1.本技术涉及芯片存储技术领域，尤其涉及一种芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质。
背景技术：
2.芯片内部的闪存(即flash)用于存储用户数据，这些数据需要在断电时保持，其中，闪存的存储流程通常包括擦除和写入操作。
3.一般情况下，芯片内部闪存的擦写次数限制为10万次，如果程序的擦写次数超过这个限制，将导致所操作的内存永久失效，进而提高数据存储管理的成本。
技术实现要素：
4.本技术的主要目的在于提供一种芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质，旨在解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
5.为实现上述目的，本技术提供一种芯片存储管理方法，所述芯片存储管理方法包括：
6.在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
7.根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；
8.基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。
9.可选地，所述在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数的步骤包括：
10.在响应于数据写入操作时，获取初始地址参数；
11.基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数。
12.可选地，所述基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数的步骤包括：
13.对所述初始地址参数进行计数操作，得到计数后的地址参数；
14.检测所述计数后的地址参数是否符合所述循环条件；
15.若所述计数后的地址参数符合所述循环条件，则对所述计数后的地址参数进行置零，并对预设基地址进行数据擦除操作，得到所述目标地址参数；
16.若所述当前变化值不符合所述循环条件，则得到所述目标地址参数。
17.可选地，所述基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作的步骤包括：
18.根据所述目标内存地址，执行所述数据写入操作，并向预设数组中写入所述目标地址参数。
19.可选地，所述在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数的步骤包括：
20.在响应于数据读取操作时，从所述数组中读取若干地址参数；
21.基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数。
22.可选地，所述基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数的步骤包括：
23.根据所述若干地址参数的顺序，确定若干数值范围及各自对应的所述写入状态条件；
24.依次检测所述数值范围是否符合对应的所述写入状态条件；
25.若检测到所述数据范围符合对应的所述写入状态条件，则确定所述目标内存地址参数。
26.可选地，所述根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址的步骤包括：
27.根据所述目标地址参数，得到待跳变的内存变量；
28.对所述待跳变的内存变量进行地址移动，得到跳变后的内存变量；
29.根据所述基地址及所述跳变后的内存变量，得到所述目标内存地址。
30.本技术实施例还提出一种芯片存储管理装置，所述芯片存储管理装置包括：
31.响应确定模块，用于在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
32.循环跳变模块，用于根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；
33.数据访问模块，用于基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。
34.本技术实施例还提出一种终端设备，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的芯片存储管理程序，所述芯片存储管理程序被所述处理器执行时实现如上所述的芯片存储管理方法的步骤。
35.本技术实施例还提出一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有芯片存储管理程序，所述芯片存储管理程序被处理器执行时实现如上所述的芯片存储管理方法的步骤。
36.本技术实施例提出的芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质，通过在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
附图说明
37.图1为本技术芯片存储管理装置所属终端设备的功能模块示意图；
38.图2为本技术芯片存储管理方法第一示例性实施例的流程示意图；
39.图3为本技术芯片存储管理方法第二示例性实施例的流程示意图；
40.图4为本技术芯片存储管理方法第三示例性实施例的流程示意图；
41.图5为本技术芯片存储管理方法第四示例性实施例的流程示意图。
42.本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
