1.本技术涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种电池极片性能的预测方法、装置、电子设备和存储介质。
背景技术：
2.极片涂层是由活性材料和辅材混合而成的多孔材料。涂层迂曲度反映了多孔结构对传质难易程度的影响程度，迂曲度越大，离子扩散越困难，离子阻抗越大。该参数是评价电极性能的重要指标。此外，涂层迂曲度是锂离子电池电化学模型的必需参数，对仿真精度有重要影响。因此，准确快捷的涂层迂曲度测量方法是电池设计与电池仿真的重要技术。
3.相关技术中，通过对涂层进行断层扫描得到不同厚度位置的剖面图，进一步合成得到涂层的三维多孔结构，模拟电解液中的锂离子在三维多孔结构中的扩散过程并利用优化算法辨识得到涂层迂曲度。相关技术只适用于极片样品的性能评价，无法对结构设计参数变化后的极片设计方案进行性能预测。
技术实现要素：
4.本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
5.为此，本技术的目的在于提出的一种电池极片性能的预测方法、装置、电子设备和存储介质，利用特定材料组成下极片结构与迂曲度的定量关系，实现在没有极片样品的条件下评价极片性能的功能。
6.根据本技术的一方面，提供了一种电池极片性能的预测方法，其中，包括：
7.获取待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b；
8.根据所述预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a、指数b、迂曲度nm的对应关系，预测所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，所述对应关系为：
9.nm＝a
×
εbꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)。
10.可选的，所述获取待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b包括：
11.获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm和孔隙率ε，其中多个所述正极或负极对称电池极片涂层的材料与所述待预测对称电池极片涂层的材料相同；
12.根据公式(1)计算所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b。
13.可选的，所述获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度包括：
14.获取所述多个正极或负极对称电池的极片涂层的离子阻抗rion、电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n；
15.根据如下公式计算所述多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度：
[0016][0017]
可选的，还包括：将所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm代入公式(2)中得到所述待预测对称电池极片涂层的离子阻抗。
[0018]
根据本技术的第二方面，提供了一种电池极片性能的预测装置，包括：
[0019]
数据获取单元，用于获取待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b；
[0020]
预测单元，用于根据所述预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a、指数b和待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm的对应关系，预测所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，所述对应关系为：
[0021]
nm＝a
×
εbꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)。
[0022]
可选的，所述数据获取单元包括：
[0023]
数据获取模块，用于获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm和孔隙率ε，其中多个所述正极或负极对称电池极片涂层的材料与所述待预测对称电池极片涂层的材料相同；
[0024]
第一计算模块，用于根据公式(1)计算所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b。
[0025]
可选的，所述数据获取模块包括：
[0026]
数据获取子模块，用于获取所述多个正极或负极对称电池的极片涂层的离子阻抗rion、电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n；
[0027]
计算子模块，用于根据如下公式计算所述多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度：
[0028][0029]
可选的，还可以包括第二计算模块，用于将所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm代入公式(2)中计算得到所述待预测对称电池极片涂层的离子阻抗。
[0030]
根据本技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
[0031]
至少一个处理器；以及
[0032]
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0033]
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行第一方面中任一项所述的方法。
[0034]
根据本技术的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行第一方面中任一项所述的方法。
[0035]
根据本技术的第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实现根据第一方面中任一项所述的方法。
[0036]
本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0037]
本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0038]
