1.本技术涉及工件检测技术领域，尤其涉及开关柜支撑件微粒附着程度评估方法、装置及试验平台。
背景技术：
2.开关柜是输配电工作的重要设备，它占地面积小、受环境干扰小、不太依赖维护，在电力系统中被广泛应用。然而，由于制造工艺的缺陷或是长时间运行过程中造成的老化，开关柜内部不可避免存在着绝缘隐患，当这些隐患转化为故障时，轻则引起停电跳闸、降低供电质量，重则造成人身伤亡。
3.开关柜运行过程中，除了承受日常工作的交流电压外，还有可能承受外界雷电冲击，在两种激励的共同作用下，原本不明显的绝缘缺陷可能会被进一步扩大，造成不可估量的后果，开关柜支撑件上附着微粒就是一种典型的开关柜部件绝缘缺陷。但是目前却缺乏考虑雷电冲击下开关柜支撑件微粒附着程度的评估。
技术实现要素：
4.本技术提供了开关柜支撑件微粒附着程度评估方法、装置及试验平台，用于解决现有技术缺乏针对开关柜支撑件微粒附着情况的分析方案的技术问题。
5.有鉴于此，本技术第一方面提供了开关柜支撑件微粒附着程度评估方法，包括：
6.在开关柜中喷洒污秽至预置污秽浓度后，以预置时间间隔采集开关柜内的污秽浓度测量值，并使污秽浓度平均值保持在污秽浓度阈值范围内，所述污秽浓度平均值根据两个所述污秽浓度测量值计算得到；
7.在采集不同的所述污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，所述预设工频电压包括第一预置幅值，所述模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻；
8.采用预置优化算法根据所述综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型；
9.根据所述模拟雷击时刻、所述第一预置幅值和综合对地电压计算值分别计算出时刻影响参考值和电压幅值参考因子，所述综合对地电压计算值根据所述综合电压计算优化模型确定；
10.依据所述时刻影响参考值和所述电压幅值参考因子计算得到的附着度评估因子对开关柜中的所述支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果。
11.优选地，所述在采集不同的所述污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，所述预设工频电压包括第一预置幅值，所述模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻，包括：
12.s1：通过工频变压器产生第一预置幅值的预设工频电压作用在开关柜中支撑件样品上；
13.s2：在监测到所述工频变压器产生的实时工频交流波相位为模拟雷击时刻时，通过雷击模拟器产生第二预置幅值的模拟雷击电压作用在所述开关柜中支撑件样品上；
14.s3：在采集不同的所述污秽浓度测量值时，通过预置监测仪获取多组所述预设工频电压和所述模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值。
15.优选地，所述采用预置优化算法根据所述综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型，包括：
16.根据初始电压计算模型确定初始综合对地电压计算值；
17.根据所述初始综合对地电压计算值和所述综合对地电压测量值构建优化目标函数；
18.基于预置优化算法通过迭代优化的方式对所述优化目标函数进行优化计算，得到最优误差系数；
19.根据所述最优误差系数对所述初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型。
20.优选地，所述依据所述时刻影响参考值和所述电压幅值参考因子计算得到的附着度评估因子对开关柜中的所述支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果，包括：
21.依据所述时刻影响参考值、所述电压幅值参考因子和预置权重计算附着度评估因子；
22.将所述附着度评估因子与预置评估参考范围进行对比，得到所述支撑件样品微粒附着程度的评估结果。
23.本技术第二方面提供了开关柜支撑件微粒附着程度评估装置，包括：
24.污秽试验单元，用于在开关柜中喷洒污秽至预置污秽浓度后，以预置时间间隔采集开关柜内的污秽浓度测量值，并使污秽浓度平均值保持在污秽浓度阈值范围内，所述污秽浓度平均值根据两个所述污秽浓度测量值计算得到；
25.电压采集单元，用于在采集不同的所述污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，所述预设工频电压包括第一预置幅值，所述模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻；
26.模型优化单元，用于采用预置优化算法根据所述综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型；
27.评估计算单元，用于根据所述模拟雷击时刻、所述第一预置幅值和综合对地电压计算值分别计算出时刻影响参考值和电压幅值参考因子，所述综合对地电压计算值根据所述综合电压计算优化模型确定；
