1.本发明涉及电极技术领域，尤其涉及一种脑深部电极及其制备工艺。
背景技术：
2.深部电极广泛用于脑神经电信号传输，一般由多个电极触点及其对应的引线形成导电电路。目前市面上深部电极的制备方法多为先螺旋绕制多根导丝，导丝成型后在表面套上一层塑胶保护金属管形成身体段，两头分别与电极环焊接后注塑硅胶密封固定。该方法通过拉伸成型，破坏了导丝的韧性，导致深部电极的硬度偏软。
技术实现要素：
3.为了解决现有技术中电极制备方法的不足，本发明提供一种脑深部电极及其制备工艺。
4.为了解决上述技术问题，第一方面，本发明提供了一种脑深部电极的制备工艺包括：步骤s1，在三维空间内固定电极管的管壁；步骤s2，激光刻蚀电极管的管壁形成导电体，即间隔分布的至少两个单导体；步骤s7，注塑硅胶一体成型；其中所述单导体包括电极引线和分别连续在电极引线两端的电极环。
5.进一步，所述步骤s1中在三维空间内固定电极管的管壁包括：设置支撑件的外径大于电极管内径且支撑件的外侧留有变形余量，以插入电极管的内部，使电极管的管壁固定。
6.进一步，所述支撑件包括：位于芯部的芯部；变形层，位于芯部的外侧面；其中所述变形层适于提供所述变形余量。
7.进一步，所述支撑件还包括：位于变形层表面的隔离层；其中所述隔离层为聚氨酯或派瑞林，以利于与注塑的硅胶剥离；所述隔离层的表面为光滑表面。
8.进一步，所述支撑件的长度不小于电极管的长度，以将电极管的整个管壁固定。
9.进一步，同一个单导体中的电极引线和两个电极环通过激光刻蚀电极管的管壁一次成型。
10.进一步，所述电极引线包括：螺旋线和分别连续在螺旋线两端的直引线；其中所述直引线与处于同一端的电极环连续。
11.进一步，各所述单导体的直引线的长度不同，以使与直引线相连的电极环间隔排列。
12.进一步，所述电极环为侧壁开口的环状；所述直引线沿开口的一侧引出电极环的端部。
13.进一步，脑深部电极的制备工艺还包括：位于步骤s2与步骤s7之间的步骤s3，沿径向分别向外扩展两个电极环，使电极引线位于两个电极环的外轮廓之内。
14.进一步，脑深部电极的制备工艺还位于步骤s2与步骤s7之间的步骤s4，在所述电极引线的表面涂覆绝缘层。
15.进一步，脑深部电极的制备工艺还位于步骤s2与步骤s7之间的步骤s5，在所述螺旋线处套设屏蔽管；所述屏蔽管为网状套管。
16.进一步，脑深部电极的制备工艺还位于步骤s7之前的步骤s6，在所述螺旋线处套设保护管。
17.第二方面，本发明还提供了一种脑深部电极，包括：导电体和位于导电体外侧的硅胶；其中所述导电体包括间隔分布的至少两个单导体；以及所述单导体包括电极引线和分别连续在电极引线两端的电极环。
18.进一步，所述电极引线包括：螺旋线和分别连续在螺旋线两端的直引线；其中所述直引线与处于同一端的电极环连续。
19.进一步，所述电极环为环状，其侧壁设有开口；所述直引线沿开口的一侧引出电极环的端部；各所述单导体的直引线的长度不同，以使与直引线相连的电极环间隔排列；以及外侧电极环的直引线经过内侧电极环的开口处，以连接螺旋线。
20.本发明的有益效果：
21.本发明的脑深部电极的导电体通过激光蚀刻电极管的管壁所得，一次成型，有效解决传统工艺中导丝通过拉伸成型破坏其韧性的问题，同时也省去了导丝与电极环之间的焊接工艺，简化了工艺流程。
附图说明
22.下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
23.图1为脑深部电极的制备工艺流程图；
24.图2为脑深部电极的透视图；
25.图3为脑深部电极在远端的透视图；
26.图4为环形模具的使用位置示意图；
27.图5为导电体的结构示意图；
28.图6为近端电极环的结构示意图；
29.图7为远端电极环的结构示意图；
30.图8为屏蔽管的结构示意图。
31.图标：
32.1-导电体，11-单导体，111-近端电极环，112-电极引线，1121-近端直引线，1122-螺旋线，1123-远端直引线，113-远端电极环，114-开口；
33.2-硅胶；
34.3-屏蔽管；
35.4-保护管；
36.5-支撑件，51-隔离层；
37.6-环形模具，61-缺口。
具体实施方式
38.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发