图1本技术实施例所提供的一种电池极片性能的预测方法的流程示意图；
[0039]
图2是本技术实施例所提供的对称电池的nyquist图；
[0040]
图3是本技术实施例所提供的一种电池极片性能的预测装置结构示意图；
[0041]
图4是本技术实施例所提供的另一种电池极片性能的预测装置结构示意图；
[0042]
图5是本技术实施例所提供的数据获取模块的结构示意图；
[0043]
图6是本技术实施例所提供的另一种电池极片性能的预测装置结构示意图；
[0044]
图7为本技术实施例提供的示例电子设备300的示意性框图。
具体实施方式
[0045]
下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。相反，本技术的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
[0046]
图1为本技术实施例所提供的一种电池极片性能的预测方法的流程示意图。
[0047]
如图1所示，该方法包含以下步骤：
[0048]
步骤101、获取待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b。
[0049]
在具体应用中，极片涂层是由活性材料和辅材混合而成的多孔材料，涂层迂曲度反映了多孔结构对传质难易程度的影响程度，迂曲度越大，离子扩散越困难，该参数是评价电极性能的重要指标，因此对于没有极片样品的对称电池可以先预测其性能，为后续电池设计提供理论支撑，并且对于涂层材料一定的对称电池，其迂曲度的指前因子a和指数b是确定的值，待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε为待设计电池需要给定的性能参数值。
[0050]
步骤102、根据所述预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a、指数b、迂曲度nm的对应关系，预测所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，所述对应关系为：
[0051]
nm＝a
×
εbꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)。
[0052]
可以理解的是，由于涂层材料的性能一定，因此迂曲度的指前因子a和指数b是确定的值，并且待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε为待预测电池设计时的参数值，通过代入公式(1)中能够得到待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，进而实现待预测电池性能的预测。
[0053]
本技术提供的方法利用极片结构设计参数与迂曲度之间的关系，并利用获取的待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b，来实现在没有极片样品的条件下评价极片性能的功能。
[0054]
具体而言，待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε是预先可以获知的极片结构设计参数；而相同材料的指前因子a和指数b相同，因此根据与待预测对称电池极片涂层相同材料的对称电池极片涂层迂曲度的指前因子a和指数b的数据，来获取待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b。
[0055]
在一些实施例中，获取待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b时，可采用但不局限于以下方式：
[0056]
获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm和孔隙率ε，其中多个所述正极或负极对称电池极片涂层的材料与所述待预测对称电池极片涂层的材料相同。
[0057]
可以理解的是，由于极片涂层的材料相同时，对称电池迂曲度的指前因子a和指数
b相同，因此，对于没有极片样品的待测对称电池极片为了测定在待测对称电池极片涂层迂曲度的指前因子a和指数b，可以选取多个极片涂层的材料与待预测对称电池极片涂层的材料相同的正极或负极对称电池。
[0058]
根据公式(1)计算所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b。
[0059]
也就是说，由于正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm可以通过样品测试得到，并且正极或负极对称电池极片涂层的孔隙率也是已知的，进而通过多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm和孔隙率ε代入公式(1)中即可计算待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b，实现相同涂层材料的已知样品极片涂层参数对没有样品的待预测极片涂层的迂曲度进行预测。
[0060]
在一些实施例中，在获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm时，可采用但不局限于以下方式：
[0061]
获取所述多个正极或负极对称电池的极片涂层的离子阻抗rion、电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n。
[0062]
在实际应用中，由于多个正极或负极对称电池为已知样品对称电池，可以测定其样品电池的极片涂层的离子阻抗rion、电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n参数。
[0063]
具体来说，极片涂层的离子阻抗rion测定时，可以利用电化学工作站进行交流阻抗测试，得到对称电池的电化学阻抗谱，电化学阻抗谱的nyquist图具有低频区域曲线和高频区域曲线相交的形状，然后将低频区域曲线与x轴的交点的x值设置为第一值，高频区域曲线与x轴的交点的x值设置为第二值，确定第一值和第二值差值的3倍为多个正极或负极对称电池的极片涂层的离子阻抗rion。另外，极片面积s计算时，需要根据极片的设置，当对称电池的每个基本单元中设置一个大尺寸极片和一个小尺寸极片时，小尺寸极片和大尺寸极片之间通过隔膜分隔，此时在组装时，小尺寸极片位于大尺寸极片区域范围内，此时小尺寸极片的面积即为极片面积s，并且隔膜的面积要大于大极片面积，当对称电池的每个基本单元中设置成两个面积相同的极片时，在组装时需要将两个极片边侧对齐，此时任一个极片的面积即为极片面积s，同时隔膜的面积要大于大极片面积。还需要说明的是，基本单元数目n可以理解为当电池有2张极片时组成一个电池基本单元，3张极片组成2个电池基本单元，4张极片组成3个电池基本单元，依次类推。