28.评估分析单元，用于依据所述时刻影响参考值和所述电压幅值参考因子计算得到的附着度评估因子对开关柜中的所述支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果。
29.优选地，所述电压采集单元，具体用于：
30.s1：通过工频变压器产生第一预置幅值的预设工频电压作用在开关柜中支撑件样品上；
31.s2：在监测到所述工频变压器产生的实时工频交流波相位为模拟雷击时刻时，通过雷击模拟器产生第二预置幅值的模拟雷击电压作用在所述开关柜中支撑件样品上；
32.s3：在采集不同的所述污秽浓度测量值时，通过预置监测仪获取多组所述预设工
频电压和所述模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值。
33.优选地，所述模型优化单元，具体用于：
34.根据初始电压计算模型确定初始综合对地电压计算值；
35.根据所述初始综合对地电压计算值和所述综合对地电压测量值构建优化目标函数；
36.基于预置优化算法通过迭代优化的方式对所述优化目标函数进行优化计算，得到最优误差系数；
37.根据所述最优误差系数对所述初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型。
38.优选地，所述评估分析单元，具体用于：
39.依据所述时刻影响参考值、所述电压幅值参考因子和预置权重计算附着度评估因子；
40.将所述附着度评估因子与预置评估参考范围进行对比，得到所述支撑件样品微粒附着程度的评估结果。
41.本技术第三方面提供了开关柜支撑件微粒附着程度试验平台，包括：主机、工频交流单元、雷击模拟单元、信息监测单元和开关柜；
42.所述主机分别与所述工频交流单元、所述雷击模拟单元、所述信息监测单元和开关柜连接；
43.所述所述工频交流单元、所述雷击模拟单元均与所述开关柜电连接；
44.所述工频交流单元、所述雷击模拟单元、所述信息监测单元和所述开关柜均通过接地装置接地。
45.优选地，所述工频交流单元包括工频控制器、工频源、dc-ac模块、ac-dc模块、工频变压器和第一开关；
46.所述雷击模拟单元包括雷击模拟控制器、雷击模拟器和第二开关；
47.所述信息监测单元包括第一高压测量模块、第二高压测量模块、综合对地电压监测仪和污秽浓度监测仪；
48.所述开关柜包括支撑件样品、穿越孔、分隔板和污秽喷洒装置，且所述支撑件样品通过穿越孔布设在所述分隔板上；
49.所述污秽喷洒装置包括污秽喷头、污秽样品盒、污秽导管和污秽控制器。
50.从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点：
51.本技术中，提供了开关柜支撑件微粒附着程度评估方法，包括：在开关柜中喷洒污秽至预置污秽浓度后，以预置时间间隔采集开关柜内的污秽浓度测量值，并使污秽浓度平均值保持在污秽浓度阈值范围内，污秽浓度平均值根据两个污秽浓度测量值计算得到；在采集不同的污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，预设工频电压包括第一预置幅值，模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻；采用预置优化算法根据综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型；根据模拟雷击时刻、第一预置幅值和综合对地电压计算值分别计算出时刻影响参考值和电压幅值参考因子，综合对地电压计算值根据综合电压计算优化模型确定；依据时刻影响参考值和电压幅值参考因子计算得
到的附着度评估因子对开关柜中的支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果。
52.本技术提供的开关柜支撑件微粒附着程度评估方法，提供了一种基于测量和计算分析的支撑件微粒附着程度评估的有效可行的方案，在开关柜中污秽浓度呈变化状态的情况下，获取不同污秽浓度下开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值；并基于此值计算出附着度评估因子，实现对支撑件样品微粒附着程度的评估；测量和计算过程简单易执行，且依据因素符合实际特点，因此可以确保评估结果的可靠性。因此，本技术能够解决现有技术缺乏针对开关柜支撑件微粒附着情况的分析方案的技术问题。
附图说明
53.图1为本技术实施例提供的开关柜支撑件微粒附着程度评估方法的流程示意图；
54.图2为本技术实施例提供的开关柜支撑件微粒附着程度评估装置的结构示意图；
55.图3为本技术实施例提供的开关柜支撑件微粒附着程度试验平台的结构示意图；
56.附图标记：