明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
39.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
40.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
41.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
42.为了解决拉伸成型破坏导丝韧性的问题，本案通过激光刻蚀电极管(或金属管)的管壁，实现导电体的一体成型，结合相应的硅胶注塑工艺制备本发明提供的脑深部电极。如图2至图8所示，所述脑深部电极包括：导电体1、硅胶2、屏蔽管3、绝缘层(一般为涂层，比较薄，图中未显示)、保护管4。见图5，导电体1包括间隔分布的至少两个单导体11单导体11包括连续的近端电极环111、电极引线112和远端电极环113；电极引线112包括并行绕制的螺旋线1122和分别位于螺旋线1122两端的近端直引线1121、远端直引线1123。近端直引线1121与近端电极环111相连，远端直引线1123与远端电极环113相连。其中远端电极环113的外表面贴附生物体的组织，用于采集信号，并依次通过远端直引线1123、螺旋线1122、近端直引线1121、近端电极环111，将信号传输至其他外接设备，如刺激器，数字脑电图机等。当需要对生物体的组织释放刺激信号时，信号从近端电极环111传输至远端电极环113。在图5中，单导体11的数量为4个，其中最外侧的远端电极环113与最外侧的近端电极环111之间通过相应的远端直引线1123、螺旋线1122、近端直引线1121连接，最内侧的远端电极环113与最内侧的近端电极环111之间通过相应的远端直引线1123、螺旋线1122、近端直引线1121连接。同理，依次类推，使单导电体11的远端电极环113与近端电极环111形成位置对称且一一对应关系。
43.可选的，见图6，各单导体的近端直引线1121的长度不同，以使近端电极环111间隔排列；同时近端电极环111为侧壁设有开口114的环状，近端直引线1121沿开口114的一侧引出近端电极环111的端部；各近端电极环111上的开口114在径向上错位分布，以使各近端电极环111上引出的近端直引线1121间隔分布，并通过支撑件定位，实现其电气隔离。见图7，各单导体的远端直引线1123的长度不同，以使远端电极环113间隔排列。远端电极环113为侧壁设有开口114的环状，远端直引线1123沿开口114的一侧引出远端电极环113的端部。同理，远端直引线1123也实现间隔分布，从而保证单导体之间实现电气隔离。此外，近端电极环111和远端电极环113的侧壁均设有开口114，也便于在激光成型后通过手动或机械方式
(如，见图4，将环形模具6插入远端电极环113与支撑件5之间，用力将远端电极环113向外扩开；同理，将近端电极环111向外扩开)，使两种电极环向外扩展，使电极引线位于电极环的外轮廓之内，以在后续注塑硅胶时，将两种电极环裸露在硅胶表面，电极引线位于硅胶的内部。其中远端电极环113用于接触生物体的组织，采集生物电信号或释放电刺激信号，近端电极环111用于插接在刺激器或外接设备上，导出生物电信号或传输电刺激信号。此外，各电极环的开口114可以为直引线提供连接螺旋线的路径，即外侧的电极环的直引线刚好从内侧的电极环的开口114处经过，在电极环向外扩展时，不会影响直引线的位置。以远端电极环113为例，如图7所示，远端电极环113的数量为4个，即沿脑深部电极的轴向从外侧向内侧依次间隔设置的第一远端电极环1131、第二远端电极环1132、第三远端电极环1133、第四远端电极环1134，四个远端电极环113的开口宽度相同且沿圆周依次错开，使对应的直引线通过开口处。近端电极环111的结构与远端电极环113类似，在此不再赘述。
44.优选的，激光刻蚀后，在电极引线112的外侧可以通过气相沉积或涂覆的方式涂覆绝缘层，以保证各单导体11之间互相不接触且进一步提高电气隔离，能够防止电极信号在传输中发生混淆，并且能够同时传输多个电信号。