[0064]
根据如下公式计算所述多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度：
[0065][0066]
在实际应用中，由于已知样品对称电池中各参数确定后，可以直接代入公式(2)中计算，能够得到多个已知样品对称电池的极片涂层的迂曲度，然后将迂曲度值和孔隙率代入公式(1)中，即可得到极片涂层迂曲度的指前因子a和指数b，然后根据公式(1)，可以预测极片涂层材料与已知样品对称电池涂层材料相同的情况下，在一定孔隙率时，没有极片样品的对称电池的迂曲度值。
[0067]
在一些实施例中，还包括：将所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm代入公式(2)中得到所述待预测对称电池极片涂层的离子阻抗。
[0068]
可以理解的是，由于极片涂层的离子阻抗在测定时需要有制作成的样品对称电池
进行测定，对于没有样品的待预测对称电池，在上述实施例中，已经计算出待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，对于待预测的对称电池，对称电池的结构即电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n参数都是设计时根据需要给定的定值，在这些参数给定的情况下，结合公式(2)即可计算出带预测对称电池的离子阻抗rion。
[0069]
具体来说，在本技术中，利用极片结构设计参数与迂曲度之间的关系，根据特定材料组成的极片样品的对称电池交流阻抗数据，拟合得到该材料组成下极片结构与迂曲度的定量关系，预测其他极片结构的迂曲度与离子阻抗，实现在没有极片样品的条件下评价极片性能的功能，该方法设备简单，只需要未经历充放电的极片和电化学工作站；利用拟合得到的极片结构与迂曲度之间的定量关系，可以在材料组成固定的条件下准确预测不同极片结构的迂曲度和离子阻抗，达到快速评价极片性能的目的，加速电极设计。
[0070]
为了进一步详细说明本技术的预测方法，下面结合具体预测应用对本技术的预测方法进行详细说明，并结合具体的对比预测应用详细阐述本技术的预测方法与现有的方法相比预测结果更准确。
[0071]
具体预测应用1：
[0072]
步骤1：制作对称电池：选取尺寸不同(一个大尺寸和一个小尺寸，小尺寸极片的极片尺寸为6cm*4.5cm)其他方面完全相同的两张负极极片1(单面涂层厚度49um，涂层的孔隙率31％)，两张负极极片2(单面涂层厚度58um，涂层的孔隙率42％),负极极片1和负极极片2的材料相同，将两张负极极片1和其之间的聚丙烯隔膜封装在铝塑膜中，将两张负极极片2和其之间的聚丙烯隔膜封装在铝塑膜中，其中聚丙烯隔膜厚度12μm，孔隙率45％，隔膜面积大于两个负极极片的面积，封装后分别其中注入电解液(成分1m lipf6的ec/emc(3:7)溶液)，电导率0.89s/m)浸润隔膜与极片，得到对称电池1和对称电池2，将对称电池1和对称电池2分别制作相同的3只。
[0073]
步骤2：获取极片涂层的离子阻抗rion：利用电化学工作站进行交流阻抗测试，得到对称电池的电化学阻抗谱(eis)。此时电化学阻抗谱的nyquist图具有低频区域线段和高频区域线段相交的形状特点，对称电池的典型nyquist图见图2。将低频线段外延与x轴相交，该交点与高频线段和x轴的交点的差值的3倍就是涂层离子阻抗rion，测得3只对称电池1的极片涂层的离子阻抗rion
(1)
分别为0.88ω、0.86ω和0.89ω，测得3只对称电池2的极片涂层的离子阻抗rion
(2)
分别为0.51ω、0.55ω、0.52ω。
[0074]
步骤3：拟合极片涂层的迂曲度nm的指前因子a与指数b：将步骤2中得到的3只对称电池1和3只对称电池2的极片涂层的离子阻抗rion
(1)和
rion
(2)
分别代入公式(1)中得到3只对称电池1的极片涂层的迂曲度nm
(1)
分别为21.59、21.04、21.79，3只对称电池2的极片涂层的迂曲度nm
(2)
分别为10.52、11.32、10.68，计算三个nm
(1)
的平均值为nm
(1平)
以及三个nm
(2)
的平均值为nm
(2平)
，将nm
(1平)
和nm
(2平)
代入公式(2)中拟合得到迂曲度的指前因子a为1.54，指数b为-2.25。
[0075]
步骤4：预测相同材料组成不同结构的待预测极片涂层的迂曲度与离子阻抗：将待预测极片的结构设计参数单面涂层厚度71um，涂层的孔隙率52％，极片尺寸为6cm*4.5cm和步骤3得到的指前因子a和指数b的值代入公式(1)和公式(2)中，分别得到待预测极片涂层的迂曲度nm为6.60，离子阻抗rion为0.32ω，作为验证，按照设计参数制作成待预测对称电池，按照步骤1和步骤2处理，得到制作的待预测对称电池极片涂层的离子阻抗测量值为
0.34ω，实际测定值和预测值相差不大，因此预测结果较准确。
[0076]
具体预测应用2：
[0077]
步骤1：制作对称电池：选取尺寸不同(一个大尺寸和一个小尺寸，小尺寸极片的极片尺寸为6cm*4.5cm)其他方面完全相同的两张正极极片1(单面涂层厚度45um,涂层的孔隙率26％)，两张正极极片2(单面涂层厚度51um，涂层的孔隙率35％),正极极片1和正极极片2的材料相同，将两张正极极片1和其之间的聚丙烯隔膜封装在铝塑膜中，将两张正极极片2和其之间的聚丙烯隔膜封装在铝塑膜中，其中聚丙烯隔膜厚度12μm，孔隙率45％，隔膜面积大于两个负极极片的面积，封装后分别向其中注入电解液(成分1m lipf6的ec/emc(3:7)溶液)，电导率0.89s/m)浸润隔膜与极片，得到对称电池3和对称电池4，将对称电池3和对称电池4分别制作相同的3只。
[0078]
步骤2：获取极片涂层的离子阻抗rion：具体过程与具体预测应用1相同，测得的三只对称电池3的涂层离子阻抗rion
(3)
分别为0.33ω、0.32ω、0.35ω，测得的三只对称电池4的涂层离子阻抗rion
(4)
分别为0.25ω、0.22ω、0.24ω。
[0079]
步骤3：拟合极片涂层的迂曲度nm的指前因子a与指数b：具体过程与具体预测应用1相同，得到三只对称电池3的涂层迂曲度nm
(3)
分别为8.89、8.45、9.33,三只对称电池3的涂层迂曲度nm
(4)
分别为5.78、5.12、5.56，然后计算三个nm