57.主机1、雷击模拟控制器2、雷击模拟器3、第一高压测量模块41、第二高压测量模块42、开关柜5、支撑件样品6、接地装置一71、接地装置二72、接地装置三73、接地装置四74、接地装置五75、接地装置六76、工频波形监测模块8、工频变压器9、dc-ac模块10、ac-dc模块11、工频源12、工频控制器13、综合对地电压监测仪14、电源分隔器15、第一开关161、第二开关162、穿越孔17、分隔板18、污秽控制器19、污秽喷头20、污秽浓度监测仪21、污秽样品盒22、污秽导管23、第一信号发射器241、第二信号发射器242。
具体实施方式
58.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
59.为了便于理解，请参阅图1，本技术提供的开关柜支撑件微粒附着程度评估方法的实施例，包括：
60.步骤101、在开关柜中喷洒污秽至预置污秽浓度后，以预置时间间隔采集开关柜内的污秽浓度测量值，并使污秽浓度平均值保持在污秽浓度阈值范围内，污秽浓度平均值根据两个污秽浓度测量值计算得到。
61.预置污秽浓度p0和预置时间间隔t0都可以根据实际情况设置，在此不做限定。开关柜内的污秽浓度测量值pi在污秽浓度阈值范围内即可算是保持开关柜的污秽浓度变化。此处的污秽浓度阈值范围是根据预置污秽浓度计算得到，即两个污秽浓度测量值计算得到的污秽浓度平均值p与预置污秽浓度p0的绝对误差小于δp，即为在污秽浓度阈值范围内。
62.此外，预置污秽浓度的变化范围一般为p0至5p0，一般是以间隔|p
0-5p0|/(n-1)，其中n为获取的数据组数。污秽浓度即用于模拟支撑件上微粒附着状态。
63.步骤102、在采集不同的污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，预设工频电压包括第一预置
幅值，模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻。
64.进一步地，步骤102，包括：
65.s1：通过工频变压器产生第一预置幅值的预设工频电压作用在开关柜中支撑件样品上；
66.s2：在监测到工频变压器产生的实时工频交流波相位为模拟雷击时刻时，通过雷击模拟器产生第二预置幅值的模拟雷击电压作用在开关柜中支撑件样品上；
67.s3：在采集不同的污秽浓度测量值时，通过预置监测仪获取多组预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值。
68.在设置不同的预置污秽浓度的情况下，可以测量到开关柜中不同的污秽浓度测量值，同时每次都可以通过预置监测仪获取到支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值ur，所以，若是污秽浓度测量值获取n组，那么综合对地电压测量值也可以获取n组。
69.预设工频电压和模拟雷击电压都是可以通过特定生成器产生，并且可以控制幅值大小，即第一预置幅值u
s1
和第二预置幅u
s2
值可设置控制。此外，需要说明的是，雷击模拟器需要在工频变压器产生的实时工频交流波相位为模拟雷击时刻时才可产生模拟雷击电压，实现工频电压与模拟雷击电压共同作用在支撑件样品上；即实时工频交流波相位等于模拟雷击时刻此值可以预先设置，所以可以设置不同的模拟雷击时刻从而获取到多组不同的综合对地电压测量值。
70.步骤103、采用预置优化算法根据综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型。
71.进一步地，步骤103，包括：
72.根据初始电压计算模型确定初始综合对地电压计算值；
73.根据初始综合对地电压计算值和综合对地电压测量值构建优化目标函数；
74.基于预置优化算法通过迭代优化的方式对优化目标函数进行优化计算，得到最优误差系数；
75.根据最优误差系数对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型。
76.初始电压计算模型表达为：
[0077][0078]
其中，u
p
即为初始综合对地电压计算值，为模拟雷击时刻，h初始误差系数，η为积分变量。
[0079]
本实施例选取的预置优化算法是启发式搜索算法，构建优化目标函数可以表达为：
[0080][0081]
其中，f(h)表示优化目标函数，n为获取的测量数据组数，u
pi
、u
ri
分别表示第i组初
始综合对地电压计算值和综合对地电压测量值。
[0082]
迭代优化过程中先产生扰动新解h'，计算优化目标函数的变化情况：
[0083]
δf＝f(h)-f(h')
[0084]
若δf≥0，则接受新解，否则按照概率接受准则获得新解；然后判断是否达到迭代次数，若否，继续产生扰动新解，若是，则进一步判断是否满足终止条件，若是，则得到最优解h0，若否，则重置迭代次数，继续产生扰动新解，进行迭代优化，直至得到最优解，即最优误差系数h0。
[0085]
将最优误差系数h0代入初始电压计算模型中，即可得到综合电压计算优化模型：
[0086][0087]
其中，u
p
'即为综合对地电压计算值。
[0088]
步骤104、根据模拟雷击时刻、第一预置幅值和综合对地电压计算值分别计算出时刻影响参考值和电压幅值参考因子，综合对地电压计算值根据综合电压计算优化模型确定。
[0089]
时刻影响参考值是根据不同的模拟雷击时刻和综合对地电压计算值u
p
'计算得到，计算过程表达为：
