤其是红光的光电子半导体器件的失效。此外，显示器运行中的高损耗会导致色移。
7.因此，需要满足这些不同的要求，并且在亮度与功率消耗或损耗功率之间实现良好的平衡，以由此提高温度稳定性和使用寿命。
技术实现要素：
8.在具有rgb像素的显示器中，像素被划分成子像素，该子像素利用光电子半导体器件构建，并在运行中放射不同中心波长的光。中心波长在此被理解为在光电子半导体器件运行中光强度最大的波长。
9.光电子半导体器件也被称为发光二极管，特别是被称为μ-led。显示器、尤其是较小的仍应提供高分辨率的显示器通常利用这种μ-led来实现。μ-led的特征又在于：与传统发光二极管相比明显更小的边缘长度，范围小于100μm，特别是小于30μm，例如4-15μm。现在已经确定：由于材料体系不同，用于产生红光的μ-led(以下简称为红色μ-led或红色发光二极管)与用于绿色或蓝色范围的光的μ-led(下面简称为绿色或蓝色μ-led，或者绿色或蓝色发光二极管)相比具有更低的效率。
10.附加地，相对于较小的发光表面，较小的边缘长度导致相应光电子半导体器件的周长与面积之比差。其原因在于缺陷密度，该缺陷密度仅在表面周长范围内扩大，使得在那
里载流子的非辐射复合优于辐射复合。相应地，这种损耗机制在μ-led和低电流密度的情况下尤其明显。在红色μ-led的情况下，由于材料体系和与之相关的更大的自由路径长度，这种情况更为明显，由此导致与绿色或蓝色发光二极管相比显著更低的效率。
11.然而，为了产生期望的亮度，在传统系统中需要增加流过相应μ-led的电通流。然而，除了亮度增加外，损耗功率也由此增加。此外，用于红色发光二极管的ingaalp材料体系特别容易受到温度波动的影响，该温度波动在具有该材料体系的相应的μ-led运行中导致更大的色移。除了之前通过不同的外延和芯片设计来改进led效率以及经由显示器的光学覆层和腔室来改进光耦合输出来实现更高显示器亮度的方法外，发明人创建了另一种改进(尤其是像素的红色发光二极管)亮度的可能性。
12.在此，发明人利用：阈值电压v
th
以及最大正向电压vf在基于ingaalp的红光光电子半导体器件与基于ingan的绿光和蓝光光电子半导体器件之间不同。此外，像素的电源电压由最大正向电压v
fmax
确定，该最大正向电压对于操纵蓝光的光电子半导体器件最大。这种像素在最大电流下的饱和电压v
sat
也是如此。整个像素的电源电流又由红色、绿色和蓝色子像素的进而用于相应子像素的发光二极管的各个电流组成。
13.为了减小相应子像素在相同电源电压下的损耗功率，发明人提出：代替用于红色子像素的单个光电子半导体器件，将两个光电子器件或两个发光二极管串联连接。换言之，对于每个像素，代替一个红色发光二极管，现在将两个红色发光二极管串联连接，而对于绿色和蓝色子像素，仍分别只使用一个发光二极管。rgb像素因此被rrgb像素替代。在此，发明人利用：两个红色发光二极管上的电压降比蓝色或绿色发光二极管的电流路径中的电压降高约1v。在所有子像素的电源电压相同的情况下，与之前仅以较大电流运行的红色发光二极管的j9九游会真人的解决方案相比，损耗功率显著减少，因为用于具有红色发光二极管的电流路径的电路驱动器不必将剩余电压转换成热功率。同时，能够减少通过该电流路径的电通流，其中亮度仍通过串联连接的两个红色发光二极管来增加或维持在期望的水平。
14.在一个方面中，提出一种发光装置，特别是用于像素的发光装置，其具有第一电流路径、第二电流路径和第三电流路径，该第一电流路径、该第二电流路径和该第三电流路径彼此并联连接在用于供应电源电位的共同的电源线与具有参考电位的参考电位线之间。三个电流路径中的每个分别包括可调节电流源。在第一电流路径中设置用于产生具有第一中心波长的光的第一光电子半导体器件，在第二电流路径中设置用于产生具有第二中心波长的光的第二光电子半导体器件。第三电流路径包括串联连接的两个第三光电子半导体器件，这两个第三光电子半导体器件分别被构成用于产生具有第三中心波长的光，其中第三中心波长大于第一中心波长和第二中心波长。