45.可选的，如图7所示，所述屏蔽管3位于螺旋线1122的外侧，可以为网状金属管。屏蔽管3使所述导电体1更有韧性，同时具有抗干扰的效果，保证信号传输的准确性。
46.本案中，见图2、图3，采用注塑的方式将硅胶2设置在支撑件5的外侧，尤其填充在近端电极环111的间隙及其端部，远端电极环113的间隙及其端部，电极引线112之间。优选的，这些部位的硅胶2的外壁与保护管4可以近似齐平。硅胶2还填充保护管4、屏蔽管3和螺旋线1122之间。
47.可选的，见图2，所述保护管4位于所述导电体外侧的螺旋线1122处，一般为塑胶材料。当螺旋线1122的外侧设置有屏蔽管3时，保护管4包裹保护屏蔽管3和螺旋线1122，并结合其内部的硅胶形成身体段；当螺旋线1122的外侧没有设置有屏蔽管3时，保护管4包裹保护螺旋线1122，并结合其内部的硅胶形成身体段。
48.可选的，所述电极管为生物相容性好的电极材料，例如铂金或铂铱合金，可以提高脑深部电极应用于人体的安全性，也适于对其管壁进行激光刻蚀，优先飞秒激光红外切割，能量精确，可以防止激光蚀刻强度不易控制，容易出现过切的问题。
49.由于脑深部电极的导丝直径一般为0.1～0.15mm，很难具有定型的刚度，难以用于激光刻蚀，因此在三维空间下激光蚀刻电极环和螺旋线不易定位的问题，是激光刻蚀方法一体成型导电体必须解决的问题。现有技术中也有类似案例尝试解决该类问题，例如wo2019033094a1-high-density lead body and method公开了一种电极制备方法，将海波管切割成间隔设置的多个直引线，然后将若干个独立的电极环间隔排列并焊接在直引线上形成电极。显然，该技术方案没有解决电极管在三维空间固定的问题，因此无法一体刻蚀出多个单导体，也无法刻蚀出多股并绕的螺旋导线。此外，该制备工艺中还需要焊接、重复定位、防止引线跑偏等操作，工艺流程复杂。
50.为此，如图1所示，本发明提供一种脑深部电极的制备工艺，通过设置激光刻蚀的路径将电极管的管壁刻蚀成设定形状或构造的导电体，激光刻蚀管壁后形成的多个单导体之间需要间隔分布，形成电气隔离，然后通过注塑硅胶的方式成型，具体包括以下步骤：
51.步骤s1，在三维空间内固定电极管的管壁。
52.为了解决在三维空间刻蚀时不易定位的问题，本案通过外侧留有变形余量的支撑件5插入电极管的内壁，将电极管的整个管壁固定。具体如下：
53.可以选取铂金或铂铱合金等电极材料作为电极管，设置外侧面具有变形量的支撑件5，使支撑件5的外径大于电极管的内径，并且支撑件5的长度不小于电极管的长度，然后将支撑件5穿入电极管的内部，夹住或顶紧支撑件5的两端，以使电极管的整个管壁在三维空间内固定。见图6，所述支撑件5包括：芯部；变形层，位于芯部的外侧面；其中所述变形层适于提供所述变形余量。所述芯部需要有一定刚度，以防止在激光刻蚀过程中电极管的管壁晃动、跑偏、弯曲等，优选为金属棒，同时也可以防止激光对穿电极管的两个管壁，避免出现过切，影响导电体的质量；变形层可以为海绵、橡胶、树脂等做成的套管，紧密套设在芯部的侧面，具有一定的厚度，以提供变形量，既可以保证支撑件5插入电极管中，又可以满足与电极管的紧配合，防止在激光刻蚀过程中电极管的管壁沿支撑件转动。
54.由于脑深部电极的外径一般为1.3mm，其内径一般为0.4mm，因此支撑件5的外径也比较小，一般很难作为多层复合，可以整体选用树脂棒或橡胶棒作为支撑件5，树脂棒的中心可以认为是芯部，树脂棒的外部可以认为是变形层，由于树脂棒本身带有一定刚度和柔性变形，可以满足在三维空间内固定电极管的管壁的要求。如果金属或刚性件作为支撑件5，与电极管过盈配合，也能满足在三维空间内固定电极管的管壁的要求。但是脑深部电极在注塑一体成型后，支撑件5需要从电极管内部拔出，此时过盈配合反而成为拔出的阻力，可能在拔出支撑件5的过程中损坏导电体1，影响脑深部电极的正常使用；同时由于电极整体直径较小，过盈配合还需要考虑电极管内壁的尺寸公差、光滑度、摩擦力、沿轴向上的直线度等因素，工艺上很难实现。本案中，在芯部的外侧设置提供变形余量的变形层，通过变形层的变形余量从电极管的内部和侧壁形成固定管壁的动力，实现导电体在三维空间的激光刻蚀和定型维持，也便于后续拔出支撑件5，在工艺上有更大的操作失误容忍度，在工业上更容易实现。一般而言，支撑件5的材质不同、外径不同，其能提供的变形量，与电极管的紧配度也不同。本案中支撑件5的外径一般为0.4-0.5mm，优选的，采用树脂棒时支撑件5的外径大于脑深部电极的内径0.05mm左右，采用橡胶棒时支撑件5的外径大于脑深部电极的内径0.1mm左右。