[0090][0091]
而电压幅值参考因子则是根据第一预置幅值u
s1
和综合对地电压计算值u
p
'计算得到，计算过程表达为：
[0092][0093]
步骤105、依据时刻影响参考值和电压幅值参考因子计算得到的附着度评估因子对开关柜中的支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果。
[0094]
进一步地，步骤105，包括：
[0095]
依据时刻影响参考值、电压幅值参考因子和预置权重计算附着度评估因子；
[0096]
将附着度评估因子与预置评估参考范围进行对比，得到支撑件样品微粒附着程度的评估结果。
[0097]
附着度评估因子计算过程描述为：
[0098][0099]
其中，w1、w2即预置权重，且满足w1 w2＝1，β为附着度评估因子。
[0100]
根据附着度评估因子β和预置评估参考范围的评估过程为：
[0101]
若β∈[0.9,1.1]，则表示开关系支撑件微粒附着程度非常高，需要立即更换相关支撑件；
[0102]
若β∈[0.75,0.9]∪[1.1,1.25]，则表示开关柜支撑件微粒附着程度达到一定等级，需要安排检修；
[0103]
若β∈[1.25, ∞]∪[-∞,0.75]，则表示开关柜支撑件微粒附着程度较低，不需要进行处理。
[0104]
本技术实施例提供的开关柜支撑件微粒附着程度评估方法，提供了一种基于测量和计算分析的支撑件微粒附着程度评估的有效可行的方案，在开关柜中污秽浓度呈变化状态的情况下，获取不同污秽浓度下开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值；并基于此值计算出附着度评估因子，实现对支撑件样品微粒附着程度的评估；测量和计算过程简单易执行，且依据因素符合实际特点，因此可以确保评估结果的可靠性。因此，本技术实施例能够解决现有技术缺乏针对开关柜支撑件微粒附着情况的分析方案的技术问题。
[0105]
为了便于理解，请参阅图2，本技术提供了开关柜支撑件微粒附着程度评估装置的实施例，包括：
[0106]
污秽试验单元201，用于在开关柜中喷洒污秽至预置污秽浓度后，以预置时间间隔采集开关柜内的污秽浓度测量值，并使污秽浓度平均值保持在污秽浓度阈值范围内，污秽浓度平均值根据两个污秽浓度测量值计算得到；
[0107]
电压采集单元202，用于在采集不同的污秽浓度测量值时，获取多组开关柜中支撑件样品在预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值，预设工频电压包括第一预置幅值，模拟雷击电压包括第二预置幅值，且对应模拟雷击时刻；
[0108]
模型优化单元203，用于采用预置优化算法根据综合对地电压测量值对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型；
[0109]
评估计算单元204，用于根据模拟雷击时刻、第一预置幅值和综合对地电压计算值分别计算出时刻影响参考值和电压幅值参考因子，综合对地电压计算值根据综合电压计算优化模型确定；
[0110]
评估分析单元205，用于依据时刻影响参考值和电压幅值参考因子计算得到的附着度评估因子对开关柜中的支撑件样品微粒附着程度进行评估，得到评估结果。
[0111]
进一步地，电压采集单元202，具体用于：
[0112]
s1：通过工频变压器产生第一预置幅值的预设工频电压作用在开关柜中支撑件样品上；
[0113]
s2：在监测到工频变压器产生的实时工频交流波相位为模拟雷击时刻时，通过雷击模拟器产生第二预置幅值的模拟雷击电压作用在开关柜中支撑件样品上；
[0114]
s3：在采集不同的污秽浓度测量值时，通过预置监测仪获取多组预设工频电压和模拟雷击电压共同作用下的综合对地电压测量值。
[0115]
进一步地，模型优化单元203，具体用于：
[0116]
根据初始电压计算模型确定初始综合对地电压计算值；
[0117]
根据初始综合对地电压计算值和综合对地电压测量值构建优化目标函数；
[0118]
基于预置优化算法通过迭代优化的方式对优化目标函数进行优化计算，得到最优误差系数；
[0119]
根据最优误差系数对初始电压计算模型进行优化，得到综合电压计算优化模型。
[0120]
进一步地，评估分析单元205，具体用于：
[0121]
依据时刻影响参考值、电压幅值参考因子和预置权重计算附着度评估因子；
[0122]
将附着度评估因子与预置评估参考范围进行对比，得到支撑件样品微粒附着程度的评估结果。
[0123]
为了便于理解，请参阅图3，本技术提供了开关柜支撑件微粒附着程度试验平台，包括：主机、工频交流单元、雷击模拟单元、信息监测单元和开关柜5；
[0124]
主机分别与工频交流单元、雷击模拟单元、信息监测单元和开关柜连接；
[0125]
工频交流单元、雷击模拟单元均与开关柜电连接；
[0126]
工频交流单元、雷击模拟单元、信息监测单元和开关柜均通过接地装置接地。
[0127]
进一步地，工频交流单元包括工频控制器、工频源、dc-ac模块、ac-dc模块、工频变压器和第一开关；
[0128]
