一种去胶机晶圆载盘的制作方法-j9九游会真人

1.本实用新型涉及晶圆加工领域，尤其涉及一种去胶机晶圆载盘。


背景技术：

2.光刻胶是半导体制造过程中重要的生产材料，可以通过光刻胶对图形进行转移，然后用刻蚀机刻蚀出图形后，需要去掉光刻胶以进行下一步工序。去胶机就是负责光刻胶的清扫和处理，目前小尺寸wafer(#2,#4，#6)光刻胶去除一般会采用手动传片的方式进行。去胶机有桶式去胶机，一次可以放置一盒(25片)，但是温度不能控制，刻蚀率均匀性很差；另一种是平台式机台，平台上有加热，可控制温度，刻蚀率均匀性都较稳定，使用效果好。
3.为了更好的导热性，平台式机台设计为晶圆通过导热式晶圆载盘放置加热平台上，平台位置较大，通常可放置4片6英寸片子，4片晶圆用同一个金属镂空模块，金属镂空模块和加热平台只有边缘是固定的。由于晶圆载盘过于光滑，放置的晶圆在生产过程中位置会漂移，从而导致晶圆刮伤或者破片；同时在加热去胶操作后，底部会对晶圆产生应力，造成晶圆取出困难，不利于晶圆的加工生产。
4.因此，针对上述问题，提供一种去胶机晶圆载盘，使其具有防止晶圆滑片破片、利于手动放置和取出的功能，是本领域亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种去胶机晶圆载盘。
6.本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
7.本实用新型的第一方面，提供一种去胶机晶圆载盘，包括多个设置于盘体上的晶圆凹槽，所述晶圆凹槽的形状适配晶圆形状，晶圆凹槽的深度大于晶圆的深度，每个晶圆凹槽外圈均设置有缺口；
8.所述晶圆凹槽底部为十字网格线槽，且每个晶圆凹槽底部设置有三针升降孔。
9.进一步地，所述盘体的外周设置有多个固定螺纹孔。
10.进一步地，所述盘体为正方形，所述晶圆凹槽设置为四个，对称式设置于盘体上。
11.进一步地，所述晶圆为圆形晶圆，所述晶圆凹槽直径略大于晶圆直径。
12.进一步地，所述三针升降孔沿晶圆凹槽中心对称设置。
13.进一步地，每个晶圆凹槽外圈均设置有两个缺口。
14.进一步地，同一个晶圆凹槽外圈的两个缺口呈90度分布。
15.进一步地，所述盘体为铝合金盘体。
16.进一步地，所述盘体的厚度为5毫米。
17.进一步地，所述十字网格线槽的网格边长为2毫米，线槽的深度为1毫米。
18.本实用新型的有益效果是：
19.(1)在本实用新型一示例性实施例中，在盘体上设置有多个晶圆凹槽，晶圆凹槽的形状适配晶圆形状，从而使得每个晶圆凹槽容置一个待加工晶圆，解决现有技术只采用一
个容置区域放置多个晶圆会使得晶圆之间刮伤或者破片的问题。其次晶圆凹槽的深度大于晶圆的深度，使得加工过程不对晶圆造成影响，并且每个晶圆凹槽外圈均设置有缺口，方便晶圆加工后通过翘笔进行背部翘起与取出。之后，盘体采用底部粗糙处理设计，即在底部刻画十字网格线槽，减少因晶圆背部光滑而造成晶圆在放置和加工过程中位移，从而减少晶圆和载盘晶圆凹槽的碰撞，并且在取片的时候可以释放晶圆背部的应力，不会因太光滑和晶圆相互吸引使得晶圆难以取出。最后，每个晶圆凹槽底部设置有三针升降孔，该三针升降孔可通过外部升降针进行操作，从而方便升起和降下晶圆，减少使用直接通过缺口取出对操作人员的烫伤问题。另外，十字网格线槽的设置，也减少了三针升降孔对晶圆的升降难度。
20.(2)在本实用新型又一示例性实施例中，为了方便固定，盘体的外周设置有多个固定螺纹孔。同时，采用该方式，可以方便对晶圆载盘进行更换，即可根据待加工晶圆的形状和大小适配对应的晶圆载盘。
21.(3)在本实用新型又一示例性实施例中，盘体为正方形，所述晶圆凹槽设置为四个，对称式设置于盘体上。采用对称式设置，使得各晶圆凹槽的受热均匀，并且在装片和取片时更加方便。
22.(4)在本实用新型又一示例性实施例中，所述盘体为铝合金盘体，铝合金盘体导热性较好。
附图说明
23.图1为本实用新型一示例性实施例中提供的一种去胶机晶圆载盘的俯视示意图；
24.图中，1-盘体，2-晶圆凹槽，3-缺口，4-十字网格线槽，5-三针升降孔，6-固定螺纹孔。
具体实施方式
25.下面结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.在本实用新型的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