15.因此，各电流路径中的电压降彼此更加紧密地匹配，由此，提高了效率，同时减小了尤其在用于第三中心波长的电流路径中的损耗功率。同样，还提高了红色光电子器件或发光二极管的使用寿命，并且降低了由于加热引起的色彩变化。在一些方面中，还能够显著简单地构建温度补偿电路，这再次节约了成本和空间。第三中心波长位于光谱的红色区域，即610nm至660nm。在另一方面中，显示器的每个像素在运行中操纵刚好一个蓝色或绿色的发光二极管，而每个像素在运行中操纵两个红色发光二极管。发光装置的每个电流路径在一个方面中形成像素的子像素。
16.在另一方面中，提供一种控制电路，可调节电流源中的每个连接到该控制电路。控
制电路被实施用于操纵该可调节电流源，尤其根据电源电位来操纵该可调节电流源。该相关性允许：识别和补偿电源线上的波动或变化，使得在多个这种发光装置上实现保持均匀的亮度。在一个方面中，控制电路被实施用于产生脉宽调制信号并将其输出到可调节电流源。
17.在另一方面中，至少第三电流路径的可调节电流源包括电流驱动器晶体管，该电流驱动器晶体管的控制端子连接到控制电路。其他电流路径也能够分别具有电流驱动器晶体管。各电流路径的一些或全部电流驱动器晶体管能够相同地构成，由此降低了生产的成本和耗费。
18.另一方面涉及冗余，因为各个发光二极管会在生产期间失效。因此，在一个方面中设有备用电流路径，该备用电流路径具有可调节电流源和另外的第三光半导体器件。备用电流路径与第三电流路径相关联，由此第三光电子半导体器件被实施用于产生具有第三中心波长的光。同样，以相同方式构建的备用电流路径也能够与其他电流路径(即，第一电流路径和第二电流路径)中的每个相关联。该备用电流路径分别包括可调节电流源和在运行中发出绿光或蓝光的光电子半导体器件。如果与备用电流路径相关联的电流路径中出现缺陷，则激活相应的备用电流路径。然后，切断相关联的电流路径，并且操纵电路调节备用电流路径的电流源。
19.在一个方面中，备用电流路径的可调节电流源包括电流驱动器晶体管，该电流驱动器晶体管的控制端子连接到控制电路。该电流驱动器晶体管能够被实施成，通过控制电路在基本相同操纵的情况下提供电流，该电流为第三电流路径的电流驱动器晶体管提供的电流的大约两倍。
20.在另一方面中，第一电流路径和第二电流路径的光电子半导体器件以及第三电流路径的光电子半导体器件在阳极侧与共同的电源线连接。该设计方案对应于发光装置的共阳极实施方案。第一电流路径和第二电流路径的光电子半导体器件以及第三电流路径的光电子半导体器件也能够以其阴极连接到参考电位线，这对应于共阴极结构。
21.不同的光电子半导体器件被实施用于产生具有不同波长的光。因此，在一个方面中，第三光电子半导体器件之一的阈值电压能够小于第一光电子半导体器件和第二光电子半导体器件的阈值电压。同样可行的是，第三光电子半导体器件之一的正向电压在运行中小于第一光电子半导体器件和第二光电子半导体器件的正向电压。
22.其他方面涉及光电子半导体器件的构造和结构。在一个方面中，第三光电子半导体器件的材料体系不同于第一光电子半导体器件和第二光电子半导体器件的材料体系。因此，第三光电子半导体器件能够具有基于ingaalp的材料体系，第一光电子半导体器件和第二光电子半导体器件能够具有基于ingan的材料体系。
23.在一个方面中，第一光电子半导体器件、第二光电子半导体器件和第三光电子半导体器件被实施为μ-led。这些光电子半导体器件具有小于100μm、特别是小于30μm的边缘长度。这种器件的发射面积能够小于10000μm2，并且能够为100μm2至2000μm2。
24.另一方面涉及像素装置。该像素装置具有至少一个第一像素和至少一个第二像素，该至少一个第一像素包括根据前述方面之一所述的第一发光装置，该至少一个第二像素包括根据前述方面之一所述的第二发光装置。第一发光装置和第二发光装置中的第三电流路径的串联连接的两个第三光电子半导体器件共同使用，即为相同的光电子半导体器