(3)
和三个nm
(4)
的平均值分别为nm
(3平)
和nm
(4平)
，将nm
(3平)
和nm
(4平)
代入公式(2)中拟合得到迂曲度的指前因子a为0.96，指数b为-1.65。
[0080]
步骤4：预测相同材料组成不同结构的待预测极片涂层的迂曲度与离子阻抗：将待预测极片的结构设计参数单面涂层厚度63um，涂层的孔隙率47％，极片尺寸为6cm*4.5cm和得到的指前因子a和指数b的值代入公式(1)和公式(2)中。分别得到待预测极片涂层的迂曲度nm为3.32，离子阻抗rion为0.17ω，作为验证，按照设计参数制作成待预测对称电池，将待预测对称电池按照步骤1和步骤2处理，得到制作的待预测对称电池极片涂层的离子阻抗测量值为0.16ω，实际测定值和预测值相差不大，因此预测结果较准确。
[0081]
下面结合现有的预测方法，通过具体的对比预测应用预测对称电池的性能。
[0082]
对比预测应用：
[0083]
与具体预测应用1相同，不同之处在于涂层曲折度τ与离子阻抗rion以及电极结构参数(涂层的孔隙率ε和单面涂层厚度l)满足如下关系：
[0084][0085]
其中ε为涂层的孔隙率，κ为电解液电导率，s为极片面积，l为极片单面涂层厚度，rion为极片涂层的离子阻抗。
[0086]
将公式(3)替代公式(1)和公式(2)，得到3只对称电池1的极片涂层曲折度τ分别为6.69、6.54、6.77，3只对称电池2的极片涂层曲折度τ分别为4.41、4.75、4.49，平均曲折度τ为5.61。将该值与具体预测应用1中待预测极片的电极结构参数代入公式(3)，得到涂层离子阻抗rion为0.63ω，而按照具体预测应用1中待预测极片的电极结构参数制备的预测对称电池样品进行测定的离子阻抗rion为0.34ω，对比可知，预测值与测量值差距较大。
[0087]
综上可知，本技术采用准确快捷的方法，通过组装由隔膜、极片和电解液组成的对称电池，利用交流阻抗测试方法获取极片涂层的离子阻抗和迂曲度，拟合得到迂曲度与电
极结构设计参数之间的关系，可以在没有极片样品的条件下预测结构设计参数变更厚度的极片离子阻抗，评价极片性能。
[0088]
与上述的电池极片性能的预测方法相对应，本技术还提出一种电池极片性能的预测装置。由于本技术的装置实施例与上述的方法实施例相对应，对于装置实施例中未披露的细节可参照上述的方法实施例，本技术中不再进行赘述。
[0089]
图3为本技术实施例提供的一种电池极片性能的预测装置的结构示意图，如图3所示，包括：
[0090]
数据获取单元21，用于获取待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b；
[0091]
预测单元21，用于根据所述预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a、指数b和待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm的对应关系，预测所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，所述对应关系为：
[0092]
nm＝a
×
εbꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)。
[0093]
本技术提供的电池极片性能的预测装置，通过获取待预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a和指数b，根据所述预测对称电池极片涂层的孔隙率ε、迂曲度的指前因子a、指数b和待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm的对应关系，预测所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm，实现在没有极片样品的条件下评价极片性能的功能，达到快速评价极片性能的目的，加速电极设计。
[0094]
进一步地，在本实施例一种可能的实现方式中，如图4所示，所述数据获取单元21包括：
[0095]
数据获取模块211，用于获取多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度nm和孔隙率ε，其中多个所述正极或负极对称电池极片涂层的材料与所述待预测对称电池极片涂层的材料相同；
[0096]
第一计算模块212，用于根据公式(1)计算所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度的指前因子a和指数b。
[0097]
进一步地，在本实施例一种可能的实现方式中，如图5所示，所述数据获取模块211还包括：
[0098]
数据获取子模块2111，用于获取所述多个正极或负极对称电池的极片涂层的离子阻抗rion、电解液电导率κ、极片面积s、极片单面涂层厚度l、基本单元数目n；
[0099]
计算子模块2112，用于根据如下公式计算所述多个正极或负极对称电池极片涂层的迂曲度：
[0100][0101]
进一步地，在本实施例一种可能的实现方式中，如图6所示，还可以包括第二计算模块23，用于将所述待预测对称电池极片涂层的迂曲度nm代入公式(2)中计算得到所述待预测对称电池极片涂层的离子阻抗。
[0102]
根据本技术的实施例，本技术还提供了一种电子设备、一种可读存储介质和一种计算机程序产品。
[0103]
图7示出了可以用来实施本技术的实施例的示例电子设备300的示意性框图。电子
设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本技术的实现。
[0104]
如图7所示，设备300包括计算单元301，其可以根据存储在rom(read-only memory，只读存储器)302中的计算机程序或者从存储单元308加载到ram(random access memory，随机访问/存取存储器)303中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在ram 303中，还可存储设备300操作所需的各种程序和数据。计算单元301、rom 302以及ram 303通过总线304彼此相连。i/o(input/output，输入/输出)接口305也连接至总线304。
[0105]
设备300中的多个部件连接至i/o接口305，包括：输入单元303，例如键盘、鼠标等；输出单元307，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元308，例如磁盘、光盘等；以及通信单元309，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元309允许设备300通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