43.应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
44.本技术实施例的主要j9九游会真人的解决方案是：在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
45.本技术实施例考虑到，针对解决芯片内部闪存的耐久性差这一问题，芯片内部闪存的擦写次数限制为10万次，如果程序的擦写次数超过这个限制，将导致所操作的内存永久失效。
46.因此，本技术实施例方案，从提升芯片内部闪存的耐久性的实际问题出发，通过增加芯片内部闪存的擦写次数来存储数据的操作，解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
47.具体地，参照图1，图1为本技术芯片存储管理装置所属终端设备的功能模块示意图。该芯片存储管理装置可以为独立于终端设备的、能够进行芯片存储管理的装置，其可以通过硬件或软件的形式承载于终端设备上。该终端设备可以为手机、平板电脑等具有数据处理功能的智能移动终端，还可以为具有数据处理功能的固定终端设备或服务器等。
48.在本实施例中，该芯片存储管理装置所属终端设备至少包括输出模块110、处理器120、存储器130以及通信模块140。
49.存储器130中存储有操作系统以及芯片存储管理程序，芯片存储管理装置可以将在响应于数据访问操作时，确定的目标地址参数；根据目标地址参数，确定的当前内存地址并对当前内存地址进行循环跳变，得到的目标内存地址；基于目标内存地址，执行的数据访问操作等信息存储于该存储器130中；输出模块110可为显示屏等。通信模块140可以包括wifi模块、移动通信模块以及蓝牙模块等，通过通信模块140与外部设备或服务器进行通信。
50.其中，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时实现以下步骤：
51.在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
52.根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；
53.基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。
54.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
55.在响应于数据写入操作时，获取初始地址参数；
56.基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数。
57.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
58.对所述初始地址参数进行计数操作，得到计数后的地址参数；
59.检测所述计数后的地址参数是否符合所述循环条件；
60.若所述计数后的地址参数符合所述循环条件，则对所述计数后的地址参数进行置
零，并对预设基地址进行数据擦除操作，得到所述目标地址参数；
61.若所述当前变化值不符合所述循环条件，则得到所述目标地址参数。
62.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
63.根据所述目标内存地址，执行所述数据写入操作，并向预设数组中写入所述目标地址参数。
64.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
65.在响应于数据读取操作时，从所述数组中读取若干地址参数；
66.基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数。
67.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
68.根据所述若干地址参数的顺序，确定若干数值范围及各自对应的所述写入状态条件；
69.依次检测所述数值范围是否符合对应的所述写入状态条件；
70.若检测到所述数据范围符合对应的所述写入状态条件，则确定所述目标内存地址参数。
71.进一步地，存储器130中的芯片存储管理程序被处理器执行时还实现以下步骤：
72.根据所述目标地址参数，得到待跳变的内存变量；
73.对所述待跳变的内存变量进行地址移动，得到跳变后的内存变量；
74.根据所述基地址及所述跳变后的内存变量，得到所述目标内存地址。
75.本实施例通过上述方案，具体通过在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
76.基于上述终端设备架构但不限于上述架构，提出本技术方法实施例。
77.参照图2，图2为本技术芯片存储管理方法第一示例性实施例的流程示意图。所述芯片存储管理方法包括：
78.步骤s210，在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
79.本实施例方法的执行主体可以是一种芯片存储管理装置，也可以是一种芯片存储管理终端设备或服务器，本实施例以芯片存储管理装置进行举例，该芯片存储管理装置可以集成在具有数据处理功能的智能手机、平板电脑等终端设备上。
80.本实施例从提升芯片内部闪存的耐久性的实际问题出发，通过增加芯片内部闪存的擦写次数来存储数据的操作，主要实现对芯片内部闪存尤其是芯片内部闪存的存储管理，解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