件。因此，在该设计方案中，能够减少所使用的第三光电子半导体器件的数量。
25.因此，根据所提出的原理，像素装置包括第一像素和第二像素，该第一像素包括根据前述权利要求之一所述的发光装置，该第二像素具有：
[0026]-第四电流路径和第五电流路径，其彼此并联连接在共同的电源线与参考电位线之间；其中第四电流路径和第五电流路径分别包括可调节电流源，第四电流路径包括用于产生具有第一中心波长的光的第四光电子半导体器件，第五电路路径包括用于产生具有第二中心波长的光的第五光电子半导体器件；
[0027]-可调节电流源，其在输入侧与共同的电源线连接，并且以电流输出端连接到发光装置的第三电流路径，第三电流路径用于为串联连接的两个第三光电子半导体器件供电。
[0028]
另一方面涉及一种显示器，具有成行和成列设置的且可单独操纵的多个像素，其中，像素分别具有根据前述权利要求之一所述的发光装置。替代地，在一行中或在一列中相邻的每两个像素能够包括根据共同使用第三光电子半导体器件的上述原理的像素装置。
附图说明
[0029]
参考结合附图详细描述的各种实施方式和示例，根据所提出的原理的其他方面和实施方式将是显而易见的。
[0030]
图1a示出了用于说明所提出的原理的一些方面的第一实施方式；
[0031]
图1b示出了用于说明所提出的原理的一些方面的第二实施方式；
[0032]
图2示出了具有根据所提出原理的其他方面的第三实施方式的局部视图；
[0033]
图3示出了具有根据所提出原理的其他方面的第四实施方式的局部视图；
[0034]
图4示出了具有不同极性的实现方案的第四实施方式的局部视图；
[0035]
图5为具有根据所提出的原理的其他方面的第五实施方案的一个实施例；
[0036]
图6为用于说明所提出的原理的一些方面的具有多个成行和成列设置的像素的显示器的示意图。
具体实施方式
[0037]
以下实施方式和示例示出了根据所提出的原理的不同方面及其组合。实施方式和示例并不总是按比例的。同样地，为了强调单个方面，能够放大或缩小地示出不同的元件。不言而喻，在不影响根据本发明的原理的情况下，附图中示出的实施方式和示例的各个方面和特征能够容易地相互组合。一些方面具有规则的结构或形状。应当注意的是：在实践中会出现与理想形状的轻微偏差，但不会违背本发明的构思。
[0038]
示意性地示出了各个开关元件，例如作为双极晶体管或特定导电类型的晶体管的各个开关元件。然而，不言而喻，这不应被解释为限制。通常，除非另有说明，所示的电路也可以用不同的器件来实现。因此，双极晶体管可以由场效应晶体管代替，开关可以由场效应晶体管代替。极性通常能够反转，例如由pnp或pmos晶体管代替npn或nmos晶体管。
[0039]
图1a以示意图示出了像素的一个实施例，该实施例实现了所提出的原理的一些方面。像素p包括电源线vsl，该电源线被构成为用于操纵电路4和三个电流路径ip1、ip2和ip3的共同的电源线。在像素运行中，电源电位v
dd
被施加到电源线vsl处。像素p同样包括参考电位线gl(也简称为接地线gl)，该参考电位线与参考电位或接地电位gnd连接。因此，用于绿
色、蓝色和红色的子像素的各个电流路径ip1、ip2和ip3并联连接在电源线vsl与参考电位线gl之间。
[0040]
电流路径ip1包括具有调节输入端13的可调节电流源i1以及串联连接的第一光电子半导体器件d1。该第一光电子半导体器件也被称为发光二极管led并且例如被实施为μ-led。在运行中，发光二极管d1产生具有(例如蓝色范围内的)中心波长的光。第二电流路径包括具有调节输入端23的可调节电流源i2和连接到该源的第二发光二极管d2。该第二发光二极管产生具有绿色光谱的中心波长的光，因此也被称为绿色发光二极管。最后，还设有第三电流路径ip3。该第三电流路径同样包括具有调节输入端33的可调节电流源i3。此时，串联连接的两个发光二极管d31和d32与之连接。该发光二极管d31和d32相同地构建并且在运行中产生红色范围内的中心波长。换言之，根据本发明提出：用于产生红光的子像素不是利用单独的发光二极管而是利用结构相同、串联连接的两个发光二极管构成。