[0106]
计算单元301可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。计算单元301的一些示例包括但不限于cpu(central processing unit，中央处理单元)、gpu(graphic processing units，图形处理单元)、各种专用的ai(artificial intelligence，人工智能)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的计算单元、dsp(digital signal processor，数字信号处理器)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。计算单元301执行上文所描述的各个方法和处理，例如车辆悬挂的调整方法。例如，在一些实施例中，车辆悬挂的调整方法可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质，例如存储单元308。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由rom 302和/或通信单元309而被载入和/或安装到设备300上。当计算机程序加载到ram 303并由计算单元301执行时，可以执行上文描述的方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，计算单元301可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行前述车辆悬挂的调整方法。
[0107]
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、fpga(field programmable gate array，现场可编程门阵列)、asic(application-specific integrated circuit，专用集成电路)、assp(application specific standard product，专用标准产品)、soc(system on chip，芯片上系统的系统)、cpld(complex programmable logic device，复杂可编程逻辑设备)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
[0108]
用于实施本技术的方法的程序代码可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些程序代码可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器或控制器，使得程序代码当由处理器或控制器执行时使流程图和/或框图中所规定的
功能/操作被实施。程序代码可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
[0109]
在本技术的上下文中，机器可读介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的程序。机器可读介质可以是机器可读信号介质或机器可读储存介质。机器可读介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、ram、rom、eprom(electrically programmable read-only-memory，可擦除可编程只读存储器)或快闪存储器、光纤、cd-rom(compact disc read-only memory，便捷式紧凑盘只读存储器)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
[0110]
为了提供与用户的交互，可以在计算机上实施此处描述的系统和技术，该计算机具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，crt(cathode-ray tube，阴极射线管)或者lcd(liquid crystal display，液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给计算机。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
[0111]
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：lan(local area network，局域网)、wan(wide area network，广域网)、互联网和区块链网络。
[0112]
计算机系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与vps服务("virtual private server"，或简称"vps")中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。服务器也可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。
[0113]
其中，需要说明的是，人工智能是研究使计算机来模拟人的某些思维过程和智能行为(如学习、推理、思考、规划等)的学科，既有硬件层面的技术也有软件层面的技术。人工智能硬件技术一般包括如传感器、专用人工智能芯片、云计算、分布式存储、大数据处理等技术；人工智能软件技术主要包括计算机视觉技术、语音识别技术、自然语言处理技术以及机器学习/深度学习、大数据处理技术、知识图谱技术等几大方向。
[0114]
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发公开中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本技术公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
[0115]
上述具体实施方式，并不构成对本技术保护范围的限制。本领域技术人员应该明
白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术保护范围之内。