81.具体地，芯片内部闪存包括若干个扇区，每一扇区包括若干个内存地址。目标地址参数用于记录当前内存地址，可以是当前所写到的内存地址，也即，已经写入过数据的地址。
82.步骤s220，根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；
83.具体地，目标内存地址表示数据访问操作将要发生的起始地址，可以是需要进行数据访问的具体位置或范围，也即，未写入数据的内存地址。根据目标地址参数，得到当前内存地址，并在此基础上进行循环跳变。循环跳变是一种操作方式，通过在任一扇区中的若干内存地址中，依次查找对应的目标内存地址，进行依次写入，并循环往复，可以用于遍历或覆盖芯片内存的不同区域，实现对整个内存空间的有效利用。
84.步骤s230，基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。
85.具体地，通过循环跳变得到目标内存地址后，执行所需的数据访问操作。可以是读取数据、写入数据或其他针对内存的操作。根据目标内存地址，可以从芯片内存中读取相应的数据，或者将数据写入到特定的内存位置。
86.本实施例通过上述方案，具体通过在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
87.参照图3，图3为本技术芯片存储管理方法第二示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，步骤s210，在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，包括：
88.步骤s310，在响应于数据写入操作时，获取初始地址参数；
89.具体地，初始地址参数为当前地址参数所对应的地址参数，用于确定目标地址参数。
90.步骤s320，基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数。
91.具体地，循环条件用于对若干个内存地址进行循环跳变。其中，循环条件可以是事先设定的循环次数、特定的计算规则或者其他预定的规则。通过计数操作，按照循环条件依次增加或减少地址参数的值，直到达到预定的循环条件以进行擦除操作。
92.进一步地，步骤s320，基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数，包括：
93.步骤s321，对所述初始地址参数进行计数操作，得到计数后的地址参数；
94.具体地，本技术实施例以0开始计数。以芯片内部闪存第一个扇区的16个内存地址进行举例。计数操作可以是对数据进行加1操作。
95.示例性地，首先对初始地址参数进行加1操作。可以通过计数器控制内存变量写入。当计数器的值大于15时，表示已经写入了16个不同的内存变量，需要重新循环开始写入。
96.步骤s322，检测所述计数后的地址参数是否符合所述循环条件；
97.步骤s323，若所述计数后的地址参数符合所述循环条件，则对所述计数后的地址参数进行置零，并对预设基地址进行数据擦除操作，得到所述目标地址参数；
98.步骤s324，若所述当前变化值不符合所述循环条件，则得到所述目标地址参数。
99.具体地，循环条件用于判断计数后的地址参数是否达到设定的阈值，由于本技术实施例以0开始计数，该设定的阈值可以与若干内存地址的总数量少1。
100.示例性地，为了确保计数后的地址参数在设定的阈值的有效范围内，当计数后的地址参数大于15时，将其重新赋值为0，以准备写入新的内存变量。通过判断计数后的地址参数的值是否为0，如果计数后的地址参数的值为0，表示已经写入了一轮内存变量，需要重新循环开始写入。为了保证重新写入的内存空间是干净的，需要执行擦除函数对固定基地址进行擦除操作，为新的一轮写入做准备。优选地，擦除函数被调用来擦除地址范围大小为4kb(4096字节)内的数据。
101.进一步地，步骤s230，基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作，包括：
102.s330，根据所述目标内存地址，执行所述数据写入操作，并向预设数组中写入所述目标地址参数。
103.具体地，根据之前确定的目标内存地址，执行实际的数据写入操作。这可以是将特定的数据或信息存储到芯片的目标内存地址中。数据写入操作可以包括向内存地址写入单个字节、多个字节或整块数据。在执行数据写入操作后，还可以将目标地址参数存储到预设的数组中。这个预设数组用于记录或跟踪已进行的数据写入操作。通过将目标地址参数存储到数组中，可以在后续的操作中使用该数组来查询或参考先前写入的地址信息。
104.示例性地，向预设数据中写入所述目标地址参数的具体写入步骤可以如下：
105.flash_write((flash_write_memory_count_address (flash_write_mem ory_count《《8)),1,&flash_write_memory_count)；
106.其中，led_num_slave_code_count_address为固定基地址，flash_write_memory_count为内存变量，《《8表示带跳变内存变量左移八位，1可以表示1种类型数据，&flash_write_memory_count表示将内存变量写入对应的真实操作内存地址中。