[0041]
这两个发光二极管的电压降、例如最大正向电压vf是相同的，并且通过这两个发光二极管的电流也是相同的。根据电流路径ip3中的电流源i3的设计，近似适用v
dd
＝v
ip3
2vf。因此，与仅具有一个红色发光二极管的传统电流路径相比，在电源电压v
dd
相同的情况下，电流源上的电压降更低。由此减少了损耗功率，否则“多余电压”(即，v
dd
的未经由发光二极管下降的部分)必须在电流源中转换为热量。
[0042]
同时，来自电流源ip3的相同电流i流过两个发光二极管d31和d32。因此，需要较小的电流来为红色电流路径产生预设的亮度值，因为在这种情况下两个发光二极管都对亮度值做出贡献。与之相比，在仅具有一个红色发光二极管的电流路径中，实现相同的亮度需要大约两倍的电流。因此，通过发光二极管的电流越小，此处损耗功率也就越小，使得该发光二极管发热越少。因此，也意味着由温度引起的可能的色移越小。因此，在使用两个串联的红色发光二极管时，对于相同的目标亮度，红色子像素需要更小的电流。在效率恒定的情况下，只需要一半的电流。在低电流范围内，效率的典型亚线性电流相关性会导致电流值略高，但在电流消耗方面仍存在优势。如果需要的话，由于红色led的vf比绿色和蓝色发光二极管的vf低约1v，因此电源电压v
dd
只需要略微提高。因此，对于给定的目标亮度，需要更少的输入功率，并且显示器的整体效率提高。产生的废热更少。
[0043]
像素p还包括具有三个调节输出端131、231和331的操纵电路4，这些调节输出端分别连接到可调节电流源i1、i2和i3的调节输入端13、23和33中的一个。操纵电路4在输入侧还连接到电源线vsl以用于供电。输入端42处的电源电位v
dd
不仅用于对操纵电路4供电，而且也在控制电路4中进行处理，以便在相应的子像素中产生预设的亮度。换言之，操纵电路4被配置为检测电源线vsl上的电源电位v
dd
的波动并且相应地操纵可调节电流源i1至i3，使得在各个发光二极管d1、d2、d31和d32上实现期望的电压降和期望的电通流。为了产生像素p的相应颜色，还设有用于操纵电路4的控制输入端41，用于操纵相应颜色的数字或模拟控制信号施加在该操纵电路处。
[0044]
图1b以示意图示出了另一设计方案，其中提出：电流路径ip3用于在相邻的两个像素p1、p2中同时产生红光。如图所示，单独设计相应像素p1和p2的电流路径ip1和ip2。而电流路径ip3及其可调节电流源i31以及串联连接的两个发光二极管d31和d32共同使用。为此目的，该设计方案中的可调节电流源i31包括第一调节输入端33和第二调节输入端34。第一调节输入端33与像素p1的操纵电路4连接，第二调节输入端34与像素p2的操纵电路4'连接。
由此，在运行中，对于像素p1或p2，红色由二极管d31和d32混合示出，并且分别预设为两个操纵电路的总和。
[0045]
图2示出了根据本发明的装置的另一方面，在此仅限于红色的子像素。在此，为了提高在显示器生产时的产量，应构建冗余的发光二极管，使得在红色子像素的电流路径中的发光二极管失效时，冗余器件能够接管该功能。因此，在该实施方案中，具有电流路径ip3的子像素由另外的冗余电流路径rz补充。冗余电流路径rz包括可调节电流源i31和与其连接的单个发光二极管d33。该发光二极管与用于产生红光的电流路径ip3的发光二极管d31和d32结构相同。
[0046]
可调节电流源i3和i31分别通过电流驱动器晶体管m1和m2形成。电流驱动器晶体管m1的控制端子33连接到操纵电路4'的端子331。对应地，电流驱动器晶体管m2的控制端子33'与操纵电路4'的端子331'连接。为了更好地耦合和校正电源线vsl上的波动，分别设有两个电容器c1和c2，这两个电容器耦合在电源线vsl与操纵电路4
