技术编号：35752952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。cmp用铈钇研磨材料的制备方法.本专利申请是申请号：.，申请日：年月日，名称：cmp用铈钇研磨材料及其制备方法，的分案申请。技术领域.本发明属于稀土研磨、抛光材料领域，具体涉及一种cmp用铈钇研磨材料的制备方法。背景技术.cmp化学机械抛光(chemical mechanical planarization)技术是大规模集成电路制造过程中必不可少的工序。广泛用于层间绝缘膜(inter-level dielectric)、浅槽隔离(shallow tr...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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