107.本实施例通过上述方案，具体通过对所述初始地址参数进行计数操作，得到计数后的地址参数；检测所述计数后的地址参数是否符合所述循环条件；若所述计数后的地址参数符合所述循环条件，则对所述计数后的地址参数进行置零，并对预设基地址进行数据擦除操作，得到所述目标地址参数，通过循环跳变目标内存地址可以减少数据存储的热点区域，降低特定内存区域失效的风险，实现在有限的flash内存空间中循环写入数据，进而提升数据的可靠性。
108.参照图4，图4为本技术芯片存储管理方法第三示例性实施例的流程示意图。基于上述图2、3所示的实施例，步骤s210，在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，包括：
109.步骤s410，在响应于数据读取操作时，从所述数组中读取若干地址参数；
110.具体地，在数据读取操作中，首先从上述步骤s330中的预设数组中读取每一地址参数。这些若干地址参数是先前在对应内存地址执行的数据写入操作时，对应存储在数组中的目标地址参数。通过读取这些地址参数并依次判断，可以获取断电前或者是最近一次所写入的数据的内存地址信息。
111.步骤s420，基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数。
112.具体地，基于预设的若干写入状态条件，可以根据读取的地址参数来确定目标地
址参数。这些写入状态条件可以是与先前写入操作相关的特定条件或标志。通过分析读取到的地址参数，可以根据这些条件来判断目标地址参数的值。
113.进一步地，步骤s420，基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数，包括：
114.步骤a421，根据所述若干地址参数的顺序，确定若干数值范围及各自对应的所述写入状态条件；
115.具体地，本技术实施例以0开始计数。在数据读取操作中，依次检测每个地址参数所对应的数值范围，然后判断该数值范围是否符合对应的写入状态条件。通过对每个地址参数进行检测，可以确定是否满足相应的写入状态条件。
116.步骤a422，依次检测所述数值范围是否符合对应的所述写入状态条件；
117.具体地，当检测到某个地址参数的数值范围与对应的写入状态条件匹配时，可以确认该地址参数所对应的目标内存地址。这个目标内存地址可以作为数据读取的目标，以便从该地址中读取所需的数据。
118.步骤a423，若检测到所述数据范围符合对应的所述写入状态条件，则确定所述目标内存地址参数。
119.具体地，从若干地址参数中确定数值范围，以根据不同数值范围确定对应的写入状态条件，进而根据写入状态条件依次判断若干地址参数，进而在若干地址参数中确定目标地址参数。如此，可以准确地确定数据的读取位置，并根据特定的写入状态条件来选择合适的目标内存地址进行数据读取操作。
120.示例性地，以数组flash_write_memory_count_tab[k]进行举例。首先，针对第一个数值范围k＝0时，判断第一个写入状态条件(k＝0)：
[0121]
flash_write_memory_count_tab[]数组里的第0个数。如果数组的第0个数等于0并且第1个数等于ff(ff为空，也即未写入数据)并且第15个数等于ff，说明掉电前flash_write_memory_count等于k等于0，也即，目标地址参数k第0个数；
[0122]
如k不满足上述第一个写入状态条件，则针对第二个数值范围0《k《15时，判断第二个写入状态条件(0《k《15)：
[0123]
通过循环判断flash_write_memory_count_tab[]数组里的第1至14个数。如果它的当前值k大于0且小于15，并且当前值的前一个值k-1和当前值k的差值等于1，并且当前值的后一个值k 1等于ff，说明掉电前flash_write_memory_count_tab[]等于k，也即，目标地址参数为第k个数；
[0124]
如k不满足上述第二个写入状态条件，针对第二个数值范围0《k《15时，则针对第二个数值范围k＝15时，判断第三个写入状态条件(k＝15)：
[0125]
如果数组的第0个数等于0，并且第15个数等于15，并且第14个数等于14，则说明flash_write_memory_count[]等于k等于15，也即，目标地址参数为第15个数；
[0126]
具体的判断步骤可以如下：
[0127]
《1》当k＝0时：
[0128]
flash_write_memory_count_tab[k]＝＝0&&flash_write_memory_count_tab[k 1]＝＝0xff&&flash_write_memory_count_tab[15]＝＝0xff，说明flash_write_memory_count＝k＝0。
[0129]
《2》当k《15时：
[0130]
flash_write_memory_count_tab[k]》0&&flash_write_memory_count_ta b[k]《15&&flash_write_memory_count_tab[k]-flash_write_memory_count_tab[k-1]＝＝1&&flash_write_memory_count_tab[k 1]＝＝0xff,说明flash_write_memory_count＝k。
[0131]
《3》当k＝15时：
[0132]
flash_write_memory_count_tab[0]＝＝0&&flash_write_memory_count_tab[k]＝＝15&&flash_write_memory_count_tab[k-1]＝＝14,说明flash_write_memory_count＝k＝15。
[0133]