55.步骤s2，激光刻蚀电极管的管壁形成导电体1，即间隔分布的至少两个单导体11。
56.在惰性气体空间内，通过现有的旋转轴激光雕刻机在一维空间内移动切割，同时下面的支撑件带动电极管不停在转动，从而达到旋转切割的目的将电极管的管壁激光刻蚀形成导电体1，即间隔分布的至少两个单导体11，所述单导体11包括连续的近端电极环111、电极引线112和远端电极环113；所述电极引线112包括并行绕制的螺旋线1122和分别位于螺旋线1122两端的近端直引线1121、远端直引线1123。不仅省略了焊接多根导丝与电极环的工艺步骤，也解决了拉伸导致导丝变形的问题，以及导丝并行绕制难以成型的问题。同时在惰性气体空间内的激光刻蚀操作可以防止所刻蚀的单导体表面产生不易清除的残渣物质。其中，激光刻蚀的方法以及如何设置激光刻蚀的路径属于常规技术，激光刻蚀电极管的管壁形成导电体的方式有多种。例如，沿电极管的管壁外侧等间距设置至少两个激光头；然后，两个激光头沿电极管的管壁同步行进，分别刻蚀出连续的近端电极环111、近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123、远端电极环113，形成了至少两个单导体11，即所述导电体1。再如，沿电极管的管壁外侧设置一个激光头；一个激光头沿电极管的管壁行进，刻蚀
出一个单导体11；接着，调整激光头行进路线，沿电极管的管壁行进刻蚀出下一个单导体11，形成连续的近端电极环111、近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123、远端电极环113，进行形成所述导电体1。在此过程中，同一个单导体11中的近端电极环111、电极引线112和远端电极环113通过激光刻蚀电极管的管壁一次成型。在激光完毕后去除边角料。
57.步骤s3，沿径向分别向外扩展两个电极环，使电极引线位于两个电极环的外轮廓之内。
58.在本案中，由于近端电极环111、电极引线112和远端电极环113通过同一个电极管一次成型，电极管的直径也较小，很难做到变径处理，因此在激光刻蚀后三者的外径可以认为是同等大小。如果激光刻蚀后直接注塑，近端电极环111、近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123、远端电极环113均裸露在硅胶表面，其中近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123裸露在硅胶表面会影响脑深部电极的正常使用。见图4，由于近端电极环111、远端电极环113的侧壁均设有开口114，可以分别将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，分别使近端电极环111的侧壁、远端电极环113的侧壁整体向外扩展，使近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123在径向方向上位于近端电极环111、远端电极环113的外轮廓之内，以便后续注塑硅胶。所述环形模具6为刚性件，尤其是金属件，其侧壁设有缺口61，方便装卸。所述缺口61的宽度可以略大于开口114的宽度，刚好跟开口对应，以避免扩展电极环时将直引线也向外扩展，或安装时损坏直引线。
59.步骤s4，在所述电极引线112的表面涂覆绝缘层。
60.由于电极引线112比较细，间距比较小，很容易被大电流击穿或贴在一起造成短路，而远端电极环113、近端电极环111的外表面均需要裸露在硅胶表面，因此可以在近端直引线1121、螺旋线1122、远端直引线1123的表面涂覆绝缘层。