27.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
28.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数
形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
29.应当理解，尽管在本技术可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
30.此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
31.参见图1，图1示出了本实用新型一示例性实施例中提供的一种去胶机晶圆载盘，包括多个设置于盘体1上的晶圆凹槽2，所述晶圆凹槽2的形状适配晶圆形状，晶圆凹槽2的深度大于晶圆的深度，每个晶圆凹槽2外圈均设置有缺口3；
32.所述晶圆凹槽2底部为十字网格线槽4，且每个晶圆凹槽2底部设置有三针升降孔5。
33.具体地，在本示例性实施例中，在使用该载盘时，将晶圆放在载盘的晶圆凹槽2内，然后将载盘放置于加热平台上，一起推进等离子体反应腔室中进行生产工艺；之后生产工艺完成后，载盘和加热平台一起拖出；使用翘笔从缺口3处沿晶圆背面翘起晶圆，然后完成取片动作，完成一个生产流程。
34.首先在盘体1上设置有多个晶圆凹槽2，晶圆凹槽2的形状适配晶圆形状，从而使得每个晶圆凹槽2容置一个待加工晶圆，解决现有技术只采用一个容置区域放置多个晶圆会使得晶圆之间刮伤或者破片的问题。其次晶圆凹槽2的深度大于晶圆的深度，使得加工过程不对晶圆造成影响，并且每个晶圆凹槽2外圈均设置有缺口3，方便晶圆加工后通过翘笔进行背部翘起与取出。之后，盘体1采用底部粗糙处理设计，即在底部刻画十字网格线槽4，减少因晶圆背部光滑而造成晶圆在放置和加工过程中位移，从而减少晶圆和载盘晶圆凹槽2的碰撞，并且在取片的时候可以释放晶圆背部的应力，不会因太光滑和晶圆相互吸引使得晶圆难以取出。最后，每个晶圆凹槽2底部设置有三针升降孔5，该三针升降孔5可通过外部升降针进行操作，从而方便升起和降下晶圆，减少使用直接通过缺口3取出对操作人员的烫伤问题。另外，十字网格线槽4的设置，也减少了三针升降孔5对晶圆的升降难度(减少应力和吸附力)。
35.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述盘体1的外周设置有多个固定螺纹孔6。
36.具体地，在该示例性实施例中，如图1所示，所述盘体1是放置于平台式机台的加热平台上，为了方便固定，因此在其外周设置有多个固定螺纹孔6，从而与平台式机台的加热平台进行固定。而在如图1所示的具体示例性实施例中，固定螺纹孔6设置为四个。
37.同时，采用该方式，可以方便对晶圆载盘进行更换，即可根据待加工晶圆的形状和大小适配对应的晶圆载盘。
38.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述盘体1为正方形，所述晶圆凹槽2设置为四个，对称式设置于盘体1上。
39.具体地，如图1所示，采用对称式设置，使得各晶圆凹槽2的受热均匀，并且在装片和取片时更加方便。
40.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述晶圆为圆形晶圆，所述晶圆凹槽2直径略大于晶圆直径。
41.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，所述三针升降孔5沿晶圆凹槽中心对称设置。
42.具体地，在该示例性实施例中，如图1所示，三针升降孔5为对称设置，使得晶圆的升降更加顺利，减少与晶圆凹槽2的碰撞，并且是晶圆受力均匀。
43.更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，每个晶圆凹槽2外圈均设置有两个缺口3。更优地，在一示例性实施例中，如图1所示，同一个晶圆凹槽外圈的两个缺口呈90度分布。
44.具体地，在该示例性实施例中，采用该种方式方便操作人员进行操作。
45.更优地，在一示例性实施例中，所述盘体为铝合金盘体。铝合金盘体导热性较好。
46.更优地，在一示例性实施例中，所述盘体的厚度为5毫米。更优地，在一示例性实施例中，所述十字网格线槽的网格边长为2毫米，线槽的深度为1毫米。
47.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。