′
的控制输出端331和331
′
之间。
[0047]
在该装置的运行中，在发光二极管d31和d32在预设总亮度下正常工作时，通过电流路径ip3的电流明显更低。为了在该电流路径ip3失效时能够对其进行补偿，需要：冗余电流路径rz中的电流驱动器晶体管与发光二极管d33一起在相同的电源电压下产生相同的亮度。为此，晶体管m2应该在相同的电源电压下产生大约两倍的电流。在这种情况下，流过冗余电流路径rz的电流是正常运行中流过电流路径i3的电流的大约两倍。相应地，发光二极管d33以与具有减小电通流的发光二极管d31和d32大致相同的亮度发光。
[0048]
虽然由此也会在冗余电流路径rz中增加损耗功率，但由于产量高，在具有该结构的显示器中所使用的冗余路径的数量较少。因此，在电流路径i3中只有少数发光二极管d31或d32失效，使得由于所使用的冗余路径的数量较少，增加的损耗功率仅是微不足道的。
[0049]
对于调节晶体管m1的设计和布局，根据所使用的技术存在两种可能性。在使用大尺寸薄膜技术tft时，子像素不需要更多的电压。为了使发光二极管在调节晶体管m1的饱和范围内运行，必须v
ds
＞＝v
gs-v
th
，其中v
ds
为漏源电压，v
gs
为栅源电压。通过发光二极管的串联连接降低了目标亮度所需的电流，进而降低了v
gs
。如果调节晶体管的正向电压和栅源电压大致对应于两个红色发光二极管的红色电流路径，则电源电压能够保持基本恒定。这种关系能够表达为：
[0050]vf_blav
(v
gs
(i_
blau，max
)-v
th
)＜＝2＊v
f_rot
(v
gs
(i_
rot，max
)-v
th_rot
)。v
th blue
和v
thred
为蓝色像素和红色像素的相应的阈值电压。栅源电压为红色电流路径或蓝色电流路径的相应的电流驱动器晶体管的栅源电压。上述公式能够通过有针对性地选择红电流路径中的在tft中形成的电流驱动器晶体管的沟道宽度和沟道长度来实现。
[0051]
在特定前提下，用于红色电流路径的电流驱动器晶体管也能够被缩小。通过串联连接红色发光二极管，在较小的电流下达到所需的工作点。由于串联连接需要较小的电流，因此用于红色电流路径的电流驱动器晶体管也能够相应地缩小。因此，对于达到新目标电流所需的、在用于红色电流路径的电流驱动器晶体管上的栅源电压v
gs
保持近似恒定。在示例性的计算中，在v
ds，sat
对于红色子像素和蓝色子像素大致恒定的前提下，电源电压dv
dd
所需的增加为：
[0052]
dv
dd
＝2＊v
f_rot-v
f_blau
＝2＊1，8v-2，8v＝0，8v。
[0053]
图3此时示出了所提出的红色子像素原理的一个设计方案，其中红色子像素在两个像素p1和p2中共同使用。在这方面，这种共同使用类似于图1a，其中此时还为每个子像素设置冗余路径rz。相应地，对于像素p1，红色子像素包括冗余路径rz，该冗余路径具有电流源i31和其中串联连接的发光二极管d33。另外的电流源i3是像素p1和p2共同使用的、具有两个发光二极管d31
′
和d32
′
的电流路径的一部分。串联连接的这两个发光二极管也由用于像素p2的红色子像素的另外的电流路径的电流源i32操纵。像素p2还包括冗余支路rz，该冗余支路具有自身的电流源i33和设置在其中的发光二极管d34。如图所示，像素p1和像素p1的子像素分别共享两个发光二极管d31和d32。在相应的像素使用两个冗余路径rz时，发光二极管的数量与传统显示器中的相同。在该设计方案中，对于红色子像素，发光二极管的数量没有明显增加。
[0054]
图4示出了与图2中两个像素p1和像素p2的红色子像素的图示类似的实施方式。与图3中的实施方案相比，此时以nmos技术构建电路，使得共同使用的电流路径的二极管d31、d32以及相应的冗余路径rz的二极管d33和d34在阳极侧连接到电源线vsl。电流源i31
′