本实施例通过上述方案，具体通过根据所述若干地址参数的顺序，确定若干数值范围及各自对应的所述写入状态条件；依次检测所述数值范围是否符合对应的所述写入状态条件；若检测到所述数据范围符合对应的所述写入状态条件，则确定所述目标内存地址参数，可以提供更灵活和准确的数据读取策略，进而提高读取操作的效率和精确性，并确保从最新内存地址位置读取所需的数据。
[0134]
参照图5，图5为本技术芯片存储管理方法第四示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，步骤s220，根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址，包括：
[0135]
步骤s510，根据所述目标地址参数，得到待跳变的内存变量；
[0136]
具体地，在数据操作过程中，根据给定的目标地址参数来确定待跳变的内存变量和基地址。待跳变的内存变量是与目标地址参数相关联的数据变量，而基地址是指定了数据存储的起始位置。
[0137]
步骤s520，对所述待跳变的内存变量进行地址移动，得到跳变后的内存变量；
[0138]
具体地，根据待跳变的内存变量的值和预设的跳变规则，对待跳变的内存变量进行跳变操作。跳变可以是内存变量的地址移动。通过跳变操作，待跳变的内存变量的值会相应地发生变化。
[0139]
步骤s530，根据所述基地址及所述跳变后的内存变量，得到所述目标内存地址。
[0140]
具体地，根据基地址和跳变后的内存变量，可以计算得出所述目标内存地址。目标内存地址是数据在内存中的具体位置，由基地址和跳变后的内存变量共同确定的。
[0141]
示例性地，具体写入步骤可以如下：
[0142]
flash_write((led_num_slave_code_count_address (flash_write_mem ory_count《《8)),7,led_num_slave_code_count)；
[0143]
其中，flash_write为写入函数，led_num_slave_code_count_address为固定基地址，flash_write_memory_count为内存变量，《《8表示待跳变内存变量左移八位，7可以表示7种类型数据，led_num_slave_code_count表示实际所要写入数据的名称。
[0144]
本实施例通过上述方案，具体通过根据目标地址参数获取待跳变的内存变量，并对待跳变的内存变量进行跳变操作，进而结合跳变后的内存变量和固定基地址，得到所需的目标内存地址，如此，可以确定数据的存储位置，提升操作的准确性和效率，并确保数据被正确地定位和访问。
[0145]
此外，本技术实施例还提出一种芯片存储管理装置，所述芯片存储管理装置包括：
[0146]
响应确定模块，用于在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
[0147]
循环跳变模块，用于根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；
[0148]
数据访问模块，用于基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。
[0149]
本实施例实现芯片存储管理的原理及实施过程，请参照上述各实施例，在此不再赘述。
[0150]
此外，本技术实施例还提出一种终端设备，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的芯片存储管理程序，所述芯片存储管理程序被所述处理器执行时实现如上所述的芯片存储管理方法的步骤。
[0151]
由于本芯片存储管理程序被处理器执行时，采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0152]
此外，本技术实施例还提出一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有芯片存储管理程序，所述芯片存储管理程序被处理器执行时实现如上所述的芯片存储管理方法的步骤。
[0153]
由于本芯片存储管理程序被处理器执行时，采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0154]
相比现有技术，本技术实施例提出的芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质，通过在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
[0155]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
[0156]
上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0157]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上的一个存储介质(如rom/ram、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，被控终端，或者网络设备等)执行本技术每个实施例的方法。
[0158]
以上仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技
术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。