雷击模拟单元包括雷击模拟控制器、雷击模拟器和第二开关；
[0129]
信息监测单元包括第一高压测量模块、第二高压测量模块、综合对地电压监测仪和污秽浓度监测仪；
[0130]
开关柜包括支撑件样品、穿越孔、分隔板和污秽喷洒装置，且支撑件样品通过穿越孔布设在分隔板上；
[0131]
污秽喷洒装置包括污秽喷头、污秽样品盒、污秽导管和污秽控制器。
[0132]
需要说明的是，工频变压器9的输入端经dc-ac模块10、ac-dc模块11、工频源12、工频控制器13与主机1相连，工频变压器9的输出端经第一开关161与电源分隔器15的输入端、工频波形监测模块8的输入端相连，工频波形监测模块8的信号端与主机1相连，电源分隔器15的输出端与第二高压测量模块42的输入端相连，第二高压测量模块42的输出端与支撑件样品6的输入端相连，第一信号发射器241位于第二高压测量模块42的输出端，向综合对地电压监测仪14发出信号，综合对地电压监测仪14的信号端与主机1相连。
[0133]
雷击模拟器3的输入端经雷击模拟控制器2与主机1相连，雷击模拟器3的输出端经第二开关162与第一高压测量模块41的输入端相连，第一高压测量模块41的输出端与支撑件样品6的输入端相连，第二信号发射器242位于第一高压测量模块41的输出端，向综合对地电压监测仪14发出信号。
[0134]
可以理解的是，信息监测单元还包括工频波形监测模块8，且工频波形监测模块8可以检测到实时工频交流波，进而获取到实时相位变化，从而控制雷击模拟器在模拟雷击时刻产生模拟雷击电压，实现双重电压共同作用在支撑件样品上。此外，综合对地电压监测仪14通过第一信号发射器241和第二信号发射器242采集电压信息。
[0135]
污秽样品盒22经污秽导管23与污秽喷头20的输入端相连，污秽喷头20的信号端经污秽控制器19与主机1相连，污秽浓度监测仪21经污秽控制器19与主机1相连，支撑件样品6穿过位于分隔板18上的穿越孔17，支撑件样品6与接地装置一71相连。
[0136]
工频变压器9、工频波形监测模块8、电源分隔器15、第二高压测量模块42、第一高压测量模块41、雷击模拟器3分别与接地装置二72、接地装置三73、接地装置四74、接地装置五75、接地装置六76相连。
[0137]
具体的试验过程中，在主机1上设定第一预置幅值u
s1
，主机1向工频控制器13发送幅值设定信号，工频控制器13经市电的工频源12、ac-dc模块11、dc-ac模块10控制工频变压器9产生幅值为u
s1
的预设工频电压，第一信号发射器241向综合对地电压监测仪14发送波形数据，同时在主机1上通过工频波形监测模块8监测实时工频交流波的相位，在主机1上设定第二预置幅值u
s2
和模拟雷击时刻当工频波形监测模块8向主机1传输实时工频交流波形相位为主机1向雷击模拟控制器2发送幅值设定信号和雷击时刻信号，雷击模拟控制器2控制雷击模拟器3产生幅值为u
s2
的模拟雷击电压，第二信号发射器242向综合对地电压监测仪14发送波形数据。
[0138]
污秽程度试验监测的过程为：在主机1上设定开关柜5的污秽浓度为p0，主机1同时向污秽控制器19和污秽样品盒22发出污秽浓度设定信号，污秽控制器19开放污秽喷头20，污秽样品盒22经将污秽通过污秽导管23输送至污秽喷头20，污秽喷头20向开关柜5内部喷洒污秽进而调节开关柜5内的污秽浓度；污秽浓度监测仪21每隔t0秒同时测量开关柜5内的污秽浓度，并将结果传至污秽控制器19，污秽控制器19计算两个测量结果的平均值若与p0的绝对误差小于δp，则将传回至主机1，同时关闭污秽喷头20。
[0139]
综合对地电压监测仪14通过第一信号发射器241和第二信号发射器242传输的波形数据监测支撑件样品6在预设工频电压和模拟雷击电压同时作用下的综合对地电压ur。基于上述试验获取的数据进行评估因子计算，进而就可以得到开关柜支撑件微粒附着程度的评估结果。
[0140]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0141]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0142]
另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0143]
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以通过一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全
部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(英文全称：read-only memory，英文缩写：rom)、随机存取存储器(英文全称：random access memory，英文缩写：ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0144]
以上所述，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。