、i3
′
、i32
′
和133
′
分别连接在二极管与接地电位线gl之间。与之前的实施例相比，电流驱动器晶体管m1、m2、m3和m4此时以nmos技术而不是以pmos技术来实施。
[0055]
最后，图5示出了红色子像素的另一设计方案，其具有电流路径ip3和与之相关联的冗余路径rz。在此，该实施方式也以nmos技术实施，使得相应的二极管d31和d33的阳极连接到电源线vsl。在此，使用脉宽调制电路6作为操纵电路，该脉宽调制电路将脉宽调制信号输出到电流驱动器晶体管m1和m2的控制端子。
[0056]
图6示出了显示器的示意性实施方案，其以在此所示的方式实施像素。显示器包括成行和成列设置的多个像素p1、p2和p3，这些像素中的每个具有用于产生三种不同颜色的子像素。根据色彩空间，还能够设有四个子像素来产生不同的颜色。各个像素在此处给出的设计方案中实现。例如，每相邻的两个像素以共同的子像素来产生红色。为此，每垂直(即，列向)相邻的两个像素能够共同使用其用于红色的子像素，每水平(即行向)相邻的两个像素也能够共同使用其用于红色的子像素。在这种实施方案中，与传统屏幕相比，以该方式整体构建的红色发光二极管的数量保持恒定。同样地，各个子像素能够分别具有相关联的冗余分支，使得在各个发光二极管的生产或装配中的缺陷能够借助于冗余分支来补偿。
[0057]
由于提出使用两个串联的红色发光二极管，一个像素的红色子像素在目标亮度相同的情况下需要较小的电流。因此，在效率恒定的情况下，只需要一半的电流，其中在低电流范围内，效率下降导致电流值略高。相应地，在具有两个红色发光二极管的电流路径中，电压增加发光二极管的正向电压vf。然而，由于红色发光二极管的该正向电压明显小于绿色和蓝色发光二极管的相应正向电压，因此总电源电压v
dd
只需略微提升。因此，对于预设的目标亮度，需要更少的输入功率，并且显示器的总效率提高。同样地，产生的废热也更少。另一个优点在于：由于红色发光二极管使用较小的电流，因此红色发光二极管的自发热较低。由于所使用的材料体系，该红色发光二极管与相应的绿色和蓝色发光二极管相比具有更强的温度相关性，因此通过较小的电通流也改进了显示器的色彩稳定性。附加地，通过较小的电通流以及与之相关的较低的自发热延缓了红色发光二极管的老化。
[0058]
现在，在生产中会出现各个发光二极管的各种失效，使得在运行中必须激活相应的冗余路径。然而，现代传输方法，特别是对于μ-led，仅具有较低的失效率，使得整体使用
冗余路径对总损耗功率几乎没有影响。由此对于红色子像素能够放弃使用冗余路径中的另一发光二极管，使得一方面实现空间节约，另一方面实现成本降低。
[0059]
在共同使用相邻的两个像素中的红色子像素的电流路径时，进一步降低了成本和所需的空间。这使得开发更复杂的电路和更高分辨率的显示器成为可能。因此，虽然分别为相邻的两个像素产生红光，由此降低了红色范围内的对比度，但由于眼睛在绿色范围内的色彩敏感度高，因此这种影响并不明显。而红色子像素的发光二极管当在相邻像素中同时使用时以平均更高的电流运行。特别是对于红色发光二极管，这允许在最低范围内更简单的工作点设置，以及更高的亮度和更低的热量损耗。
[0060]
附图标记列表
[0061]
13、23、33调节输入端
[0062]
33、33'控制端子
[0063]
4控制电路
[0064]
131、231、331调节输出端
[0065]
c1、c2、c3、c4电容器
[0066]
d1、d2光电子半导体器件
[0067]
d31、d32光电子半导体器件
[0068]
gl参考电位线
[0069]
gnd参考电位
[0070]
i1、i2、i3可调节电流源
[0071]
i31、i32、i33可调节电流源
[0072]
ip1、ip2、ip3电流路径
[0073]
int接口
[0074]
p像素
[0075]
rz冗余路径
[0076]
vs电源端子
[0077]
vsl电源线
[0078]
vdd电源电位