61.所述绝缘层为派瑞林涂层或聚四氟乙烯涂层，一般为0.01-0.1mm厚度，可以通过旋涂、喷涂或气相沉积等方式设置在单导体11的表面。在激光切割结束后，别将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，沿径向分别向外扩展两个电极环，并保持支撑件5留在导电体1的内部。此时由于支撑件5与导电体1在电极引线112的内壁是紧配合的，环形模与电极环、支撑件5之间是紧配合的，如果没有外力作用，单导体11中的近端电极环111、电极引线112和远端电极环113仍保持原状(包括空间位置、间距、形状等)，在涂覆绝缘层时，只需要需要将远端电极环113、近端电极环111的外表面遮住或在涂覆后去除绝缘层。同时，也可以避免单导体11之间的短路、互连，尤其是电极引线112处的间距较小，很容易被过大的刺激电流击穿之间填充的硅胶。
62.步骤s5，在导电体1外侧的螺旋线1122处套设屏蔽管3。
63.为了避免螺旋线1122处的信号干扰，可以在导电体1外侧的螺旋线1122处套设屏蔽管3。例如采用铂金或铂铱合金为原材料或其他金属材料激光刻蚀出一种网状的屏蔽管3，将刻蚀完成后的屏蔽管3套设在螺旋线1122的外侧，可以使导电体更有韧性，达到抗干扰并保证信号传输准确性的效果。由于远端电极环113、近端电极环111的外径要大于螺旋线1122处的整体外轮廓，由于脑深部电极的整体外径在1-2mm之间，因此屏蔽管3的内径要大于螺旋线1122处的整体外轮廓但二者也相差不大。如果屏蔽管3是整体管状，屏蔽管3与支撑件5之间的间隙会很小，注塑时硅胶很难进入二者之间的间隔，因此本案中将屏蔽管3设置为网状套管，既可以起到屏蔽信号干扰的左右，又利于填充硅胶。
64.步骤s6，在导电体1外侧的螺旋线1122处套设保护管4。
65.为了加强对螺旋线1122的保护，可以在其外侧套设保护管4。所述保护管4为塑胶材质。将屏蔽管3设置为网状套管，也便于在保护管4与支撑件5之间形成空隙，用于填充硅胶。
66.当螺旋线1122的外侧套设有屏蔽管3时，可以在屏蔽管3的外侧套设一塑胶材料保护管4，包裹保护屏蔽管3和螺旋线1122，并结合其内部注塑的硅胶2形成电极的身体段。
67.当螺旋线1122的外侧没有套设屏蔽管3时，可以在螺旋线1122的外侧套设一塑胶材料保护管4，包裹保护螺旋线1122，并结合其内部注塑的硅胶2形成电极的身体段。
68.步骤s7，注塑硅胶2一体成型。
69.现有技术中，电极环与螺旋导丝焊接后，只能通过模具将螺旋导丝张紧，用于防止螺旋导丝变形或接触，由于螺旋导丝本身就具有一定的收缩弹性，导丝之间又存在螺距，其张紧尺度很难把控，同时电极引线和电极环要维持特定的构造和三维空间的位置要求满足注塑工艺。常规的制备工艺很难同时满足激光切割时三维空间的定位，在切割后维持导电体1的位置和状态，用于注塑。同时在注塑后，又可以轻松取出支撑件5，防止其与硅胶黏合。本案通过在芯部的外侧设置变形层，提供变形余量，实现导电体1的限位。但是变形层的材质一般为弹性或柔性材质，如海绵、橡胶、树脂等，跟硅胶的相容性较高，如果采用注塑工艺，变形层与硅胶的粘合性比较高，会导致支撑件5在注塑后很难拔出。
70.因此，在本案中首先在变形层表面喷涂隔离层63，一般厚度为0.05-0.1mm，即支撑件5的外表面做一层隔离层，起到剥离硅胶的作用，方便拔出支撑件5。其中所述隔离层63为聚氨酯或派瑞林，也可以设置所述隔离层的表面为光滑表面，以利于与注塑的硅胶剥离。在注塑前，将环形模具6插入电极环与支撑件5之间，将电极环的直径扩大并保持支撑件5留在导电体1的内部，维持单导体11中的近端电极环111、电极引线112和远端电极环113仍保持原状，然后放入注塑模具中，在近端电极环111、远端电极环113或电极引线112一处设置注胶口，在单导体11之间的空隙且位于支撑件5的外部采用真空挤压的方式注塑硅胶，使硅胶2与导电体1一体成型，最后由于隔离层63的存在，方便从单导体内部拔出支撑件5，得到所述脑深部电极。脑深部电极的两端部填充有硅胶，其内部有拔出支撑件5形成的空腔。保护管4的外径略大于近端电极环111或远端电极环113的外径，但由于螺旋线1122低于近端电极环111或远端电极环113的外轮廓面，因此通过注塑后，硅胶可以黏合并将保护管4限位在螺旋线1122处，使脑深部电极呈现为表面相对平滑的整体。
71.具体的，脑深部电极的制备工艺可以有多种实现方式，本案仅罗列以下几种。
72.作为制备脑深部电极的第一种实施方式。
73.(1)选取铂金材料作为电极管。
74.(2)选取外侧涂覆聚氨酯隔离层的树脂棒作为支撑件5，插入电极管的内部并与电极管紧配合。
75.(3)在惰性气体空间内，通过四个激光头采用飞秒激光红外同时切割电极管的管壁，形成导电体1，即间隔分布的四个单导体11。
76.(4)将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，分别向外扩张近端电极环111、远端电极环113，并保留支撑件5位于电极管的内部，对导电体1起到限位作用。
77.(5)在电极引线112的表面涂覆派瑞林涂层作为绝缘层。
78.(6)将导电体1、两个环形模具6、支撑件5整体放入注塑模具中，在近端电极环111处设置注胶口，注塑硅胶。
79.(7)注塑后，先取出两个环形模具6，再拔出支撑件5。
80.作为制备脑深部电极的第二种实施方式。
81.(1)选取铂铱合金材料作为电极管。
82.(2)选取外侧涂覆聚氨酯隔离层的橡胶棒作为支撑件5，插入电极管的内部并与电极管紧配合。
83.(3)在惰性气体空间内，通过一个激光头采用飞秒激光红外切割电极管的管壁，逐次形成隔分布的四个单导体11，即所述导电体1。
84.(4)将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，分别向外扩张近端电极环111、远端电极环113，并保留支撑件5位于电极管的内部，对导电体1起到限位作用。
85.(5)在电极引线112的表面涂覆派瑞林涂层作为绝缘层。
86.(6)采用铂金为原材料激光刻蚀出一种网状的屏蔽管3，将刻蚀完成后的屏蔽管3套设在螺旋线1122的外侧。
87.(7)将导电体1、两个环形模具6、屏蔽管3、支撑件5整体放入注塑模具中，在远端电极环113处设置注胶口，注塑硅胶。
88.(8)注塑后，先取出两个环形模具6，再拔出支撑件5。
89.作为制备脑深部电极的第三种实施方式。
90.(1)选取铂铱合金材料作为电极管。
91.(2)选取外侧涂覆派瑞林隔离层的树脂棒作为支撑件5，插入电极管的内部并与电极管紧配合。
92.(3)在惰性气体空间内，通过一个激光头采用飞秒激光红外切割电极管的管壁，逐次形成隔分布的四个单导体11，即所述导电体1。
93.(4)将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，分别向外扩张近端电极环111、远端电极环113，并保留支撑件5位于电极管的内部，对导电体1起到限位作用。
94.(5)在电极引线112的表面涂覆聚四氟乙烯涂层作为绝缘层。
95.(6)在导电体1外侧的螺旋线1122处套设保护管4。
96.(7)将导电体1、两个环形模具6、保护管4、支撑件5整体放入注塑模具中，在近端电极环111处设置注胶口，注塑硅胶。
97.(8)注塑后，先取出两个环形模具6，再拔出支撑件5。
98.作为制备脑深部电极的第四种实施方式。
99.(1)选取铂铱合金材料作为电极管。
100.(2)选取外侧涂覆派瑞林隔离层的树脂棒作为支撑件5，插入电极管的内部并与电极管紧配合。
101.(3)在惰性气体空间内，通过一个激光头采用飞秒激光红外切割电极管的管壁，逐次形成隔分布的四个单导体11，即所述导电体1。
102.(4)将两个环形模具6插入近端电极环111与支撑件5之间、远端电极环113与支撑件5之间，分别向外扩张近端电极环111、远端电极环113，并保留支撑件5位于电极管的内部，对导电体1起到限位作用。
103.(5)在电极引线112的表面涂覆聚四氟乙烯涂层作为绝缘层。
104.(6)采用铂铱合金为原材料激光刻蚀出一种网状的屏蔽管3，将刻蚀完成后的屏蔽管3套设在螺旋线1122的外侧。
105.(7)在导电体1外侧的螺旋线1122处套设保护管4。
106.(8)将导电体1、两个环形模具6、屏蔽管3、保护管4、支撑件5整体放入注塑模具中，在近端电极环111处设置注胶口，注塑硅胶。
107.(9)注塑后，先取出两个环形模7具，再拔出支撑件5。
108.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
109.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。